本发明涉及二极管技术领域，具体为一种贴片式高压硅堆及其生产工艺。
背景技术：
高压硅堆又叫硅柱，它是一种硅高频高压整流二极管，工作电压在几千伏至几万伏之间。常用于黑白电视机或其他电子仪器中作高频高压整流，它之所以能有如此高的耐压本领，是因为它的内部是由若干个硅高频二极管的管心串联起来组合而成的，外面用高频陶瓷进行封装。
但是一般的高压硅堆本体上并没有设置保护机构，由于高压硅堆本体上焊接有电极引线，在运输容易被折弯，从而造成电极引线的损坏，针对这种缺陷，所以我们设计一种贴片式高压硅堆及其生产工艺，来解决电极引线的保护问题，提高其使用寿命，运输时有利于防止电极引线折弯损坏。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种贴片式高压硅堆及其生产工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种贴片式高压硅堆，包括高压硅堆本体和保护机构，所述高压硅堆本体由插杆、电极引线、保护罩、钨电极和管芯组成，所述钨电极设置有两个，所述电极引线焊接在钨电极的一侧，所述管芯由多个芯片串联而成，所述钨电极焊接在管芯的对应两端，所述管芯的外侧套接有保护罩，所述钨电极位于保护罩对应两侧对应两端中心处位置处，所述保护罩的对应两侧位于钨电极对应两端位置处均粘接有插杆，所述保护罩的外侧设置有保护机构，所述保护机构由右固定板、左固定板、正方形固定块、缓冲杆、拉杆、连接杆、正方形固定槽、滑槽、第一通孔、第一复位弹簧、卡块、插槽、引线槽、缓冲板、第二通孔、第二复位弹簧和海绵垫组成，所述右固定板和左固定板分别设置在高压硅堆本体的对应两侧，所述右固定板和左固定板的一侧中心处均开设有引线槽，所述引线槽的一侧贴合有海绵垫，所述右固定板和左固定板的一侧位于引线槽对应两侧位置处均开设有插槽，所述插槽的内侧开设有第二通孔，且第二通孔的一端与外部空气联通，所述插槽的对应两侧通过缓冲板连接，所述缓冲板的一侧中心处通过强力胶粘接有缓冲杆，所述缓冲板的一侧粘接有第二复位弹簧，且第二复位弹簧套接在缓冲杆的外侧，所述第二复位弹簧的另一端与插槽内侧接触，所述正方形固定槽开设有两个，所述正方形固定槽位于左固定板上插槽的一侧，所述正方形固定槽的一侧开设有滑槽，所述滑槽的一侧开设有第一通孔，且第一通孔穿过左固定板一侧与空气联通，所述拉杆的一端穿过第一通孔和滑槽内部与卡块连接，所述卡块的一侧粘接有第一复位弹簧，且第一复位弹簧套接在拉杆的外侧，所述连接杆设置有两个，所述连接杆粘接在右固定板上插槽的一侧，所述连接杆的一端粘接有正方形固定块，所述右固定板通过正方形固定块、连接杆和正方形固定槽与左固定板连接，所述插杆与插槽配合使用，所述电极引线与引线槽配合使用。
一种贴片式高压硅堆生产工艺，包括如下步骤：步骤一，芯片成型；步骤二，部件的组装；步骤三，保护机构的安装；
其中在上述的步骤一中，将管芯进行磷纸烧除及磷预沉积，对管芯的双面进行喷砂，然后对其进行清洗氧化，一次光刻，光刻胶采用高抗蚀性光刻胶，管芯背面也要用胶保护，一次光刻完毕后，进行开沟作业，开沟完成后通过混合酸进行两次清洗，时间各5min，清洗后再利用大量去离子水冲洗，进行玻璃烧结钝化，玻璃网膜形成后，再进行镀膜，即在玻璃网膜之上淀积一层二氧化硅保护膜，二次光刻除去引线孔上的二氧化硅层，再进行镀镍，经检验合格进行切割形成芯片；
其中在上述的步骤二中，再将含有钨电极的电极引线焊接在芯片的两端，再将保护罩套接在管芯的外侧；
其中在上述的步骤三中，将插杆与插槽配合使用，电极引线与引线槽配合使用，再将右固定板通过正方形固定块、连接杆和正方形固定槽与左固定板连接，形成保护机构，将保护机构安装在高压硅堆本体外侧。
根据上述技术方案，所述保护罩为一种陶瓷材料构件。
根据上述技术方案，所述插杆设置有四个，所述插槽在右固定板和左固定板上各设置有两个。
根据上述技术方案，所述拉杆通过强力胶与卡块粘接。
