本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点成膜方法、显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术：
在显示器件领域，为了使发光器件提供多种颜色，通常划分多个像素区，如r、g、b(红、绿、蓝)亚像素结构，每个亚像素发射预定峰值波长的光，通过实现高色域覆盖。为了满足产品的色坐标cie(x,y)及亮度需求，有机发光器件通常利用微腔(micro-cavity)结构来调整光路，发光层发出光线后，会在微腔结构中经过多次反射，最终从顶电极(阴极)射出，通过调整光路可以使材料得到最优化的利用，从而提高器件的发光效率和亮度，增加器件的出光强度。
但是目前的发光器件，尤其是oled器件中，蓝色发光材料的发光效率低，寿命短，点亮一段时间后发光强度会明显变暗，与红、绿亚像素发光产生明显差异，造成屏幕老化不同步，显示失真。现有技术中一般采用增大蓝色亚像素面积来补偿这一偏差，但是也无法彻底平衡绿色和红色。
而且，在进行喷墨打印干燥成膜的过程中，由于墨滴中心和边缘的蒸发速率不同，边缘部分干燥速率更快，随着墨边缘部分溶剂的不断挥发，发生毛细补偿流动现象，带动部分溶质向边缘部分迁移，形成攀爬现象，这种现象容易造成显示面板显示不均匀的问题，影响出光效率及显示效果。
技术实现要素：
本发明的目的旨在提供一种量子点成膜方法、显示面板及其制作方法、显示装置，以解决由成膜材料的攀爬现象带来的显示不均问题。
为了实现上述目的，本发明提供以下技术方案：
本发明首先提供了一种量子点成膜方法，包括：
在待形成量子点层的邻接膜层上形成磁性光致量子点涂层；
施加磁场，使所述磁性光致量子点涂层中的磁性量子点分布于靠近所述邻接膜层所在的一侧；
对所述磁性光致量子点涂层进行干燥处理。
具体地，所述在待形成量子点层的邻接膜层上形成磁性光致量子点涂层的步骤，包括：通过喷墨打印的方式在所述待形成量子点层的邻接膜层上形成磁性光致量子点涂层。
本发明还提供了一种显示面板的制作方法，包括：
利用上述任一技术方案所述的量子点成膜方法在亚像素区域内的发光器件层上形成量子点层。
具体地，在形成所述量子点层之前，还包括：
在阵列基板上形成所述发光器件层；
在所述发光器件层上形成封装层。
优选地，所述在所述发光器件层上形成封装层之前，还包括：在所述发光器件层与所述封装层之间形成第一平坦层。
优选地，在形成第一平坦层之前，还包括：在所述发光器件层与所述第一平坦层之间形成第一封装层。
具体地，所述在阵列基板上形成所述发光器件层的步骤，包括：
在阵列基板上形成像素界定层，所述像素界定层在所述阵列基板的表面形成多个相互隔离的亚像素区域；
在所述阵列基板上依次形成层叠覆盖所述像素界定层的阳极层、发光层、阴极层。
优选地，所述发光器件层中的发光层为能够发出单色蓝光的蓝色发光层，在一个像素单元所包括的各亚像素区域中至少有两个亚像素区域内分别形成有吸收蓝光而发射红光的量子点层和吸收蓝光而发射绿光的量子点层。
优选地，所述磁性光致量子点涂层中的磁性量子点的粒径为3nm～10nm。
优选地，所述亚像素区域内所述量子点层的宽度不小于所述发光器件层的宽度。
进一步地，本发明还提供一种显示面板，其由上述任一技术方案所述的显示面板的制作方法制作。
更进一步地，本发明还提供了一种显示装置，包括上述任一技术方案所述的显示面板。
相比现有技术，本发明的方案具有以下优点：
本发明提供的量子点成膜方法，通过磁场控制磁性光致量子点涂层中的磁性量子点分布于所述涂层靠近阵列基板的一面，能够有效打印在亚像素区域的磁性光致量子点涂层在干燥成膜前的攀爬，实现在亚像素区域内的精确打印，保证量子点层界面的均一性，从而提高显示面板的发光均匀性及显示效果。
本发明提供的显示面板的制作方法，通过使用发光器件层发出的蓝光激发量子点层发射非蓝光，实现量子点层发射的非蓝色光与蓝光的衰减同步，平衡非蓝色光与蓝色光的显示偏差。
