晶片容器的气体供应装置的制作方法

本发明涉及晶片容器的气体供应装置，更详细地说涉及对收容并运送晶片的晶片容器注入吹扫气体的晶片容器的气体供应装置。

背景技术

一般，半导体元件是通过多种晶片工艺制造而成的，包括如下的工艺：用于在晶片上形成膜的沉积工艺；用于将所述膜平面化的化学/机械性研磨工艺；用于在所述膜上形成光刻胶图案的光刻工艺；利用所述光刻胶图案将所述膜形成具有电气性特性的图案的蚀刻工艺；用于在晶片的固定区域注入特定离子的离子注入工艺；用于去除晶片上的杂质的清洗工艺；用于检查形成有所述膜或者图案的晶片表面的检查工艺等。另外，包括晶片的热处理工艺。

如上所述，半导体元件是在晶片上选择性地反复执行沉积工艺、研磨工艺、光刻工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺、清洗工艺、检查工艺、热处理工艺等制造而成，为了形成这种半导体元件，晶片被运送至在各工艺中要求的特定位置。

在半导体制造工艺中，被加工的晶片是高精度物品，所以在保管和搬运时必须注意不要被外部污染物和冲击污染或损坏。特别是，在工艺进行时，在保管和搬运过程中必须注意确保晶片表面不受诸如灰尘、水分和各种有机物质之类的杂质的污染。因此，在保管和运送晶片时，晶片必须储存在独立的晶片容器中，以保护它们免受外部冲击和污染物的污染。

为此，广泛使用收容固定单位个数的多个晶片的晶片容器，诸如前开式晶圆盒(frontopeningunifiedpod；foup)。前开式晶圆盒(foup)内的晶片通过晶片运送装置的运送机器人运送至晶片工艺处理装置。

此时，在晶片出入于晶片容器内时流入的空气是被过滤的，但是在密封的前开式晶圆盒(foup)内还存在未过滤的一部分空气，而在这种空气中含有诸如氧气、水分、臭氧等的分子污染物。

从而，收容于晶片容器内的晶片表面通过从处理过的晶片中产生烟雾气体(fumegas)产生化学反应，起到导致半导体晶片的生产率降低的原因的作用。

如上所述，为了降低由收容于晶片容器内的晶片的污染物质或者内部湿度激活的化学反应，在晶片容器的气体供应装置将收容晶片的晶片容器安装预定时间来供应吹扫气体，以调节污染物质或者内部湿度。

在现有的气体供应装置中，当放置晶片容器时，喷嘴通过晶片容器的负荷下降向容器内部供应吹扫气体；当移除晶片容器时，施加于喷嘴的负荷消失，喷嘴重新上升，停止供应吹扫气体。

此时，用于使喷嘴重新上升的现有的韩国公开专利公报第10-2016-0128806号记载了一种气体供应装置，包括载置台部与气体出入部，在气体出入部内安装弹力片，对喷嘴赋予上下方向的弹力。

在韩国注册专利公报第10-1655437号记载了如下的吹扫喷嘴：在固定器内侧插入弹簧，通过相当于foup压迫喷嘴的弹力喷嘴向下侧移动的同时保持预定的压缩，以防止泄漏和破损。

在韩国注册专利公报第10-1703854号公开了如下的螺线管分离型n2清洗喷嘴，结合螺线管来一体式运作吹扫喷嘴，进而在foup安装在lpm(loadportmodule，装载端口模块)时，使lpm的喷嘴通过螺线管向下侧方向移动，之后若foup已安装在lpm，则该喷嘴通过弹簧的弹性重新向上侧方向移动，喷嘴密封地紧贴于foup，以防止泄漏。

如上所述的现有技术是在外壳与喷嘴之间设置弹簧，利用弹簧的弹力使喷嘴上升。另一方面，另一现有技术是连接喷嘴与液压或者气压缸，随着液压或者气压缸的升降来使喷嘴上升。

但是，弹簧或者液压或者气压缸提供的上升驱动力有限，即使在驱动初始阶段产生的附加负荷导致晶片容器被分离，由于对喷嘴没有被充分地提供向上的驱动力，所以喷嘴不能被充分地升高。