根据上述技术方案，所述卡块的外径等于滑槽的内径。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过将插杆和电极引线分别插入到对应的插槽和引线槽中，同时将正方形固定块通过连接杆插入到正方形固定槽中，向外侧拉动拉杆，带动卡块移动，从而使第一复位弹簧受力压缩，当卡块的一侧抵触到正方形固定槽的一侧，松掉拉杆，由于第一复位弹簧的弹力作用，带动卡块回到初始位置，使卡块的一侧与正方形固定块一侧接触，同时使卡块的底部与连接杆的外侧接触，对正方形固定块进行卡紧固定，使右固定板和左固定板连接，当右固定板和左固定板受到挤压时，会使插杆和电极引线分别与缓冲板和海绵垫接触，同时对缓冲板和海绵垫进行挤压，海绵垫起到缓冲作用，有利于保护电极引线，同时通过缓冲板对第二复位弹簧进行挤压，使缓冲杆向外移动，由于第二复位弹簧的弹力作用，有利于进行缓冲，抵消部分挤压力，从而使电极引线对海绵垫的挤压力减小，有利于更好的保护电极引线，提升其使用寿命，同时有利于运输时，防止电极引线折弯；将管芯进行磷纸烧除及磷预沉积，对管芯的双面进行喷砂，然后对其进行清洗氧化，一次光刻，光刻胶采用高抗蚀性光刻胶，管芯背面也要用胶保护，一次光刻完毕后，进行开沟作业，开沟完成后通过混合酸进行两次清洗，时间各5min，清洗后再利用大量去离子水冲洗，进行玻璃烧结钝化，玻璃网膜形成后，再进行镀膜，即在玻璃网膜之上淀积一层二氧化硅保护膜，二次光刻除去引线孔上的二氧化硅层，再进行镀镍，经检验合格进行切割形成芯片，再将含有钨电极的电极引线焊接在芯片的两端，再将保护罩套接在管芯的外侧，将插杆与插槽配合使用，电极引线与引线槽配合使用，再将右固定板通过正方形固定块、连接杆和正方形固定槽与左固定板连接，形成保护机构，将保护机构安装在高压硅堆本体外侧，有利于进行生产。
附图说明
图1是本发明的整体结构图；
图2是本发明的高压硅堆本体内部结构图；
图3是本发明的高压硅堆本体结构图；
图4是本发明的整体俯视图；
图5是本发明的左固定板内部结构图；
图6是本发明的左固定板内部结构图；
图7是本发明的右固定板内部结构图；
图8是本发明的高压硅堆生产工艺流程图；
图中标号：1、高压硅堆本体；2、保护机构；3、右固定板；4、左固定板；5、插杆；6、电极引线；7、保护罩；8、钨电极；9、管芯；10、芯片；11、正方形固定块；12、缓冲杆；13、拉杆；14、连接杆；15、正方形固定槽；16、滑槽；17、第一通孔；18、第一复位弹簧；19、卡块；20、插槽；21、引线槽；22、缓冲板；23、第二通孔；24、第二复位弹簧；25、海绵垫。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-7，本发明提供一种贴片式高压硅堆，包括高压硅堆本体1和保护机构2，高压硅堆本体1由插杆5、电极引线6、保护罩7、钨电极8和管芯9组成，钨电极8设置有两个，电极引线6焊接在钨电极8的一侧，管芯9由多个芯片10串联而成，钨电极8焊接在管芯9的对应两端，管芯9的外侧套接有保护罩7，钨电极8位于保护罩7对应两侧对应两端中心处位置处，保护罩7的对应两侧位于钨电极8对应两端位置处均粘接有插杆5，保护罩7的外侧设置有保护机构2，保护机构2由右固定板3、左固定板4、正方形固定块11、缓冲杆12、拉杆13、连接杆14、正方形固定槽15、滑槽16、第一通孔17、第一复位弹簧18、卡块19、插槽20、引线槽21、缓冲板22、第二通孔23、第二复位弹簧24和海绵垫25组成，右固定板3和左固定板4分别设置在高压硅堆本体1的对应两侧，右固定板3和左固定板4的一侧中心处均开设有引线槽21，引线槽21的一侧贴合有海绵垫25，右固定板3和左固定板4的一侧位于引线槽21对应两侧位置处均开设有插槽20，插槽20的内侧开设有第二通孔23，且第二通孔23的一端与外部空气联通，插槽20的对应两侧通过缓冲板22连接，缓冲板22的一侧中心处通过强力胶粘接有缓冲杆12，缓冲板22的一侧粘接有第二复位弹簧24，且第二复位弹簧24套接在缓冲杆12的外侧，第二复位弹簧24的另一端与插槽20内侧接触，正方形固定槽15开设有两个，正方形固定槽15位于左固定板4上插槽20的一侧，正方形