本发明涉及电子部件、电子部件的制造方法和电子设备。
背景技术：
在具有将诸如摄像器件等的电子器件安装在封装体中的结构的电子部件中，使用环境的多样化等增加了从外部施加到电子部件的应力。因此，对安装电子器件用封装体受到的应力进行抵抗的改善的耐受性存在需求。
日本特开2001-230395号公报提出了能够通过对石英晶体的外周端面施加化学刻蚀而使其平滑，该石英晶体是安装固态摄像器件用封装体的密封板。
当用作安装电子部件用封装体的盖构件的石英晶体的外周端面存在裂纹等时，这样的裂纹等可能引起盖构件的强度降低。由于作为各向异性材料的石英晶体具有不易于被刻蚀的晶体方向，所以用于移除端面上的裂纹等的刻蚀可能导致端面的一些部分移除不充分。
技术实现要素：
本发明的至少一个实施方式旨在提供具有改善了的强度的盖构件的电子部件。
根据本发明的一个方面的电子部件包括：基部构件；电子器件，其固定于所述基部构件；以及盖构件，其配置于所述电子器件的上方且固定于所述基部构件。所述盖构件的主材料是石英晶体，所述盖构件具有四个侧表面和与所述电子器件相对的两个主表面，并且所述四个侧表面均是不与所述石英晶体的光轴平行的湿法刻蚀面。
根据本发明的另一方面的电子部件包括：电子器件，其固定于所述基部构件；以及盖构件，其配置于所述电子器件的上方且固定于所述基部构件。所述盖构件的主材料是石英晶体，所述盖构件具有四个侧表面和与所述电子器件相对的两个主表面，所述四个侧表面均不与所述石英晶体的光轴平行，并且所述四个侧表面中的至少一个侧表面不与所述两个主表面垂直。
根据本发明的另一方面的电子设备包括：上述的电子部件，和嵌有所述电子部件的壳体。
根据本发明的另一方面的电子部件的制造方法包括：制备基部构件和固定于所述基部构件的电子器件；制备盖构件；将所述盖构件配置于所述电子器件上方并且固定所述基部构件和所述盖构件。所述盖构件的主材料是石英晶体，所述盖构件具有四个侧表面和与所述电子器件相对的两个主表面，所述四个侧表面均不与所述石英晶体的光轴平行，并且所述四个侧表面中的至少一个侧表面不与所述两个主表面垂直。
根据本发明的另一方面的安装电子器件用封装体的盖构件的制造方法包括：制备具有两个主表面和四个侧表面的石英晶体板；以及对所述四个侧表面进行湿法刻蚀。所述四个侧表面均不与石英晶体的光轴平行。
本发明的其它特征将通过参照附图的以下示例性实施方式的说明变得清楚。
附图说明
图1是根据第一实施方式的电子部件的示意性平面图。
图2a和图2b是根据第一实施方式的电子部件的示意性截面图。
图3是示出根据第一实施方式的石英晶体的晶轴的图。
图4a和图4b是示出根据第一实施方式的石英晶体的晶轴的图。
图5a和图5b是示出根据第二实施方式的石英晶体的晶轴的图。
图6是根据第二实施方式的电子部件的示意性平面图。
图7a和图7b是示出根据第二实施方式的电子部件的示意性截面图。
图8a和图8b是示出根据第三实施方式的石英晶体的晶轴的图。
图9a和图9b是根据第三实施方式的电子部件的示意性平面图。
图10a、图10b和图10c是根据第三实施方式的电子部件的示意性截面图。
图11a和图11b是示出根据第四实施方式的石英晶体的晶轴的图。
图12是根据第四实施方式的电子部件的示意性平面图。
图13a和图13b是根据第四实施方式的电子部件的示意性截面图。
具体实施方式
现在将根据附图详细说明本发明的优选实施方式。注意，在以下说明和附图中，多个附图中共同的特征设置有共同的附图标记。另外，可以相互参照多个附图说明这样的共同特征。另外，可以省略或简化具有共同的附图标记的特征的重复说明。
第一实施方式
作为本发明的第一实施方式，将在以下说明电子部件100的结构的示例。图1是电子部件100的示意性平面图。图2a和图2b是电子部件100的示意性截面图。图2a是沿着图1中的线a-a’截取的电子部件100的示意性截面图，图2b是沿着图1中的线b-b’截取的电子部件100的示意性截面图。用相同的附图标记标识相同的构件，以下将相互参照各附图提供说明。另外，各附图均绘示出坐标轴，即，x轴、y轴和z轴。注意，可以将z轴的正方向称为上，将z轴的负方向称为下。