如果喷嘴无法充分地升高，则在未安装晶片容器的状态下也连续供应吹扫气体，因此浪费吹扫气体；由于气体供应装置未顺利驱动，因此降低晶片处理工艺的生产率；若在未充分升高的状态下安装晶片容器，则降低晶片容器与喷嘴之间的气密性，因此存在吹扫气体泄漏的问题。

技术实现要素：

(要解决的问题)

本发明是为了解决如上所述的问题而提出的，目的在于提供如下的晶片容器的气体供应装置：在从喷嘴上部分离晶片容器时，使喷嘴顺利上升，以防止吹扫气体的浪费。

另外，本发明的目的在于提供使喷嘴顺利地升降驱动进而能够提高晶片处理工艺的生产率的晶片容器的气体供应装置。

(解决问题的手段)

用于达到上述目的的本发明作为对收容并运送晶片的晶片容器注入吹扫气体的晶片容器的气体供应装置，包括：载置台部，安装有所述晶片容器；气体出入部，对应于形成在所述晶片容器的气体入口以及气体出口的位置，并包括外壳与喷嘴，其中所述外壳结合于所述载置台部，所述喷嘴升降地插入于所述外壳内并且内部形成有吹扫气体出入的流路；第一驱动部，在与所述喷嘴连接的状态下升降，并且提供上升驱动力，以使所述喷嘴上升；第二驱动部，弹性支撑所述第一驱动部，进而向所述第一驱动部上升的方向提供弹力。

优选为，所述第一驱动部包括：缸体，固定在所述载置台部下部；活塞，在所述缸体内部中进行升降；连接部，连接所述活塞与所述喷嘴，以使所述活塞与所述喷嘴同时升降；以及流体出入部，使流体出入于所述缸体与所述活塞之间的内部空间，以使所述活塞通过所述缸体内部压力上升。

优选为，所述第二驱动部包括：固定部件，固定在所述载置台部下部；移动部件，滑动地插入于所述固定部件内，并传递弹力以使所述活塞上升；以及弹性部件，设置在所述固定部件内，并弹力支撑所述移动部件，以对所述活塞提供弹力。

优选为，所述第二驱动部包括弹性部件，所述弹性部件配置在所述缸体与所述活塞之间的内部空间，并且弹性支撑所述活塞，以对所述活塞提供弹力。

优选为，述第一驱动部具有多个所述缸体，并且具有多个所述活塞，多个所述活塞分别插入于多个所述缸体，以形成多个所述内部空间的同时进行升降。

优选为，多个所述缸体由排成一列的第一、第二、第三缸体构成；多个所述活塞由第一、第二、第三活塞构成，所述第一、第二、第三活塞分别插入于所述第一、第二、第三缸体形成第一、第二、第三内部空间；所述第一、第三内部空间或者所述第二内部空间具有所述弹性部件，并且高度高于其他的内部空间。

(发明的效果)

如上所述，本发明具有第一、第二驱动部来提供能够使喷嘴上升的充分的驱动力，进而在从喷嘴上部移除晶片容器时，使喷嘴顺利上升，进而可防止吹扫气体的浪费。

另外，本发明使喷嘴顺利升降驱动，进而可提高晶片处理工艺的生产率。

另外，本发明具有多个活塞，进而可增加提供给喷嘴的上升驱动力。

另外，本发明在载置台部设置感应晶片容器是否安装的安装感应部，进而只有在载置台放置晶片容器时供应吹扫气体，在防止吹扫气体损失的同时可提高吹扫气体处理效率。

另外，本发明的安装感应部接触式或者非接触式感应晶片容器的安装与否，进而安装感应部可容易感应晶片容器安装与否。

另外，本发明将作为气体出入部的气体注入部与气体排出部分别配置在相互不同的位置，进而可使吹扫气体容易出入的同时提高吹扫气体的流动性。

附图说明

图1是示出本发明的第一实施例的晶片容器的气体供应装置的结构图。

图2是示出本发明的第一实施例的晶片容器的气体供应装置的分解图。

图3是示出本发明的第一实施例的晶片容器的气体供应装置的喷嘴上升状态的正面剖面图。

图4是图3的“a”的剖面图。

图5是示出本发明的第一实施例的晶片容器的气体供应装置的喷嘴下降状态的正面剖面图。

图6是图5的“b”的剖面图。

图7是示出本发明的第二实施例的晶片容器的气体供应装置的分解图。

图8是示出本发明的第二实施例的晶片容器的气体供应装置的喷嘴上升状态的正面剖面图。

图9是图3的“c”剖面图。

图10是图9的“d”剖面图。

图11是示出本发明第二实施例的晶片容器的气体供应装置的喷嘴下降状态的正面剖面图。

图12是图11的“e”剖面图。

图13是图12的“f”剖面图。

(附图标记说明)

