技术特征：
技术总结
本发明提供半导体器件及其制造方法，能提高半导体器件的性能。一实施方式的半导体器件具有导线(12)，其在形成于半导体芯片的绝缘膜上的开口部(13H1)处，在一个接合面(SEt1)的多个部位接合。另外，半导体器件具有以与接合面(SEt1)接触的方式封固上述半导体芯片及导线(12)的封固体。接合面(SEt1)具有供导线(12)的接合部(12B1)接合的区域(SER1)、供导线(12)的接合部(12B2)接合的区域(SER2)、以及位于区域(SER1)与区域(SER2)之间的区域(SER3)。区域(SER3)的宽度(WH3)比区域(SER1)的宽度(WH1)及区域(SER2)的宽度(WH2)小。
技术研发人员：佐藤幸弘;清原俊范
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
技术研发日：2018.03.19
技术公布日：2018.11.13