电子部件100包括：电子器件10；基部构件20，其具有供电子器件10安装的凹部；以及盖构件，其配置于电子器件10的上方。盖构件的主材料是石英晶体。以下，盖构件被称为石英晶体30。基部构件20可以作为使电子器件10机械地固定在基部构件20内的安装构件，并且还能够电连接到电子器件10。石英晶体30除了作为封装体的盖构件之外，还可以作为光学构件。如图2a和图2b所示，电子器件10安装于基部构件20内的凹部底面201，并且通过粘接剂(未示出)使电子器件10的背面102和基部构件20内的凹部底面201固定。石英晶体30通过粘接剂(未示出)固定到基部构件20的框部上表面202，从而形成由基部构件20和石英晶体30包围的内部空间40。石英晶体30配置在电子器件10上方并且隔着内部空间40面对电子器件10。晶体30具有作为与电子器件10相对的两个主表面的外表面301和内表面302，并且内表面302面对电子器件10的正面101。
电子器件10的正面101、电子器件10的背面102、石英晶体30的外表面301和石英晶体30的内表面302均是与x轴方向和y轴方向平行且与z轴方向垂直的面。电子器件10和电子部件100的形状均为在从z轴方向观察的平面图中具有沿x轴方向和y轴方向的四条边的四边形。因此，电子器件10的正面101、电子器件10的背面102、石英晶体30的外表面301和石英晶体30的内表面302的形状均为在从z轴方向观察的平面图中具有沿x轴方向和y轴方向的四条边的四边形。另外，电子器件10和电子部件100各自在z轴方向上的尺寸均小于各自在x轴方向上和y轴方向上的尺寸，因而电子器件10和电子部件100均具有平板形状。
尽管未特别限制电子器件10的类型和功能，但电子器件10典型地为光学器件。本实施方式的电子器件10具有主区域1和副区域2。典型地，主区域1在从z轴方向观察的平面图中位于电子器件10的中央，副区域2位于电子器件10的周边。当电子器件10是诸如ccd图像传感器或cmos图像传感器等的摄像器件时，主区域1是摄像区域并且副区域2是周边回路区域。当电子器件10是诸如液晶显示器或el显示器等的显示器件时，主区域1是显示区域并且副区域2是周边回路区域。当电子器件10是摄像器件时，电子器件10的正面101是光入射面。能够使该光入射面形成为包括设置于半导体基板的多层膜。多层膜可以包括诸如滤色器层、微透镜层、防反射层或遮光层等的具有光学功能的层；诸如平面化层等的具有机械功能的层；诸如钝化层等的具有化学功能的层等。作为周边回路区域的副区域2设置有用于驱动主区域1的驱动回路、用于处理从主区域1输出的信号(或输出到主区域1的信号)的信号处理回路等。当电子器件10是形成于半导体基板的半导体器件时，由于容易以单片方式(monolithicmanner)形成以上回路，所以电子器件10典型地是半导体器件。
基部构件20具有用于安装电子器件10的凹部。能够通过诸如金属成型、切割或板材层叠等的方法形成基部构件20。尽管基部构件20可以是诸如金属板等的导体，但是基部构件20优选为绝缘体。尽管基部构件20可以是诸如聚酰亚胺基板等的柔性基板，但是基部构件20优选为诸如玻璃环氧基板、复合基板、玻璃复合基板、酚醛树脂基板或陶瓷基板等的刚性基板。特别优选的是，基部构件20为陶瓷基板，并且优选地使用陶瓷层叠体作为基部构件20。作为陶瓷材料的示例，可以使用碳化硅、氮化铝、蓝宝石、氧化铝、氮化硅、金属陶瓷、氧化钇、莫来石、硅酸镁石、堇青石、氧化锆、滑石等。
电子器件10电连接到基部构件20且经由设置于基部构件20的外部端子(未示出)电连接到外部回路。对于外部端子，能够使用栅格阵列(lga)、引脚栅格阵列(pga)、球栅阵列(bga)、无引脚片式载体(lcc)或引线框。能够通过使用焊膏的回流焊接连接外部端子和外部回路。以这样的方式，二次安装电子部件100以形成电子模块。作为安装的形式，优选的是表面安装。使电子模块嵌入壳体中，从而形成电子设备。