固定槽15的一侧开设有滑槽16，滑槽16的一侧开设有第一通孔17，且第一通孔17穿过左固定板4一侧与空气联通，拉杆13的一端穿过第一通孔17和滑槽16内部与卡块19连接，卡块19的一侧粘接有第一复位弹簧18，且第一复位弹簧18套接在拉杆13的外侧，连接杆14设置有两个，连接杆14粘接在右固定板3上插槽20的一侧，连接杆14的一端粘接有正方形固定块11，右固定板3通过正方形固定块11、连接杆14和正方形固定槽15与左固定板4连接，插杆5与插槽20配合使用，电极引线6与引线槽21配合使用，有利于保护电极引线6，提升其使用寿命。
参见图8，一种贴片式高压硅堆生产工艺，包括如下步骤：步骤一，芯片10成型；步骤二，部件的组装；步骤三，保护机构2的安装；
其中在上述的步骤一中，将管芯9进行磷纸烧除及磷预沉积，对管芯9的双面进行喷砂，然后对其进行清洗氧化，一次光刻，光刻胶采用高抗蚀性光刻胶，管芯9背面也要用胶保护，一次光刻完毕后，进行开沟作业，开沟完成后通过混合酸进行两次清洗，时间各5min，清洗后再利用大量去离子水冲洗，进行玻璃烧结钝化，玻璃网膜形成后，再进行镀膜，即在玻璃网膜之上淀积一层二氧化硅保护膜，二次光刻除去引线孔上的二氧化硅层，再进行镀镍，经检验合格进行切割形成芯片10；
其中在上述的步骤二中，再将含有钨电极8的电极引线6焊接在芯片10的两端，再将保护罩7套接在管芯9的外侧；
其中在上述的步骤三中，将插杆5与插槽20配合使用，电极引线6与引线槽21配合使用，再将右固定板3通过正方形固定块11、连接杆14和正方形固定槽15与左固定板4连接，形成保护机构2，将保护机构2安装在高压硅堆本体1外侧。
根据上述技术方案，保护罩7为一种陶瓷材料构件，有利于绝缘。
根据上述技术方案，插杆5设置有四个，插槽20在右固定板3和左固定板4上各设置有两个，有利于配合使用。
根据上述技术方案，拉杆13通过强力胶与卡块19粘接，有利于连接。
根据上述技术方案，卡块19的外径等于滑槽16的内径，有利于配合使用。
基于上述，本发明的优点在于，本发明通过将插杆5和电极引线6分别插入到对应的插槽20和引线槽21中，同时将正方形固定块11通过连接杆14插入到正方形固定槽15中，向外侧拉动拉杆13，带动卡块19移动，从而使第一复位弹簧18受力压缩，当卡块19的一侧抵触到正方形固定槽15的一侧，松掉拉杆13，由于第一复位弹簧18的弹力作用，带动卡块19回到初始位置，使卡块19的一侧与正方形固定块11一侧接触，同时使卡块19的底部与连接杆14的外侧接触，对正方形固定块11进行卡紧固定，使右固定板3和左固定板4连接，当右固定板3和左固定板4受到挤压时，会使插杆5和电极引线6分别与缓冲板22和海绵垫25接触，同时对缓冲板22和海绵垫25进行挤压，海绵垫25起到缓冲作用，有利于保护电极引线6，同时通过缓冲板22对第二复位弹簧24进行挤压，使缓冲杆12向外移动，由于第二复位弹簧24的弹力作用，有利于进行缓冲，抵消部分挤压力，从而使电极引线6对海绵垫25的挤压力减小，有利于更好的保护电极引线6，提升其使用寿命，同时有利于运输时，防止电极引线6折弯；将管芯9进行磷纸烧除及磷预沉积，对管芯9的双面进行喷砂，然后对其进行清洗氧化，一次光刻，光刻胶采用高抗蚀性光刻胶，管芯9背面也要用胶保护，一次光刻完毕后，进行开沟作业，开沟完成后通过混合酸进行两次清洗，时间各5min，清洗后再利用大量去离子水冲洗，进行玻璃烧结钝化，玻璃网膜形成后，再进行镀膜，即在玻璃网膜之上淀积一层二氧化硅保护膜，二次光刻除去引线孔上的二氧化硅层，再进行镀镍，经检验合格进行切割形成芯片10，再将含有钨电极8的电极引线6焊接在芯片10的两端，再将保护罩7套接在管芯9的外侧，将插杆5与插槽20配合使用，电极引线6与引线槽21配合使用，再将右固定板3通过正方形固定块11、连接杆14和正方形固定槽15与左固定板4连接，形成保护机构2，将保护机构2安装在高压硅堆本体1外侧，有利于进行生产。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。