相关专利申请的交叉引用
本申请要求2012年8月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2012-0093295的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体合并于此。
本发明的方面涉及薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的显示设备。
背景技术：
诸如有机发光显示设备和液晶显示设备之类的显示设备可以包括薄膜晶体管(tft)、电容器以及联接tft和电容器的导线。
显示设备可以通过在基板上形成tft、电容器和导线的精细图案来制造，并且显示设备通过tft、电容器和导线之间的复杂连接来操作。
随着对紧凑和高分辨率显示器的需求增加，越来越期望显示设备中包含的tft、电容器和导线之间的高效空间布置和连接结构。
技术实现要素：
本发明的一个或多个实施例包括具有高效的空间布置和连接结构的薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的显示设备。
根据本发明的方面，提供一种薄膜晶体管(tft)阵列基板，该薄膜晶体管(tft)阵列基板包括：第一导电层，选自tft的有源层、栅电极、源电极和漏电极；第二导电层，位于与所述第一导电层不同的层中；以及连接节点，将所述第一导电层联接至所述第二导电层。这里，所述tft阵列基板具有由第一接触孔和第二接触孔形成的节点接触孔，所述第一接触孔位于所述第一导电层中，并且所述第二接触孔位于所述第二导电层中，所述第二接触孔是与所述第一接触孔一体的并且不通过绝缘层与所述第一接触孔分离，并且所述连接节点的至少一部分位于所述节点接触孔中。
所述连接节点可以位于与所述第一导电层和所述第二导电层不同的层中。
所述第一导电层和所述第二导电层可以在所述节点接触孔所在的区域处部分重叠。
根据本发明的一个或多个实施例，所述绝缘层的边沿不位于所述第一接触孔和所述第二接触孔之间。
所述第一导电层或所述第二导电层可以位于与所述有源层相同的层中。
所述第一导电层或所述第二导电层可以包括与所述有源层相同的材料。
所述绝缘层可以包括：第一绝缘层，位于所述第一导电层与所述第二导电层之间；以及第二绝缘层，位于所述连接节点与所述第一导电层或所述第二导电层中较上面的导电层之间。所述第二绝缘层可以不位于所述第一导电层和所述第二导电层在所述节点接触孔所在的区域处部分重叠的区域。
根据本发明的另一实施例，一种显示设备包括：多个像素，每个像素包括联接至多条导线并且包括至少一个tft和至少一个电容器的像素电路、以及联接至所述像素电路的显示器件；第一导电层，位于所述像素中并且选自tft的有源层、栅电极、源电极和漏电极；第二导电层，位于所述像素中，与所述第一导电层部分重叠并且位于与所述第一导电层不同的层中；以及连接节点，联接所述第一导电层和所述第二导电层。这里，所述显示设备具有由第一接触孔和第二接触孔形成的节点接触孔，所述第一接触孔位于所述第一导电层中，并且所述第二接触孔位于所述第二导电层中，所述第二接触孔是与所述第一接触孔一体的并且不通过绝缘层与所述第一接触孔分离，并且所述连接节点的至少一部分位于所述节点接触孔中。
所述连接节点可以位于与所述第一导电层和所述第二导电层不同的层中。
所述第一导电层和所述第二导电层可以在所述节点接触孔所在的区域处部分重叠。
根据本发明的一个或多个实施例，所述绝缘层的边沿不位于所述第一接触孔和所述第二接触孔之间。
所述第二导电层可以包括电容器的电极。
所述第二导电层可以包括从所述多条导线延伸的层。
所述连接节点可以位于与所述多条导线中向所述像素电路提供数据信号的数据导线相同的层上。
所述第一导电层或所述第二导电层可以位于与所述有源层相同的层中。所述第一导电层或所述第二导电层可以包括与所述有源层相同的材料。所述第一导电层或所述第二导电层可以包括掺杂的多晶硅。