本发明提供的显示面板的制作方法，利用量子点层与反射阳极之间设置封装层或/和平坦层，实现增大微腔结构的厚度提高显示面板的出光率；通过调整量子点层与反射阳极之间封装层或/和平坦层的膜层数目和膜层厚度，进一步提高显示面板的出光率。
另外，本发明提供的显示装置是在显示面板的基础上进行改进的，因此，所述显示装置自然继承了显示面板的全部优点。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本发明实施例提供的量子点成膜方法的流程示意图；
图2为本发明实施例一提供的显示面板的制作方法的流程示意图；
图3为本发明实施例一提供的显示面板的部分结构示意图；
图4为本发明实施例一提供的显示面板的出光示意图；
图5为本发明实施例二提供显示面板的制作方法的流程示意图；
图6为本发明实施例三提供的显示面板的制作方法的流程示意图。
附图标记：
100-阵列基板、101-像素界定层、102-发光器件层、1021-阳极层、1022-发光层、1023-阴极层、103第一封装层、104第一平坦层、105-第二封装层、106-第一量子点层、107-第二平坦层、108-第三封装层、109-第二量子点层、110-第三平坦层、111-第四封装层。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。
量子点(quantumdots，简称qd)是肉眼看不到的，极其微小的无机纳米晶体。每当受到光的刺激，量子点便会发出非常纯净的有色光线。当光致发光的量子点被光击中时，可以发射出自己本身颜色的光，这些量子点与蓝色发光二极管协同工作，为显示装置背光供电。
本发明首先提供了一种量子点成膜方法，其结构示意图如图1所示，包括：
s11，在待形成量子点层的邻接膜层上形成磁性光致量子点涂层。
所述邻接膜层为其表面形成有或待形成量子点层的膜层。若在基底上形成量子点层，所述邻接膜层即为基底，若在封装层上形成量子点层，所述邻接膜层即为封装层，若在像素界定层上形成量子点层，则所述邻接膜层为像素界定层等等。所述磁性光致量子点涂层中的量子点是一种复合材料，或为半导体材料与磁性材料构成的核壳结构，所述半导体材料包括：cdse、cds、cdzns、zns、zno或znte等ⅱ-ⅵ族或ⅲ-ⅴ族半导体材料，所述磁性材料包括fe3o4、fe2o3、fept、copt等磁性材料。
所述量子点能够吸收蓝色波段(400nm～480nm)的光，发射其他可见光波段的光谱，如红色波段光谱、绿色波段光谱、黄色波段光谱等。
优选地，通过喷墨打印的方式在待形成量子点层的邻接膜层上形成磁性光致量子点涂层。喷墨打印方式的成膜速率快、材料利用率较高、可以实现大尺寸化，加工效率高，且在加工过程中不会降低成膜材料的性能。
s12，施加磁场，使所述磁性光致量子点涂层中的磁性量子点分布于靠近所述邻接膜层所在的一侧；
对所述形成有磁性光致量子点涂层的邻接膜层施加磁场，所述磁性光致量子点涂层中的磁性量子点受到磁场的磁性引力调整其在磁性光致量子涂层中的位置，如：在所述磁性光致量子点涂层靠近所述邻接膜层的一面设置磁性均匀的磁铁平面，所述磁性光致量子点涂层中的磁性量子点受到磁铁平面的磁性引力作用均匀分布于靠近所述邻接膜层所在的一侧。
s13，对所述磁性光致量子点涂层进行干燥处理。
为了使所述磁性光致量子点涂层以更加稳定的状态存在，对所述磁性光致量子点涂层进行干燥处理，可以将形成有所述磁性光致量子点涂层的邻接膜层置于干燥箱中进行干燥。所述磁性光致量子点涂层干燥后形成量子点层。
所述步骤s12与步骤s13在时间顺序上无严格限制，可以同时进行，在所述磁性光致量子点涂层完全干燥之前都可以进行步骤s12，即可以在所述磁性光致量子点涂层干燥过程中，对所述磁性光致量子点涂层施加磁场，使所述磁性光致量子点涂层中的量子点分布于靠近所述邻接膜层所在的一侧。
通过在所述邻接膜层上形成磁性光致量子点涂层，并将所述磁性光致量子点涂层中的磁性量子点分布于靠近所述邻接膜层所在的一侧，能够防止磁性光致量子点涂层材料在干燥成膜前的攀爬，保证了量子点层膜厚的均匀性，提高显示效果。