石英晶体30具有与x轴方向平行的侧表面303和304，以及与y轴方向平行的侧表面305和306。侧表面303、304、305、306是分别对应于石英晶体30的外表面301和内表面302的四条边的侧表面，并且形成石英晶体30的外周端面。在图2a中以箭头示出的光轴cz表示石英晶体30的光轴的方向。可以在石英晶体30的外表面301和内表面302上涂覆诸如防反射涂层或红外切割涂层的涂层。
通过由诸如研削等的机械加工切出晶锭(ingot)使石英晶体30形成为具有预定形状的石英晶体板。然而，在诸如施加了研削等机械加工之后即时所获得的侧表面303、304、305和306可能在机械加工过的表面上具有诸如裂纹或裂缝等的缺陷。因此，当使石英晶体30固定到基部构件20以形成电子部件100并随后从外部环境对石英晶体30施加应力时，石英晶体30可能以诸如裂纹或裂缝等的缺陷处作为起始点受到损坏。因此，为了移除这样的缺陷，至少使石英晶体30的侧表面303、304、305和306通过暴露于氟化铵、氢氟酸或氟化铵与氢氟酸的混合液等进行湿法刻蚀。这能够移除诸如裂纹或裂缝等的缺陷并且使侧表面303、304、305和306平滑以使石英晶体30中的损坏的发生降低，因此能够提供具有改善了的强度的盖构件的电子部件100。注意，在本说明书中，施加了湿法刻蚀的面可以被称为湿法刻蚀面。
另一方面，石英晶体是各向异性材料。因此，取决于晶向，石英晶体具有石英晶体易于被湿法刻蚀的方向和石英晶体不易被湿法刻蚀的方向。为了进一步确保移除石英晶体30的所有侧表面303、304、305和306上的诸如裂纹或裂缝等的缺陷，优选的是选择石英晶体30的切割方向，使得所有的侧表面303、304、305和306均是易于被刻蚀的面。
图3是示出石英晶体30的晶轴的图。图3示意性地示出了石英晶体的彼此正交的电气轴cx、机械轴cy和光轴cz。石英晶体的晶锭的晶体生长方向是光轴cz方向。另外，垂直于光轴cz的面是易于刻蚀的面，与光轴cz平行的面是不易于刻蚀的面。即，为了通过湿法刻蚀移除诸如裂纹或裂缝等的缺陷，湿法刻蚀面优选的是不与光轴cz平行的面。此外，当湿法刻蚀面相对于光轴cz的角度接近于垂直时效果较显著，当湿法刻蚀面相对于光轴cz的角度接近于平行时效果较小。即，在本实施方式中，能够选择切割方向使石英晶体30的所有侧表面303、304、305和306为不与光轴cz平行的面。从而，能够通过湿法刻蚀适当地移除所有侧表面上的诸如裂纹或裂缝等的缺陷。
图4a示出从电气轴cx的正方向观察的石英晶体30，图4b示出从机械轴cy的负方向观察的石英晶体30。如图4a和图4b所示，侧表面303、304、305和306均不与光轴cz平行。当电子器件10是摄像器件时，石英晶体30具有用于减少摩尔纹和伪色的低通滤波器(low-passfilter)的功能。在本实施方式中，不限制外表面301和内表面302的相对于光轴cz的角度。然而，在外表面301和内表面302均为相对于光轴cz的角度是45度的面的情况下，能够获得最大分离范围。因此，当考虑加工误差、入射光的角分布等时，外表面301和内表面302均优选地为相对于光轴cz的角度是45度以上且50度以下的面。
尽管，在本实施方式中，侧表面303和304是垂直于光轴cz的面，但是本实施方式不限于此。例如，侧表面303和304可以是垂直于外表面301和内表面302的面。然而，在侧表面303和304接近垂直于光轴cz时，能够改善通过湿法刻蚀移除诸如裂纹或裂缝等的缺陷的效果。因此，如在本实施方式中所说明的，在侧表面303和304是大致垂直于光轴cz的面的情况下，能够获得最大的缺陷移除效果。注意，本说明书中提及的“大致垂直”旨在包括能够被称为实质垂直的范围。典型地，大致垂直包括从垂直开始的±5度以内(大于等于85度且小于等于95度)的范围。这同样地适用于提及“大致平行”等的情况。
当使侧表面305和306配置为垂直于外表面301和内表面302的面时，侧表面305和306为平行于光轴cz的面，因此不易于被湿法刻蚀。为了避免该情况，在本实施方式中，使侧表面305和306配置为不与外表面301和内表面302垂直的面。