所述绝缘层可以包括：第一绝缘层，位于所述第一导电层与所述第二导电层之间；以及第二绝缘层，位于所述连接节点与所述第一导电层和所述第二导电层中较上面的导电层之间的第二绝缘层。所述第二绝缘层可以不位于所述第一导电层和所述第二导电层在所述节点接触孔所在的区域处部分重叠的区域。
所述显示器件可以包括有机发光二极管(oled)，所述有机发光二极管(oled)包括第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层。
在所述oled和所述连接节点之间可以有平坦化层。
根据本发明的又一实施例，一种显示设备包括：多个像素，每个像素包括联接至多条导线并且包括至少一个tft和至少一个电容器的像素电路、以及联接至所述像素电路的显示器件；第一导电层，位于所述多个像素中；第二导电层，位于所述像素中、与所述第一导电层部分重叠并且位于与所述第一导电层不同的层中；以及连接节点，将所述第一导电层联接至所述第二导电层。这里，所述显示设备具有由第一接触孔和第二接触孔形成的节点接触孔，所述第一接触孔位于所述第一导电层中，并且所述第二接触孔位于所述第二导电层中，所述第二接触孔是与所述第一接触孔一体的并且不通过绝缘层与所述第一接触孔分离，并且所述连接节点的至少一部分位于所述节点接触孔中。
所述第一导电层可以选自所述至少一个tft的有源层、栅电极、源电极和漏电极。
所述显示器件可以包括oled，所述oled包括第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层。
在所述oled和所述连接节点之间可以有平坦化层。
附图说明
从下面参照附图对本发明实施例的详细描述中，本发明的上述及其它特征和方面将变得更加明显，附图中：
图1是根据本发明第一实施例的有机发光显示(oled)设备的像素的示意平面图；
图2是从图1的线a-a′截取的示意截面图；
图3是图1的像素的电路图；
图4是图1的像素的截面图；
图5是根据第一对比示例的有机发光显示设备的像素的示意平面图；
图6是图5的线b-b′的示意截面图；
图7是根据本发明第二实施例的有机发光显示设备的像素的示意平面图；
图8是图7的线c-c′的示意截面图；
图9是图7的像素的电路图；
图10是图7的像素的截面图；
图11是根据第二对比示例的有机发光显示设备的像素的示意平面图；以及
图12是图11的线d-d′的示意截面图。
具体实施方式
在下面的详细描述中，仅示出和描述本发明的特定示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同方式修改所描述的实施例，只要所有方式均不背离本发明的精神或范围。因此，附图和描述在本质上应被认为是示例性的而非限制性的。
在整个说明书中，相同的附图标记代表相同的元件。在各个实施例中，具有相同构造的元件在第一实施例中通过使用相同的附图标记代表性地描述，而与第一实施例中描述的构造不同的构造在其它实施例中描述。
附图中示出的元件的尺寸和厚度是为了描述方便的目的，因此本发明不一定局限于此。为了清楚起见，层和区域的厚度可以在附图中扩大。当诸如层、膜、区域或板之类的元件被提及位于另一元件“上”时，该元件可以直接位于另一元件上，或者一个或多个中间元件可以在该元件与另一元件之间插入。此外，当一元件被提及“联接(例如电联接或连接)”至另一元件时，其可以直接联接至另一元件，或者可以通过将一个或多个中间元件插入二者之间而间接联接至另一元件。
在此整个说明书中，除非明确描述为相反，否则词语“包括”及诸如“包含”或“含有”之类的变体应被理解为指包括所声明的元件，但不排除任何其它元件。此外，在此整个说明书中，术语“上”包含上和下两个方位，而不必包含相对于重力方向的朝上方位。
虽然附图中图示出具有2tr-1cap结构的有源矩阵(am)有机发光显示(oled)设备和具有6tr-2cap结构的amoled设备，但是本发明不局限于此，其中2tr-1cap结构在单个像素中包括两个薄膜晶体管(tft)和一个电容器，而6tr-2cap结构包括六个tft和两个电容器。因此，oled设备可以在单个像素中包括多个tft和一个或多个电容器，并且可以具有多种结构，在这些结构中附加地形成导线或者省略已有导线。关于此点，像素指用来显示图像的最小单元。oled设备通过多个像素显示图像。