进一步地，本发明提供了一种显示面板的制作方法，包括：
利用上述任一技术方案所述的量子点成膜方法在亚像素区域内的发光器件层上形成量子点层。
通过喷墨打印等方式在亚像素区域内的发光器件层上形成所述量子点层，所述发光量子点层包括阳极层、发光层、阴极层，所述阳极层优选为反射阳极，所述发光层为能够发出单色蓝色的蓝色发光层，所述阴极层的材料优选为透明材料便于增大透光率。利用所述显示面板的制作方法，在一个像素单元所包括的各亚像素区域中至少有两个亚像素区域内分别形成有吸收蓝光而发射红光的量子点层和吸收蓝光而发射绿光的量子点层。当然，所述像素单元中的亚像素区域中还可以形成吸收蓝光而发射黄光等其他可见单色光的量子点层。
本发明提供了三种实施例具体阐述显示面板的制作方法的实施过程，具体如下：
实施例一
本实施例提供的显示面板的制作方法包括如下步骤，其流程示意图如图2所示，包括：
s21，在阵列基板上形成像素界定层，所述像素界定层在所述阵列基板上形成多个相互隔离的亚像素区域。
所述阵列基板优选柔性的阵列基板，所述像素界定层用于划分像素区域，其高度优选为1um～5um，即所述像素界定层的高度可以为1um、3um、5um等数值。所述阵列基板靠近所述像素界定层的一面被所述像素界定层分隔形成多个亚像素区域，各所述亚像素区域发射的单色光可以为肉眼可见的任一单色光，如红光、蓝光、绿光、黄光等，一个像素单元中至少包括红光亚像素区、绿光亚像素区、蓝光亚像素区。
所述像素界定层的形状优选为梯形，如所述像素界定层为正梯形，以使得后续形成在亚像素区域内的所述量子点层在阵列基板上的正投影面积不小于位于其靠近所述阵列基板一侧的发光器件层的正投影面积，防止在量子点层所在的亚像素区域有所述发光器件层发出的光漏出。
s22，在所述阵列基板上形成依次层叠覆盖所述像素界定层的发光器件层、第一封装层、第一平坦层、第二封装层。
具体地，在所述阵列基板上形成发光器件层，形成方式包括沉积、蒸镀等，所述发光器件层包括阳极层、发光层、功能层、阴极层，所述发光层优选为能够发出单色蓝光的蓝色发光层，所述发光器件层包括量子点电致发光器件或oled发光器件，所述发光器件优选为顶发光器件，所述发光器件层中的阳极层优选ito(氧化铟锡)材料制备的反射阳极；所述功能层包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层；所述阴极层优选透明材料，如，mg、ag等薄金属或izo(氧化铟锌)材料。所述发光器件层的发光主体材料的单线态和三线态能级差应小于0.5ev，所述发光主体材料优选热活化延迟荧光材料。
本发明提供的封装层用于保护其靠近所述阵列基板一侧的各器件层，包括第一封装层、第二封装层、第三封装层、第四封装层，本发明实施例所述封装层优选薄膜封装层，即所述第一封装层优选为第一薄膜封装层，其制作材料包括：氧化物，氮化物，氟化物，金属，碳化物，复合结构，硫化物，纳米薄层等透明材料，采用透明材料制备封装层有利于提高透光率。所述第一薄膜封装层的制作材料优选al2o3或sio2，制备工艺优选原子层沉积(ald)，即通过原子层沉积的方式，在所述发光器件层上形成10nm～30nm的al2o3或sio2薄膜，所述第一薄膜封装层覆盖所述发光器件层。所述第一薄膜封装层用于保护包括所述发光器件层，避免所述发光器件层受到外界环境的污染或外力的挤压破坏。
在所述第一薄膜封装层上形成第一平坦层，所述第一平坦层覆盖所述第一薄膜封装层，所述第一平坦层的材料优选为bcp(中文化学式为：2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-邻二氮杂菲)、tpbi(中文化学式为：1，3，5-三(n-苯基-2-苯并咪唑)苯)或baiq(中文化学式为：双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯酚基)铝((ii1)))等透明宽带隙(禁带宽度)有机材料，优选采用蒸镀的方式在所述第一薄膜封装层上形成10nm～20nm厚的bcp薄膜。