这里优选的是，出于使湿法刻蚀较为容易的观点，侧表面305和306均为相对于光轴cz的角度接近垂直的面。由于侧表面305和306均需要具有接近平行于外表面301和内表面302的角度，所以这导致了石英晶体30的较大的外形。为了避免石英晶体30尺寸的不必要增加，优选的是，侧表面305和306相对于光轴cz的角度为小于等于60度。此外，当侧表面305和306相对于光轴cz的角度小于30度时，通过湿法刻蚀移除诸如裂纹或裂缝等缺陷的效果可能不充分。因此，优选的是，侧表面305和306相对于光轴cz的角度为大于等于30度且小于等于60度。
如图2b所示，在第一实施方式中，侧表面305由两个面形成，并且侧表面306也由两个面形成。侧表面305中的一个面被形成为从外表面301的端部向外侧(沿x轴的负方向)延伸且相对于光轴cz所形成的角度为大于等于30度且小于等于60度的面。侧表面305中的另一个面被形成为从内表面302的端部向外侧(沿x轴的负方向)延伸且相对于光轴cz所形成的角度为大于等于30度且小于等于60度的面。同样地，侧表面306中的一个面被形成为从外表面301的端部向外侧(沿x轴的正方向)延伸且相对于光轴cz所形成的角度为大于等于30度且小于等于60度的面。侧表面306中的另一个面被形成为从内表面302的端部向外侧(沿x轴的正方向)延伸且相对于光轴cz的角度为大于等于30度且小于等于60度的面。从而，与侧表面305和306均由单个面形成的情况相比，在降低外形尺寸的同时能够具有相同的湿法刻蚀效果。在该情况下，在垂直于外表面301和内表面302且垂直于侧表面305和306的边的平面中，石英晶体30的截面形状(换言之，图2b所示出的石英晶体30的截面形状)为六角形。
注意，尽管如图2b所示侧表面305中的一个面和另一个面相对于光轴cz形成相同的角度，但是角度可以彼此不同，只要相对于光轴cz的各角度在从30度到60度的范围内即可。同样地，侧表面306中的一个面和另一个面相对于光轴cz的角度可以彼此不同，只要相对于光轴cz的各角度均在从30度到60度的范围内即可。
如上所述，根据本实施方式，由于石英晶体30的侧表面均不与石英晶体的光轴平行，所以对这些侧表面的湿法刻蚀使诸如裂纹或裂缝等的缺陷被有效地移除。使用以该方式获得的石英晶体30作为电子部件100的盖构件改善了盖构件的强度，从而能够提供降低了损坏的发生的电子部件100。
注意，在图4a和图4b中，外表面301和内表面302的长边方向与电气轴cx平行。因此，对应于长边的侧表面303和304的面积大于对应于短边的侧表面305和306的面积。如上所述，沿长边方向的侧表面303和304垂直于光轴cz，这使通过湿法刻蚀移除诸如裂纹或裂缝等的缺陷具有显著的效果。通过增加这样的表面的面积，能够获得利用湿法刻蚀的效果增大的优势。然而，该实施方式不限于此，并且外表面301和内表面302的短边方向可以平行于电气轴cx。能够出于诸如从石英晶体晶锭切出石英晶体30的最优数量等的各种观点适当地选择外表面301和内表面302的短边和长边与电气轴cx的关系。
第二实施方式
作为本发明的第二实施方式，将在以下说明电子部件100的结构的示例。第二实施方式在石英晶体30的形状上不同于第一实施方式。由于其它结构是与第一实施方式共同的结构，所以将省略所述其它结构的说明。图5a示出从电气轴cx的正方向观察时的石英晶体30，图5b示出从机械轴cy的负方向观察时的石英晶体30。图6是电子部件100的示意性平面图。图7a是沿着图6中的线c-c’截取的电子部件100的示意性截面图，并且图7b是沿着图6中的线d-d’截取的电子部件100的示意性截面图。以下将相互参照这些附图说明第二实施方式的构造。
本实施方式的石英晶体30的形状与第一实施方式的石英晶体30的形状的区别在于石英晶体30的侧表面305和306的形状。更具体地，侧表面305从内表面302的端部向外侧(沿x轴的负方向)延伸并且形成为不与光轴cz平行的面。侧表面306从外表面301的端部向外侧(沿x轴的正方向)延伸并且形成为不与光轴cz平行的面。在该情况下，在垂直于外表面301和内表面302且垂直于侧表面305和侧表面306的边的平面中，石英晶体30的截面形状(换言之，图7b中所示出的石英晶体30的截面形状)具有非长方形的平行四边形的形状。注意，同样在本实施方式中，由于与在第一实施方式中相同的理由，优选的是侧表面305和306相对于光轴cz的各角度为大于等于30度且小于等于60度。