现在将参照图1至图4描述根据本发明第一实施例的oled设备。
图1是根据本发明第一实施例的oled设备的像素的示意平面图。图2是从图1的线a-a′截取的示意截面图。图3是图1的像素的电路图。图4是图1的像素的截面图。
如图1至图4中所示，根据本发明第一实施例的有机发光显示设备的像素100包括两个tft和一个电容器。
像素100包括有机发光器件(oled)和像素电路150，有机发光器件(oled)联接在第一电源elvdd和第二电源elvss之间，像素电路150联接在第一电源elvdd和oled之间并且控制向oled供应的驱动电源。
oled的阳电极el1联接至驱动电源线elvddl，驱动电源线elvddl经由像素电路150联接至第一电源elvdd。oled的阴电极el2联接至第二电源elvss。当从第一电源elvdd通过像素电路150供应驱动电源并且从第二电源elvss供应公共电源时，oled以与流经oled的驱动电流对应的亮度发光。
像素电路150可以包括第一tftt1、第二tftt2和第一电容器c1。
第一tftt1联接在驱动电源线elvddl和oled之间，并且在像素100的发光时段期间从第一电源elvdd向oled供应与数据信号对应的驱动电源。也就是说，第一tftt1充当像素100的驱动晶体管。第一tftt1包括第一有源层a1、第一栅电极g1、第一源电极s1和第一漏电极d1。
第一有源层a1可以包括多晶硅，并且可以包括掺有掺杂材料的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区。第一有源层a1位于缓冲层bu和栅绝缘层gi之间，缓冲层bu和栅绝缘层gi在(例如形成在)基板sub上。
第一tftt1的第一栅电极g1位于(或者布置在)栅绝缘层gi和层间绝缘层ild之间。第一栅电极g1可以通过节点接触孔nodcnt中的(例如在节点接触孔nodcnt中形成的)连接节点cnod联接至第一电容器c1的与第一栅电极g1相邻的第一电容器电极ce1。第一tftt1的第一源电极s1可以联接至驱动电源线elvddl，并且第一tftt1的第一漏电极d1可以联接至oled的阳电极el1。
第二tftt2联接在数据线dam和第一tftt1之间，并且在从扫描线scn提供扫描信号时将从数据线dam提供的数据信号传送至像素100的内部。也就是说，第二tftt2充当像素100的开关晶体管。第二tftt2包括第二有源层a2、第二栅电极g2、第二源电极s2和第二漏电极d2。
第二有源层a2可以包括多晶硅，并且可以包括掺有掺杂材料的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区。第二有源层a2位于缓冲层bu和栅绝缘层gi之间，缓冲层bu和栅绝缘层gi形成在基板sub上。
第二tftt2的第二栅电极g2可以联接至扫描线scn，并且可以位于与第一tftt1的第一栅电极g1和扫描线scn所在(例如被布置在)的层相同的层上。也就是说，栅绝缘层gi可以位于第二tftt2的第二栅电极g2和第二有源层a2之间。第二tftt2的第二源电极s2可以联接至数据线dam。第二tftt2的第二漏电极d2可以联接至第一tftt1的第一栅电极g1。
虽然根据本发明第一实施例的有机发光显示设备的第一tftt1的第一源电极s1和第一漏电极d1以及第二tftt2的第二源电极s2和第二漏电极d2分别形成在与第一有源层a1和第二有源层a2不同的层中，但是本发明的实施例不局限于此。例如，根据本发明另一实施例的有机发光显示设备的第一tftt1的第一源电极s1和第一漏电极d1以及第二tftt2的第二源电极s2和第二漏电极d2可以分别形成在与第一有源层a1和第二有源层a2相同的层中。