在所述第一平坦层上形成第二薄膜封装层，所述第二薄膜封装层的制备材料及制作工艺优选与所述第一薄膜封装层相同，在所述第一平坦层上沉积10nm～30nm的al2o3或sio2薄膜形成第二薄膜封装层，所述第二薄膜封装层覆盖所述第一平坦层，所述第二薄膜封装层用于保护所述第一平坦层至所述阵列基板之间的各器件层。
所述第一薄膜封装层、第一平坦层、第二薄膜封装层具有调节第一量子点层与所述发光器件层中反射阳极之间距离的功能，即调整第一量子点层与反射阳极构成的微腔结构的厚度，以优化出光率。
s23，在所述亚像素区域内的第二封装层上形成第一量子点层，在所述第二封装层上依次形成层叠覆盖所述第一量子点层的第二平坦层、第三封装层。
本发明实施例中，所述封装层优选为薄膜封装层，即所述第二封装层优选为第二薄膜封装层，第三封装层优选为第三薄膜封装层。本实施例中，所述待形成量子点层的邻接膜层为第二薄膜封装层，利用上述技术方案所述的量子点成膜的方法，在所述亚像素区域内的第二薄膜封装层上形成第一量子点层，具体包括：所述亚像素区域内，通过喷墨打印的方式在所述第二薄膜封装层上形成第一磁性光致量子点涂层，所述第一磁性光致量子点涂层中包括若干磁性量子点，优选地，所述磁性量子点吸收所述发光器件层发出的蓝色波段(400nm～480nm)的光，发射红色波段光谱或绿色波段光谱，所述磁性量子点为复合材料，或是半导体材料与磁性材料构成的核壳结构，所述半导体材料包括：cdse、cds、cdzns、zns、zno或znte等ⅱ-ⅵ族或ⅲ-ⅴ族半导体材料，所述磁性材料包括fe3o4、fe2o3、fept、copt等磁性材料；所述磁性量子点的粒径为3nm～10nm，即所述磁性量子点的粒径可以为3nm、6nm、10nm等，所述量子点层发射的单色光的颜色与所述磁性量子点的粒径有关。
所述第一磁性光致量子点涂层在干燥过程中或在进行干燥之前，即在磁性光致量子点涂层干燥成膜之前，利用磁场控制磁性量子点分布于所述磁性光致量子点涂层靠近所述第二薄膜封装层的一面，所述第一磁性光致量子点涂层干燥后形成第一量子点层。本发明实施例中所述第一量子点层的制作材料优选fe3o4与cdse形成的复合材料，优选在所述第二薄膜封装层上形成厚度为20nm～40nm的第一量子点层，所述第一量子点层发出的光优选红光或绿光。
在所述像素界定层上形成第一量子点层后，利用上述显示面板的制作方法制作的显示面板的部分结构示意图如图3所示。
所述第一量子点层中的磁性量子点，能够防止打印在亚像素区域的磁性光致量子点涂层在干燥成膜前在像素界定层上的攀爬，保证量子点层界面的均一性，从而提高显示面板的发光均匀性。
在所述第二薄膜封装层上形成第二平坦层，所述第二平坦层覆盖所述第一量子点层，优选地，在所述第二薄膜封装层上蒸镀20nm～30nm厚度的bcp薄膜，所述第二平坦层具有量子点膜层平坦化的功能。
在所述第二平坦层上沉积第三薄膜封装层，所述第三薄膜封装层的制作材料及制作工艺优选与所述第二薄膜封装层的制作材料及制作工艺相同，即在所述第二平坦层上沉积10nm～30nm厚的al2o3或sio2薄膜。所述第三薄膜封装层覆盖所述第二平坦层，以便更好地保护其靠近阵列基板一侧的发光器件层及第一量子点层。
s24，在另一所述亚像素区域内的第三封装层上形成第二量子点层，在所述第三封装层上依次形成层叠覆盖所述第二量子点层的第三平坦层、第四封装层。
一个像素单元至少包括红绿蓝三个亚像素区，各非蓝光亚像素区中的量子点层吸收发光器件层发出的蓝光后发射不同颜色的光，步骤s23中所述亚像素区域中已形成有第一量子点层，则优选在同一像素单元的另一所述亚像素区域内，在所述第三薄膜封装层上形成第二量子点层，所述第二量子点层的制作材料优选fe3o4与cds、zns形成的复合材料，形成方式优选与所述第一量子点层相同，在所述第三薄膜封装层上打印20nm～40nm的第二磁性光致量子点涂层，所述第二磁性光致量子点涂层在干燥成膜前，利用磁场控制所述磁性量子点分布于所述第二磁性光致量子点涂层靠近所述第三薄膜封装层的一面，对所述第二磁性光致量子点涂层进行干燥形成第二量子点层。