与第一实施方式相同，同样在本实施方式中，由于石英晶体30的侧表面均不与石英晶体的光轴cz平行，所以对这些侧表面的湿法刻蚀使诸如裂纹或裂缝等的缺陷被有效地移除。使用以该方式获得的石英晶体30作为电子部件100的盖构件改善了盖构件的强度，从而能够提供降低了损坏的发生的电子部件100。此外，在本实施方式中，由于石英晶体30的外周端面的侧表面的面数少于第一实施方式中的石英晶体30的外周端面的侧表面的面数，所以能够减少加工石英晶体30的步骤数。因此，能够以较低的成本制备石英晶体30和制造电子部件100，从而能够进一步降低电子部件100的成本。
第三实施方式
作为本发明的第三实施方式，将在以下说明电子部件100的结构的示例。第三实施方式在石英晶体30的形状上不同于第一实施方式和第二实施方式。由于其它结构是与第一实施方式共同的结构，所以将省略所述其它结构的说明。图8a示出从电气轴cx的正方向观察时的石英晶体30，图8b示出从机械轴cy的负方向观察时的石英晶体30。图9a和图9b是电子部件100的示意性平面图。图10a是沿着图9a和图9b中的线e-e’截取的电子部件100的示意性截面图，图10b是沿着图9a中的线f-f’截取的电子部件100的示意性截面图。图10c是沿着图9b中的线g-g’截取的电子部件100的示意性截面图。以下将相互参照这些附图说明第三实施方式的构造。图9a和对应的图10a、图10b示出第三实施方式的第一构造例，图9b和对应的图10a、图10c示出第三实施方式的第二构造例。
本实施方式的石英晶体30的形状与第一实施方式的石英晶体30的形状的区别在于石英晶体30的侧表面305和306的形状。在图9a、图10a和图10b中示出的第一构造例中，侧表面305从外表面301的端部向外侧(沿x轴的负方向)延伸并且形成为不与光轴cz平行的面。侧表面306从外表面301的端部向外侧(沿x轴的正方向)延伸并且形成为不与光轴cz平行的面。在图9b、图10a和图10c中示出的第二构造例中，侧表面305从内表面302的端部向外侧(沿x轴的负方向)延伸并且形成为不与光轴cz平行的面。侧表面306从内表面302的端部向外侧(沿x轴的正方向)延伸并且形成为不与光轴cz平行的面。在第一构造例和第二构造例中，在垂直于外表面301和内表面302且垂直于侧表面305和306的边的平面中，石英晶体30的截面形状(参照图10b和图10c)均具有非平行四边形的梯形形状。在第一构造例中，形成梯形的两个底边的两个平行边中的长底边是固定到框部上表面202侧的边。在第二构造例中，形成梯形的两个底边的两个平行边中的短底边是固定到框部上表面202侧的边。注意，同样在本实施方式的第一构造例和第二构造例中，由于与在第一实施方式和第二实施方式中相同的理由，优选的是侧表面305和306相对于光轴cz的角度为大于等于30度且小于等于60度。
同样在本实施方式中，与第一实施方式相同，由于石英晶体30的侧表面均不与石英晶体的光轴平行，所以对这些侧表面的湿法刻蚀使诸如裂纹或裂缝等的缺陷有效地移除。使用以该方式获得的石英晶体30作为电子部件100的盖构件改善了盖构件的强度，从而能够提供降低了损坏的发生的电子部件100。此外，在本实施方式的第一构造例中，由于框部上表面202和石英晶体30能够以两者之间不存在间隙的方式固定，所以这能够降低因诸如安装等的操作引起的诸如外周部的裂缝或碎片(chip)等的损坏的发生。在本实施方式的第二构造例中，能够利用框部上表面202与侧表面305、306之间的空间间隙作为用于固定的粘接区域。因此，与第一实施方式、第二实施方式和本实施方式的第一构造例相比，能够降低石英晶体30的内表面302与框部上表面202之间的接触面积，这允许电子部件100小型化。
第四实施方式