第一电容器c1可以用来在数据编程时段期间存储向像素100内部提供的数据信号，可以针对帧维持(或存储)数据信号，并且可以联接至第一电源elvdd和第一tftt1的第一栅电极g1。也就是说，第一电容器c1可以充当存储电容器。第一电容器c1包括第一电容器电极ce1和第二电容器电极ce2。
根据本发明的实施例，第一电容器电极ce1通过形成在节点接触孔nodcnt中的连接节点cnod联接至以上所述的第一tftt1的第一栅电极g1。第一电容器电极ce1位于(例如布置在)与第一有源层a1和第二有源层a2相同的层上。此外，第一电容器电极ce1可以由掺有掺杂材料的多晶硅形成。
第一电容器c1的第二电容器电极ce2可以联接至驱动电源线elvddl。
第一tftt1的第一漏电极d1通过通孔via联接至oled。
oled包括阳电极el1、发光层el和阴电极el2，阳电极el1位于(例如布置在)第一漏电极d1上(平坦化层pl介于阳电极el1和第一漏电极d1的至少一部分之间)并且通过通孔via联接至第一漏电极d1，阴电极el2联接至第二电源elvss。发光层el的位置可以由像素限定层pdl限定。阴电极el2可以位于(例如布置在)像素限定层pdl上。
参照图1和图2，栅绝缘层gi位于第一电容器c1的第一电容器电极ce1和第一tftt1的第一栅电极g1之间，并且层间绝缘层ild位于第一tftt1的第一栅电极g1的至少一部分和连接节点cnod的至少一部分之间。
第一电容器c1的第一电容器电极ce1通过栅绝缘层gi和层间绝缘层ild中(例如形成在栅绝缘层gi和层间绝缘层ild中)的第一接触孔cnt1联接至连接节点cnod。第一tftt1的第一栅电极g1通过层间绝缘层ild中(例如形成在层间绝缘层ild中)的第二接触孔cnt2联接至连接节点cnod。也就是说，虽然第一电容器c1的第一电容器电极ce1和第一tftt1的第一栅电极g1位于(例如形成在)不同的层中，但是它们通过相同的连接节点cnod彼此联接。
根据本发明的一个或多个实施例，第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2不通过栅绝缘层gi或层间绝缘层ild彼此分离，而是形成一个统一的节点接触孔nodcnt。也就是说，节点接触孔nodcnt是在没有栅绝缘层gi或层间绝缘层ild的边沿的情况下一体地形成的。
第一电容器c1的第一电容器电极ce1和第一tftt1的第一栅电极g1可以包括位于节点接触孔nodcnt所在的区域处的部分重叠区ol。根据本发明的一个或多个实施例，层间绝缘层ild不形成在部分重叠区ol中。在本发明中，从第二接触孔cnt2中除去重叠区ol的部分称之为第一大致平坦表面，而与第一接触孔cnt1对应的部分称之为第二大致平坦表面。
可替代地，如果形成节点接触孔nodcnt的第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2是分离的，则绝缘层被形成作为第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2之间的边沿。然而，由于根据本发明实施例的第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2不是彼此分离的而是相反地一体形成的，所以在第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2之间不形成边沿，这降低了在设计像素时用于形成边沿的设计余量，因此使空间利用最大化。这种减小的空间可以用来增大电容器的面积，从而实现高分辨率像素设计。
现在将描述根据第一对比示例的有机发光显示设备。图5是根据第一对比示例的有机发光显示设备的像素100_c的示意平面图。图6是图5的线b-b′的示意截面图。
参照图5和图6，尽管有机发光显示设备的像素100_c与本发明第一实施例一样包括两个tftt1和t2以及一个电容器c1，但是节点接触孔nodcnt中存在差异。现在将描述节点接触孔nodcnt在第一实施例和第一对比示例之间的差异。
在第一对比示例中，第一电容器c1的第一电容器电极ce1和第一tftt1的第一栅电极g1不重叠，而是彼此分离。