所述第二量子点层吸收发光器件发出的蓝光后能够发射除蓝色光和第一量子点层发出的单色光之外的单色光，即在一个像素单元中，不同亚像素区域的量子点层吸收蓝光后能够发出不同颜色的单色光。优选地，第一量子点层发出的红光或绿光，第二量子点层对应地发出绿光或红光。
所述第二量子点层中的磁性量子点，能够防止打印在亚像素区域的磁性光致量子点涂层在干燥成膜前在像素界定层上的攀爬，保证了量子点层界面的均一性，从而提高显示面板的发光均匀性。
在所述第三薄膜封装层上依次形成层叠覆盖所述第二量子点层的第三平坦层、第四薄膜封装层，具体步骤包括：在所述第三薄膜封装层上蒸镀第三平坦层，所述第三平坦层覆盖所述第二量子点层，所述第三平坦层的制作方法、制作材料及膜层厚度优选与所述第二平坦层相同，所述第三平坦层具有使第二量子点层平坦化的作用。在所述第三平坦层上沉积第四薄膜封装层，所述第四薄膜封装层的制作材料优选al2o3或sio2，在所述第三平坦层上沉积10nm～50nm的al2o3或sio2薄膜。
微腔效应是指不同能态的光子密度被重新分配，使得只有特定波长的光在复合共振腔模式后，得以在特定的角度出射，通过调节微腔结构的厚度，便可以改变微腔的发射波长，以使发光光谱的中心波长发生移动，从而改变出光效率。
本发明实施例提供的第一薄膜封装层、第一平坦层、第二薄膜封装层、第二平坦层、第三薄膜封装层均起到调整第二量子点层与反射阳极之间距离的作用，利用上述各层增大微腔结构的厚度产生微腔效应提高显示面板的出光率，利用本发明实施例提供显示面板的制作方法及制作参数制作的显示面板，所述制作参数包括：制作材料、膜层厚度等，此时显示面板的出光示意图如图4所示。其中，该本发明实施例中的量子点层发射的红光、绿光、蓝光的外量子效率分别为：9％～14％、14％～17％、10％～16％。
实施例二
本实施例提供了一种显示面板的制作方法，本实施例与实施例一不同之处在于，减少了发光器件层与第一平坦层之间的第一封装层的制作，增大了第一平坦层的厚度以补偿微腔结构的厚度。
本实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图如图5所示，包括：
s51，在阵列基板上形成像素界定层，所述像素界定层在所述阵列基板上形成多个相互隔离的亚像素区域。
所述阵列基板优选柔性的阵列基板，所述像素界定层用于划分像素区域，其高度优选为1um～5um，即所述像素界定层的高度可以为1um、3um、5um等数值。所述阵列基板靠近所述像素界定层的一面被所述像素界定层分隔形成多个亚像素区，各所述亚像素区发出的单色光可以为肉眼可见的任一单色光，如红色、蓝色、绿色、黄色等，一个像素单元中至少包括红光亚像素区、绿光亚像素区、蓝光亚像素区。
所述像素界定层的形状优选为梯形，如所述像素界定层为正梯形，以使得后续在亚像素区域内形成的所述量子点层在阵列基板上的正投影面积不小于位于其下层的发光器件层的正投影面积，防止在量子点层所在的亚像素区域有所述发光器件层发出的光漏出。
s52，在所述阵列基板上形成依次层叠覆盖所述像素界定层的发光器件层、第一平坦层、第二封装层。
所述发光器件层优选顶发光器件层，可以为量子点电致发光器件层或oled发光器件层，所述发光器件层的形成方式、结构及发光主体材料的选择优选与实施例一相同，在此不再赘述。
在所述发光器件层上蒸镀第一平坦层，所述第一平坦层用于平坦化所述发光器件层，所述第一平坦层的制作材料优选与实施例一中的第一平坦层相同，但所述第一平坦层的膜层厚度不同，本实施例中所述第一平坦层的膜层厚度为20nm～30nm，如所述第一平坦层可以为20nm、25nm、30nm等厚度。
所述第一平坦层的厚度比实施例一中的第一平坦层大，增大所述平坦层的厚度以补偿实施例一中的第一薄膜封装层对微腔结构厚度的影响。