作为本发明的第四实施方式，将在以下说明电子部件100的结构的示例。第四实施方式在石英晶体30的形状上不同于第一实施方式至第三实施方式。由于其它结构是与第一实施方式共同的结构，所以将省略所述其它结构的说明。图11a示出从电气轴cx的正方向观察时的石英晶体30，图11b示出从机械轴cy的负方向观察时的石英晶体30。图12是电子部件100的示意性平面图。图13a是沿着图12中的线h-h’截取的电子部件100的示意性截面图，图13b是沿着图12中的线j-j’截取的电子部件100的示意性截面图。以下将相互参照这些附图说明第四实施方式的构造。
本实施方式的石英晶体30的形状与第一实施方式的石英晶体30的形状的区别在于石英晶体30的侧表面305和306的形状。更具体地，石英晶体30的外表面301和内表面302均大致平行于光轴cz，并且外表面301和内表面302的长边和短边均不与电气轴cx以及机械轴cy中的任一者平行。
如图13a和图13b所示，侧表面303、304、305和306均可以形成为垂直于外表面301和内表面302的面。同样在该情况下，侧表面303、304、305和306均是不与光轴cz平行的面。然而，如同在第一实施方式至第三实施方式中所述，侧表面303、304、305和306可以包括不与外表面301以及内表面302垂直的面。
如图11b所示，当侧表面303和304各自相对于光轴cz的角度均被表示为θ度时，侧表面305和306各自相对于光轴cz的角度均为(90-θ)度。如上所述，各侧表面相对于光轴cz的角度越接近垂直(90度)，通过湿法刻蚀移除裂纹、裂缝等的效果越好。另一方面，当侧表面303和304各自相对于光轴cz的角度或侧表面305和306各自相对于光轴cz的角度接近于0度时，不易于在这些表面上获得湿法刻蚀的效果。为了所有侧表面均获得充分的效果，优选的是，θ的范围为30度到60度。当θ为大于等于30度且小于等于60度时，(90-θ)也为大于等于30度且小于等于60度。即，所有的侧表面303、304、305和306相对于光轴cz形成大于等于30度且小于等于60度的角度。特别地，更优选的是，侧表面303和304相对于光轴cz的角度为大致60度，因为这增强了对长边方向上的侧表面303和304进行湿法刻蚀的效果，其中长边方向上的侧表面303和304比起短边方向上的侧表面305和306受到更大应力。
同样在本实施方式中，与第一实施方式相同，由于石英晶体30的侧表面均不与石英晶体的光轴平行，所以对这些侧表面的湿法刻蚀使诸如裂纹或裂缝等的缺陷有效地移除。使用以该方式获得的石英晶体30作为电子部件100的盖构件改善了盖构件的强度，从而能够提供降低了损坏的发生的电子部件100。此外，在本实施方式中，由于石英晶体30的外表面301和内表面302均平行于光轴cz，所以相同尺寸的石英晶体晶锭切出石英晶体30的数量增加。因此能够以较低的成本制备石英晶体30和制造电子部件100，从而能够进一步降低电子部件100的成本。
其它实施方式
尽管在第一实施方式至第四实施方式中说明了石英晶体30的形状的示例，优选的是，在各实施方式中，石英晶体30在垂直于外表面301和内表面302的方向上的厚度为大于等于0.2mm且小于等于1.0mm。理由如下。不足的厚度增加了归因于由温度改变引起的石英晶体30的热膨胀、内部空间40中的内压改变等的石英晶体30的变形量。特别地，当厚度小于0.2mm时，这增加了晶体30从基部构件20剥离的可能性或石英晶体30被损坏的可能性，因而不能保持电子部件100的可靠性。另一方面，当石英晶体30的厚度大于1.0mm时，电子部件100的厚度不必要地增加，这可能不足以满足高度上降低的商业需求。
尽管参照示例性实施方式说明了本发明，但应当理解，本发明不限于所公开的示例性实施方式。权利要求的范围应当被给予最宽泛的解释以包括所有这样的变型与等同结构和功能。
例如，应当理解的是，任意实施方式的一部分特征被添加到另一实施方式的实施方式或者任意实施方式的一部分特征被另一实施方式的一部分特征所置换的实施方式同样也是本发明能够适用的实施方式。