第一电容器c1的第一电容器电极ce1通过第一接触孔cnt1联接至连接节点cnod，第一接触孔cnt1位于栅绝缘层gi和层间绝缘层ild中。
栅绝缘层gi位于第一tftt1的第一有源层a1和第一栅电极g1之间。层间绝缘层ild位于第一栅电极g1和连接节点cnod之间。第一栅电极g1通过第二接触孔cnt2联接至连接节点cnod，第二接触孔cnt2位于层间绝缘层ild中。
在第一对比示例中，与上面描述的第一实施例不同，第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2不统一成一个接触孔，而相反，边沿bk位于第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2之间，并且位于第一栅电极g1和栅绝缘层gi上，使得节点接触孔nodcnt的部分被边沿bk分离。因此，设计余量可能被分配以形成绝缘层作为第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2之间的边沿bk，并且空间利用可能在设计像素时被限制。因此，由于空间限制，电容器的大面积不能被设计，这对高分辨率像素设计是不利的。
现在将参照图7至图10描述根据本发明第二实施例的有机发光显示设备。
图7是根据本发明第二实施例的有机发光显示设备的像素200的示意平面图。
图8是图7的线c-c′的示意截面图。图9是图7的像素200的电路图。图10是图7的像素200的截面图。
参照图7至图10，根据本发明第二实施例的有机发光显示设备的像素200包括六个tft和两个电容器。
像素电路250包括第一tftt1、第二tftt2、第三tftt3、第四tftt4、第五tftt5、第六tftt6、第一电容器c1和第二电容器c2。
第一tftt1联接在驱动电源线elvddl和oled之间，并且在像素200的发光时段期间从第一电源elvdd向oled供应与数据信号对应的驱动电源。也就是说，第一tftt1充当像素200的驱动晶体管。第一tftt1包括第一有源层a1、第一栅电极g1、第一源电极s1和第一漏电极d1。
第一tftt1的第一有源层a1可以包括多晶硅，并且可以包括掺有掺杂材料的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区。第一有源层a1可以位于缓冲层bu和栅绝缘层gi之间，缓冲层bu和栅绝缘层gi形成在基板sub上。
第一tftt1的第一栅电极g1可以联接至第一电容器c1的第一电容器电极ce1，并且可以位于(例如布置在)与第一扫描线scn、第二扫描线scn-1和初始化电源线vinit相同的层上。第一tftt1的第一源电极s1可以经由第五晶体管tftt5联接至驱动电源线elvddl。第一tftt1的第一漏电极d1可以经由第六tftt6联接至oled。
第二tftt2可以联接在数据线dam和第一tftt1之间，并且可以在从第一扫描线scn提供扫描信号时将从数据线dam提供的数据信号传送至像素200的内部。也就是说，第二tftt2充当像素200的开关晶体管。第二tftt2包括第二有源层a2、第二栅电极g2、第二源电极s2和第二漏电极d2。
第二tftt2的第二有源层a2可以包括多晶硅，并且可以包括掺有掺杂材料的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区。第二有源层a2可以位于缓冲层bu和栅绝缘层gi之间，缓冲层bu和栅绝缘层gi可以位于基板sub上。第二tftt2的第二栅电极g2可以联接至第一扫描线scn。第二tftt2的第二源电极s2可以联接至数据线dam。第二tftt2的第二漏电极d2可以联接至第一tftt1的第一源电极s1。
如图9中所示，第三tftt3联接在第一tftt1的第一漏电极d1和第一栅电极g1之间，并且在向像素200的内部提供数据信号时通过将第一tftt1二极管连接来补偿第一tftt1的阈值电压。也就是说，第三tftt3充当像素200的补偿晶体管。第三tftt3包括第三有源层a3、第三栅电极g3、第三源电极s3和第三漏电极d3。