优选原子层沉积的方法在所述第一平坦层上形成第二封装层，所述第二封装层覆盖所述第一平坦层及发光器件层，本实施例所述的封装层优选薄膜封装层，即所述第二封装层优选为第二薄膜封装层，所述第二薄膜封装层的制作材料、膜层厚度优选与实施例一中的第二薄膜封装层相同，所述第二薄膜封装层用于保护所述第一平坦层至所述阵列基板之间的各器件层。
s53，在所述亚像素区域内的第二封装层上形成第一量子点层，在所述第二封装层上依次形成层叠覆盖所述第一量子点层的第二平坦层，第三封装层。
本发明实施例中，所述封装层优选为薄膜封装层。本实施例中，所述待形成量子点层的邻接膜层为第二薄膜封装层，利用上述技术方案所述的量子点成膜的方法，在所述亚像素区域内的第二薄膜封装层上形成第一量子点层，具体包括：利用喷墨打印的方式在亚像素区域内的第二薄膜封装层上形成第一磁性光致量子点涂层，所述第一磁性光致量子点涂层中包括若干磁性量子点，所述磁性量子点的结构、制作材料优选与所述实施例一中的磁性量子点相同。所述第一磁性光致量子点涂层干燥成膜之前，对所述第一磁性光致量子点涂层施加磁场，使所述磁性量子点在磁场的磁性引力下分布在所述磁性光致量子点涂层靠近所述第二薄膜封装层的一面，对所述第一磁性光致量子点涂层进行干燥处理形成第一量子点层。所述第一量子点层的制作材料及膜层厚度优选与实施例一所述的第一量子点层相同，且所述第一量子点层吸收蓝色发光层发出的蓝光后发射红光或绿光。
在所述第二封装层上依次形成层叠于所述第一量子点层的第二平坦层、第三薄膜封装层，所述第二平坦层的制作材料、制作方式及膜层厚度优选与实施例一中的第二平坦层相同，所述第三薄膜封装层的制作材料、制作方式及膜层厚度优选与实施例一中的第三薄膜封装层相同，在此不再赘述。
s54，在另一所述亚像素区域内的第二封装层上形成第二量子点层，在所述第三封装层上依次形成层叠覆盖所述第二量子点层的第三平坦层、第四封装层。
一个像素单元至少包括红绿蓝三个亚像素区，每个非蓝光亚像素区中的量子点层吸收发光器件层发出的蓝光后发射不同颜色的光，步骤s53中所述亚像素区域中已形成有第一量子点层，则优选在同一像素单元中的另一所述亚像素区域内，在所述第三薄膜封装层上形成第二量子点层，所述第二量子点层的制作材料、形成方式及膜层厚度优选与实施例一种的第二量子点层相同，在此不再赘述。
同样地，所述第二量子点层中的量子点采用磁性量子点，能够防止打印在亚像素区域的磁性光致量子点涂层在干燥成膜前在像素界定层上的攀爬，保证了量子点层界面的均一性，从而提高显示面板的发光均匀性。
在所述第三薄膜封装层上依次形成层叠覆盖所述第二量子点层的第三平坦层、第四薄膜封装层，所述第三平坦层用于使所述第二量子点层平坦化，以及调整第二量子点层与反射阳极之间构成的微腔结构的厚度，所述第四薄膜封装层用于保护位于所述第四薄膜封装层与阵列基板之间的器件层，及调整第二量子点层与反射阳极之间构成的微腔结构的厚度以增强微腔效应，进而增大出光率。所述第三平坦层的制作材料、制作方法及膜层厚度优选与实施例一中的第三平坦层相同，所述第四薄膜封装层的制作材料、制作方法及膜层厚度优选与实施例一中的第四薄膜封装层相同，在此不再赘述。
与实施例一相比，本实施例减少了一层封装层，增大了第一平坦层的厚度，同样能够实现各子像素区域颜色的衰减同步，及能够利用微腔效应提高出光效率，且制作工艺减少了一道工序，降低工艺复杂度，进而降低生产成本。
实施例三
本实施例提供了一种显示面板的制作方法，本实施例与实施二不同之处在于，减少了第二封装层与发光器件层之间的第一平坦层的制作，增大了第二封装层的厚度以补偿微腔结构的厚度。
本实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图如图6所示，包括：
s61，在阵列基板上形成像素界定层，所述像素界定层在所述阵列基板上形成多个相互隔离的亚像素区域。
所述像素界定层的尺寸及形成的亚像素区的发光情况与上一实施例相同，在此不再赘述。