10：载置台部

11：结合孔

20：气体出入部

21：外壳

22：喷嘴

23：密封部件

30：第一驱动部

31：缸体

32：活塞

33：连接部

34：流体出入部

35：内部空间

40：第二驱动部

41：固定部件

42：移动部件

43、44：弹性部件

45：支撑部件

50：安装感应部

51：推进器

52：支架

53：感应工具

100：晶片容器

具体实施方法

以下，参照附图详细说明本发明的实施例。

图1是示出本发明的第一实施例的晶片容器的气体供应装置的结构图；图2是示出本发明的第一实施例的晶片容器的气体供应装置的分解图；图3是示出本发明的第一实施例的晶片容器的气体供应装置的喷嘴上升状态的正面剖面图；图4是图3的“a”的剖面图；图5是示出本发明的第一实施例的晶片容器的气体供应装置的喷嘴下降状态的正面剖面图；图6是图5的“b”的剖面图；图7是示出本发明的第二实施例的晶片容器的气体供应装置的分解图；图8是示出本发明的第二实施例的晶片容器的气体供应装置的喷嘴上升状态的正面剖面图；图9是图3的“c”剖面图；图10是图9的“d”剖面图；图11是示出本发明第二实施例的晶片容器的气体供应装置的喷嘴下降状态的正面剖面图；图12是图11的“e”剖面图；图13是图12的“f”剖面图。

本发明的晶片容器的气体供应装置可分为第一、第二实施例，各个实施例的构成要素基本相同，但是在部分结构上存在差异。另外，在本发明的各种实施例中，对于起到相同作用的构成要素将使用相同的附图标记。

如图1所示，本发明的第一实施例的晶片容器的气体供应装置是对收容并运送诸如半导体晶片的基板的晶片容器100注入吹扫气体的晶片容器的气体供应装置，并且包括载置台部10、气体出入部20、第一驱动部30以及第二驱动部40。

晶片容器100作为以固定的单位个数收容多个晶片以在半导体制造工艺的过程中在保管以及搬运晶片时保护晶片免受来自外部的冲击与污染物质的容器，使用诸如前开式晶圆盒(frontopeningunifiedpod；foup)的晶片容器。

当然，该晶片容器100也可用于沉积工艺、研磨工艺、光刻工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺、清洗工艺、检查工艺以及热处理工艺中的至少一种工艺。

另外，对于注入于晶片容器100的吹扫气体，使用各种种类的加热的空气、未加热空气、非氧化性气体或惰性气体，以在晶片容器100内部调节湿度以及减少由污染引起的半导体晶片的氧化或受损等，而在本实施例的吹扫气体优选为使用氮气。

载置台部10作为在上面放置收容并运送诸如半导体晶片的基板的晶片容器的安装工具，设置在作为晶片容器的气体供应装置的晶片安置台前方，所述晶片容器的气体供应装置是在运送并收容半导体晶片的晶片容器时，对晶片容器注入吹扫气体，以防止晶片污染。

另外，在载置台部10上面形成有结合孔11，以对应于形成在晶片容器100下部的气体入口以及气体出口的位置来配置气体出入部10，而在结合孔11周边可设置固定气体出入部20的紧固工具，诸如螺栓等。

气体出入部20作为设置在安装晶片容器100的载置台部10对晶片容器100注入或者排放吹扫气体的气体出入工具，可由一个以上的气体注入部与气体排放部构成。

气体出入部20向载置台部10的上面凸出，以对应于形成在晶片容器100下部的气体入口以及气体出口。另外，该气体出入部20在与晶片容器100的接触的部位粘合或者固定结合密封部件23。

气体注入部是设置在载置台部10一端将吹扫气体注入于晶片容器100的注入工具；气体排放部是设置在载置台部10的另一端来排放注入于晶片容器100的吹扫气体的排放工具；如图2至图6所示，气体注入部与气体排放部包括外壳21、喷嘴22以及密封部件23。