第三tftt3的第三有源层a3可以包括多晶硅，并且可以包括掺有掺杂材料的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区。第三有源层a3可以位于缓冲层bu和栅绝缘层gi之间，缓冲层bu和栅绝缘层gi位于基板sub上。第三tftt3的第三栅电极g3可以联接至第一扫描线scn。第三tftt3的第三源电极s3可以联接至第一tftt1的第一漏电极d1。第三tftt3的第三漏电极d3可以联接至第一tftt1的第一栅电极g1。
根据本发明的第二实施例，第四tftt4联接在初始化电源线vinit和第一tftt1的第一栅电极g1之间；当在数据编程时段(在此时段数据信号被输入像素200中)之前的初始化时段期间从第二扫描线scn-1提供扫描信号时，第四tftt4将从初始化电源线vinit供应的初始化电源传送至像素200的内部，使得在数据编程时段期间可以将数据信号平滑地提供至像素200的内部；以及第四tftt4初始化第一tftt1。也就是说，第四tftt4充当像素200的开关晶体管。第四tftt4包括第四有源层a4、第四栅电极g4、第四源电极s4和第四漏电极d4。第四有源层a4可以包括多晶硅，并且可以包括掺有掺杂材料的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区。第四有源层a4可以位于缓冲层bu和栅绝缘层gi之间，缓冲层bu和栅绝缘层gi位于基板sub上。第四tftt4的第四栅电极g4可以联接至第二扫描线scn-1。第四tftt4的第四源电极s4可以通过经由节点接触孔nodcnt联接的连接节点cnod联接至初始化电源线vinit。第四tftt4的第四源电极s4位于与第一有源层a1至第六有源层a6相同的层上。第四tftt4的第四源电极s4可以由掺有掺杂材料的多晶硅形成。第四tftt4的第四漏电极d4可以联接至第一tftt1的第一栅电极g1。
在本发明的第二实施例中，第五tftt5联接在驱动电源线elvddl和第一tftt1之间，在像素200的非发光时段期间阻挡第一电源elvdd和第一tftt1之间的连接，并且在像素200的发光时段期间将第一电源elvdd联接至第一tftt1。也就是说，第五tftt5充当像素200的开关晶体管。第五tftt5包括第五有源层a5、第五栅电极g5、第五源电极s5和第五漏电极d5。
第五有源层a5可以包括多晶硅，并且可以包括掺有掺杂材料的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区。第五有源层a5可以位于缓冲层bu和栅绝缘层gi之间，缓冲层bu和栅绝缘层gi位于基板sub上。第五tftt5的第五栅电极g5可以联接至发光控制线en。第五tftt5的第五源电极s5可以联接至驱动电源线elvddl。第五tftt5的第五漏电极d5可以联接至第一tftt1的第一源电极s1。
第六tftt6联接在第一tftt1和oled之间，在像素200的非发光时段期间阻挡第一tftt1和oled之间的连接，并且在像素200的发光时段期间将第一tftt1联接至oled。也就是说，第六tftt6充当像素200的开关晶体管。第六tftt6包括第六有源层a6、第六栅电极g6、第六源电极s6和第六漏电极d6。
第六有源层a6可以包括多晶硅，并且可以包括掺有掺杂材料的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区。第六有源层a6可以位于缓冲层bu和栅绝缘层gi之间，缓冲层bu和栅绝缘层gi位于基板sub上。第六tftt6的第六栅电极g6可以联接至发光控制线en。第六tft的第六源电极s6可以联接至第一tftt1的第一漏电极d1。第六tftt6的第六漏电极d6可以联接至oled的阳电极。