s62，在所述阵列基板上形成依次层叠覆盖所述像素界定层的发光器件层、第二封装层。
所述发光器件层优选顶发光器件层，可以为量子点电致发光器件层或oled发光器件层，所述发光器件层的形成方式、结构及发光主体材料的选择优选与实施例二相同，在此不再赘述。
利用原子层沉积的方式在所述发光器件层上形成第二封装层，所述第二封装层用于保护所述发光器件层，所述第二封装层的制作材料、形成方式优选与实施例二中的第二封装层相同，所述第二封装层优选第二薄膜封装层，但所述第二薄膜封装层的膜层厚度为30nm～50nm，如所述第二薄膜封装层厚度可以为30nm、40nm、50nm等。所述第二薄膜封装层的厚度比实施例二中第二薄膜封装层大，以补偿实施例二中的第一平坦层对微腔效应的影响。
s63，在所述亚像素区域内的第二封装层上形成第一量子点层，在所述第二封装层上依次形成层叠覆盖所述第一量子点层的第二平坦层，第三封装层。
所述第一量子点层的制作方法及制作参数优选与上一实施例中的第一量子点层相同，所述制作参数包括：制作材料、膜层厚度，在此不再赘述。
所述第二平坦层的形成方法、制作材料及膜层厚度优选与上一实施例中的第二平坦层相同，在此不再赘述。
所述第三封装层优选薄膜封装层，其形成方法、制作材料及膜层厚度优选与上一实施例中的第三封装层相同，在此不再赘述。
s64，在另一所述亚像素区域内的第三封装层上形成第二量子点层，在所述第三封装层上依次形成层叠覆盖所述第二量子点层的第三平坦层、第四封装层。
所述第二量子点层、第三平坦层、第四封装层的制作方法及制作参数优选与上一实施例相同，在此不再赘述。
与实施例二相比，本实施例减少了一层平坦层，同样能够实现各子像素区域颜色的衰减同步，及能够利用微腔效应提高出光效率，且制作工艺减少了一道工序，降低工艺复杂度，进而降低生产成本。
值得说明的是，上述各功能层的制作材料及膜层厚度仅为一种优选实施情况，不限制除上述制作材料之外能够形成上述各功能层的制作材料，上述各功能层的厚度也不局限于上述优选实施例所列数值，并不能理解为对本发明实施例的限制。
进一步地，本发明还提供了一种显示面板，其包括由上述任一技术方案所述的显示面板的制作方法的制作而成。
所述显示面板包括用上述技术方案所述的量子点成膜的方法制作的量子点层，所述磁性量子点为复合材料，或是半导体材料与磁性材料构成的核壳结构，所述半导体材料包括：cdse、cds、cdzns、zns、zno或znte等ⅱ-ⅵ族或ⅲ-ⅴ族半导体材料，所述磁性材料包括fe3o4、fe2o3、fept、copt等磁性材料。所述磁性光致量子点涂层中的量子点的粒径尺寸范围包括3nm～10nm，所述磁性量子点的粒径可以为3nm、6nm、10nm等。该处磁性光致量子点涂层包括上述第一磁性光致量子点涂层及所述第二磁性光致量子点涂层，所述磁性量子点的粒径范围处于3nm～10nm时，量子点层吸收蓝光发出的单色光包括红光和绿光，如：同一制作材料，在亚像素区域a中磁性量子点粒径为3.1nm，亚像素区域b中磁性量子点粒径为9.8nm，所述亚像素区域a中的量子点层吸收发光器件层发出的蓝光发射红光，所述亚像素区域b中的量子点层吸收蓝光发射绿光。
所述亚像素区域内所述磁性光致量子点涂层的宽度不小于所述发光器件层的宽度，即亚像素区域内的量子点层在阵列基板上的正投影面积不小于位于其下层的发光器件层的正投影面积，防止在量子点层所在的亚像素区域有发光器件层发出的光漏出。
更进一步地，本发明还提供了一种显示装置，包括上述任一技术方案所述的显示面板。
所述显示装置可以为电子纸、oled面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
所述显示装置是在上述显示面板的基础上进行改进的，因此，所述显示装置自然继承了所述显示面板的全部优点。
以上所述仅是本发明的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。