气体注入部与气体排放部配置在相互不同的位置，因此容易注入和排放吹扫气体的同时可提高吹扫气体在晶片容器100内的流动性。

外壳21结合固定在载置台部10的下部，并且内部形成有使喷嘴22滑动的插入孔，而在外壳21上面形成有结合孔，以使紧固工具介入来结合于载置台部10。

喷嘴22作为升降地插入在外壳21的插入孔内并且是吹扫气体流动的流路部件，内部中央部位流路，所述流路形成贯通上端与下端的贯通孔以使吹扫气体出入。

另外，喷嘴22的上端凸出形成，以与晶片容器100的气体入口或者气体出口接触或者接合并连通，而喷嘴22的下端介入弯管24连接供应吹扫气体的气体供应工具的供应管或者排放吹扫气体的气体排放工具的排放管。

喷嘴22的上端从载置台部10上面凸出形成，进而容易掌握容器100与喷嘴22接触时的接触位置，同时可防止晶片容器100受损。

密封部件23作为气密部件，设置在喷嘴22上部，在载置台部10的上面安装晶片容器100时密封喷嘴22与晶片容器100之间，可由套管和密封垫构成。

套管23a是为了保护从载置台部10上面露出的喷嘴22上端周围而设置在喷嘴22上部的保护部件，大致形成圆筒形状的轴支撑筒形状，并且优选为由硬质橡胶等缓冲材料构成，进而在放置晶片容器100时减少冲击负荷。

密封垫23b作为在放置晶片容器100时与晶片容器100接触并设置在套管的上面以保持气密性的气密垫，相比于硬质橡胶的套管，优选由气密材料制成，例如具有比套管的硬质橡胶更柔软的软橡胶。

套管23a与密封垫23b强制嵌合可固定在喷嘴22上部。

例如，在喷嘴22上部外周围形成有凸出部22a，在凸出部22a下部外周围形成有凹槽部22b。套管23a沿内周形成有凹部，进而强制嵌入于喷嘴22的凹槽部22b，沿密封垫23b内周形成槽部，进而密封垫23b可强制嵌合于喷嘴22的凸出部22a。

另一方面，套管23a与密封垫23b可通过另外的固定部件固定在喷嘴22上部。

如上所述，在气体出入部固定结合密封部件，进而提供如下的效果：在晶片容器与气体出入部长时间接触时防止因晶片容器自重而固定或吸附密封件，并且防止喷嘴或者密封部件分离，进而可提高晶片处理工艺的生产率。

第一驱动部30在与喷嘴22连接的状态下进行升降并且提供上升驱动力使喷嘴22上升的驱动工具，由缸体31、活塞32、连接部33以及流体出入部34构成。

缸体31结合于载置台部10下部的外壳21，内部形成孔，以使活塞32升降，该孔向缸体31下部开口。可具有多个该缸体31，在第一实施例中由排成一列的第一、第二、第三缸体31a、31b、31c构成，第一、第二、第三缸体31a、31b、31c可形成一体。

活塞32升降地插入在缸体31内部中，并且随着活塞32的升降在缸体31与活塞32之间形成内部空间35。具有多个该活塞32，分别插入于多个缸体可形成多个内部空间，在第一实施例中活塞32由分别插入于第一、第二、第三缸体31a、31b、31c的第一、第二、第三活塞32a、32b、32c构成，并且第一、第二、第三活塞32a、32b、32c可形成一体以同时进行升降，第一、第二、第三缸体31a、31b、31c与第一、第二、第三活塞32a、32b、32c之间形成有第一、第二、第三内部空间35a、35b、35c。

连接部33连接活塞32喷嘴22，以使活塞32与喷嘴22同时升降，进而从活塞32向喷嘴22传递上升驱动力。

流体出入部34使流体出入于缸体31与活塞32之间的内部空间35，通过缸体31内部压力使活塞32上升。

若晶片容器100放置在喷嘴22使喷嘴22下降，则第一驱动部30使通过连接部33连接的活塞32一同下降。之后，若分离晶片容器100，则流体出入部34从内部空间35流出流体，以缩小内部空间35使活塞32上升，进而第一驱动部30对与活塞32连接的喷嘴22提供上升驱动力来使喷嘴22上升。