虽然根据本发明第二实施例的有机发光显示设备(如图7所示)的第二tftt2的第二源电极s2、第四tftt4的第四源电极s4和第五tftt5的第五源电极s5分别形成在与第二有源层a2、第四有源层a4和第五有源层a5不同的层中，但是这不意味着第二源电极s2、第四源电极s4和第五源电极s5不可以分别选择性地形成在与第二有源层a2、第四有源层a4和第五有源层a5相同的层中。也就是说，第二源电极s2、第四源电极s4和第五源电极s5可以分别选择性地形成在与第二有源层a2、第四有源层a4和第五有源层a5相同的层中。
当分别选择性地形成在与第二有源层a2、第四有源层a4和第五有源层a5相同的层中的第二源电极s2、第四源电极s4和第五源电极s5通过接触孔联接至形成在与第二有源层a2、第四有源层a4和第五有源层a5不同的层中的导电层时，导电层可以包括(或者形成或者限定)第二源电极s2、第四源电极s4和第五源电极s5。
例如，在图7和图8中。虽然第四源电极s4位于与第四有源层a4相同的层中并且通过节点接触孔nodcnt联接至位于与第四有源层a4不同的层中的连接节点cnod，但是连接节点cnod的一部分包括(或形成或限定)图10中的第四源电极s4，因为连接节点cnod和形成在第四有源层a4中的第四源电极s4彼此电连接并且在功能上彼此相同。
在本发明的第二实施例中，第一电容器c1用来在数据编程时段期间存储向像素200内部提供的数据信号以及用来针对帧维持数据信号，并且联接在驱动电源线elvddl(驱动电源线elvddl联接至第一电源elvdd)和第一tftt1的第一栅电极g1(第一栅电极g1联接至初始化电源线vinit)之间。也就是说，第一电容器c1充当存储电容器。第一电容器c1包括第一电容器电极ce1和第二电容器电极ce2。第一电容器c1的第一电容器电极ce1联接至第一tftt1的第一栅电极g1(第一栅电极g1联接至初始化电源线vinit)。第二电容器电极ce2联接至驱动电源线elvddl。
第二电容器c2用来补偿由有机发光显示设备中的负载引起的电压降，并且联接在第一电容器c1的第一电容器电极c1和第一扫描线scn之间。也就是说，当电流扫描信号的电压电平变化(例如在停止提供电流扫描信号时变化)时，第二电容器c2充当升压电容器，第二电容器c2通过因联接功能升高第一tftt1的第一栅电极g1的电压对由有机发光显示设备中的负载引起的电压降进行补偿。第二电容器c2包括第三电容器电极ce3和第四电容器电极ce4。
第二电容器c2的第三电容器电极ce3联接至第一电容器c1的第一电容器电极ce1。第二电容器c2的第四电容器电极ce4联接至第一扫描线scn。
oled通过通孔via联接至第六tftt6的第六漏电极d6。
oled包括阳电极el1、发光层el和阴电极el2，阳电极el1位于(例如布置在)第六漏电极d6上(平坦化层pl介于阳电极el1和第六漏电极d6的至少一部分之间)并且通过通孔via联接至第六漏电极d6，阴电极el2联接至第二电源elvss。发光层el的位置可以由像素限定层pdl限定。阴电极el2可以设置(例如布置)在像素限定层pdl上(例如覆盖像素限定层pdl)。
参照图7和图8，栅绝缘层gi可以位于初始化电源线vinit和第四tftt4的第四源电极s4之间，并且层间绝缘层ild可以位于初始化电源线vinit和连接节点cnod的一部分之间。
根据本发明的第二实施例，初始化电源线vinit通过形成在层间绝缘层ild中的第一接触孔cnt1联接至连接节点cnod。此外，第四tftt4的第四源电极s4通过形成在栅绝缘层gi和层间绝缘层ild中的第二接触孔cnt2联接至连接节点cnod。也就是说，虽然初始化电源线vinit和第四源电极s4可以形成在不同的层中，但是它们通过相同的连接节点cnod彼此联接。
关于这一点，第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2不通过栅绝缘层gi或层间绝缘层ild彼此分离，而是相反，形成一个统一的节点接触孔nodcnt。也就是说，节点接触孔nodcnt是在没有与栅绝缘层gi或层间绝缘层ild相邻的边沿的情况下一体地形成的。
