技术总结
本发明公开了一种具有阵列式静电防护结构的LDMOS器件，其结构包括：P+衬底层、P‑外延层、P+注入层、P阱区、漂移区、栅下氧化层、栅极电极、源极电极、源场板氧化层、漏极电极、背面金属以及源极深槽互连金属；还包括源极场板阵列，所述源极场板阵列包括多个平行且等长等宽的源场板，源场板在垂直于栅极电极的方向设置，每个源场板一端与源极电极连接，另一端跨过栅极电极连接到源场板氧化层。本发明通过源区的延伸场板结构，使其延伸至栅漏之间并呈阵列式分布，一方面将栅漏侧分割使栅下漏侧以及栅下源侧的峰值电场均匀化分布，使可吸收外来瞬时高电压，另一方面，由于阵列式的分布，最大限度地提升了电流运载能力，实现其功率器件的作用。
技术研发人员：周祥兵;高小平;高潮;黄素娟;
受保护的技术使用者：扬州江新电子有限公司;
技术研发日：2018.02.13
技术公布日：2018.08.03