初始化电源线vinit和第四tftt4的第四源电极s4具有位于形成节点接触孔nodcnt的区域处的部分重叠区ol。层间绝缘层ild不形成在部分重叠区ol中。在本发明中，从第二接触孔cnt2中除去重叠区ol的部分称之为第一大致平坦表面，而与第一接触孔cnt1对应的部分称之为第二大致平坦表面。
通过比较，如果第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2是分离的，则绝缘层被形成作为第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2之间的边沿。然而，由于根据本发明实施例的第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2不是彼此分离的而是相反一体地形成的，所以无边沿形成在第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2之间，这降低了在设计像素时的设计余量，从而使空间利用最大化(或增大)。这种减小的空间可以用来增大电容器的面积，从而实现高分辨率的像素设计。
现在将描述根据第二对比示例的有机发光显示设备。图11是根据第二对比示例的有机发光显示设备的像素200_c的示意平面图。图12是图11的线d-d′的示意截面图。
参照图11和图12，尽管有机发光显示设备的像素200_c与本发明第二实施例一样包括六个tftt1至t6以及两个电容器c1和c2，但是节点接触孔nodcnt中存在差异。现在将描述节点接触孔nodcnt在第二实施例和第二对比示例之间的差异。
在图11和图12的对比示例中，初始化电源线vinit和第四tftt4的第四源电极s4不重叠，而是彼此分离。初始化电源线vinit通过形成在层间绝缘层ild中的第一接触孔cnt1联接至连接节点cnod。
栅绝缘层gi和层间绝缘层ild形成在第四tftt4的第四源电极s4和连接节点cnod之间。第四源电极s4通过形成在栅绝缘层gi和层间绝缘层ild中的第二接触孔cnt2联接至连接节点cnod。
因此，与上面描述的本发明第二实施例不同，第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2不统一成一个接触孔，而相反，边沿bk位于第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2之间并且位于栅绝缘层gi和初始化电源线vinit上，使得节点接触孔nodcnt被边沿bk分离(或分隔)。因此，设计余量可能被分配以形成绝缘层作为第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2之间的边沿bk，并且空间利用可能在设计像素时被限制。由于空间限制，电容器的大面积不能被设计，这对高分辨率像素设计是不利的。
虽然一体化的节点接触孔nodcnt在上面描述的第一实施例中形成在第一栅电极g1和第一电容器电极ce1之间，并且一体化的节点接触孔nodcnt在上面描述的第二实施例中形成在第四源电极s4和初始化电源线vinit之间，但是这些只是实施例的一部分，并且本发明不局限于此。因此，本发明可以应用于下面的情况中，即形成在不同层中的导电层如在以上实施例中描述的那样通过一体化的接触孔联接在相邻器件或导线之间。例如，第一导电层可以选自薄膜晶体管的有源层、栅电极、源电极和漏电极，并且第二导电层位于与第一导电层不同的层中。连接节点位于与多条导线中向像素电路提供数据信号的数据导线相同的层上。
根据上面描述的本发明的薄膜晶体管阵列基板和包括薄膜晶体管阵列基板的显示设备，节点接触孔不通过绝缘层分离而是一体化形成，这与分离地形成节点接触孔相比可以减少设计余量，从而使空间利用最大化并且实现高分辨率像素设计。
尽管参照本发明的示例性实施例具体示出并描述了本发明，但是本领域普通技人员将理解，可以在不背离由下面的权利要求和它们的等同物所限定的本发明的精神和范围的情况下，在此对本发明进行形式上和细节上的各种修改。