另外，第一驱动部30具有多个缸体与多个活塞，进而具有多个内部空间，因此通过流体压力可增加提供于喷嘴的上升驱动力。

第二驱动部40作为弹力支撑第一驱动部30向第一驱动部30上升的方向提供弹力的驱动工具，由固定部件41、移动部件42以及弹性部件43构成。

固定部件41固定在载置台部10下部，并且形成上部开口的槽，以使移动部件42在内部滑动。固定部件41通过支撑部件45与缸体31连接固定，支撑部件45固定并连接载置台部10、外壳21、缸体31中的至少一个与固定部件41。

移动部件42插入于固定部件41的槽，以在固定部件41内部滑动，并且从弹性部件43向活塞32传递弹性驱动力。移动部件42形成有上部水平剖面面积比下部扩大的扩张部，扩张部的上端通过弹力推动活塞32或者连接部33的下端。

弹性部件43内设在固定部件41的槽来弹力支撑移动部件42。由弹性部件43生成弹性驱动力通过移动部件42传递给活塞32，以使活塞32容易上升，并且可由线圈弹簧构成弹性部件43。

具体地说，在固定部件41的槽内周面与移动部件42的下部的外周面之间存在间隔，并且在该间隔空间中设置弹性部件43。弹性部件43弹力支撑固定部件41的槽底面和移动部件42的扩张部下部面之间，并且以从固定部件41上升移动部件42的方向提供弹力。

从而，第二驱动部40对活塞32提供弹力，进而提高活塞32的上升力，最终可提高喷嘴22的上升力。

以下，参照图3至图6详细说明第一实施例的晶片容器的气体供应装置的驱动过程。

图3、图4示出在晶片容器安装在载置台部10之前喷嘴22上升的状态。

如图5、6所示，若晶片容器安装在载置台部10，则喷嘴22通过晶片容器的负荷而下降，并且喷嘴22与通过连接部33连接的活塞32一同下降，随着缸体31与活塞32之间的内部空间35变大而流入流体，设置在活塞32下部的移动部件42也下降。这时，弹性部件43被压缩。

重新如图3、图4所示，若从载置台部10分离晶片容器，则晶片容器的负荷被消除，喷嘴22重新上升。此时，从内部空间35流出流体，随着内部空间35变窄而使活塞32上升，进而提高喷嘴22的上升力。另外，通过压缩的弹性部件43对活塞32的上升力施加弹力，进而能够更加提高喷嘴22的上升力。

从而，本发明的晶片容器的气体供应装置具有第一、第二驱动部，在喷嘴上升时，对喷嘴提供由流体压力生成的上升驱动力与由弹性部件生成的弹性驱动力，进而在从喷嘴上部分离晶片容器时，可使喷嘴顺利上升，防止浪费吹扫气体。

另外，使本发明的喷嘴顺利地升降驱动，进而可提高晶片处理工艺的生产率。

另外，喷嘴固定在载置台部或者接收由第一、第二驱动部提供的上升力，因此在提高晶片容器与喷嘴之间的接触支撑力的同时可提高气密性。

另一方面，本发明的晶片容器的气体供应装置还可包括安装感应部50，该安装感应部50设置在载置台部10来感应是否安装晶片容器100。

安装感应部50作为设置在载置台部10的下部来感应是否安装晶片容器100的安装感应工具，以接触式或者通过诸如感应传感器等的元件非接触式地感应通过晶片容器100的安装负荷是否安装晶片容器100。

如图1所示，该安装感应部50由推进器51、支架52以及感应工具53构成，以感应在载置台部10的上面安装晶片容器100时的安装负荷。

推进器51上下升降地设置在载置台部10的上面，在安装晶片容器100时通过晶片容器100安装负荷向下方移动以提供安装与否的判断根据。

在载置台部10中安装晶片容器100的位置的下部设置支架52来支撑推进器51，以使推进器51升降，同时支架52下端设置有感应推进器51升降移动的感应工具53。

感应工具53提供一判断根据，进而在安装以及移除晶片容器100时感应通过安装负荷的升降推进器51，判断晶片容器100的安装以及移除。

对于该感应工具53可使用诸如限位传感器等各种传感器类，或者接近传感器、位置传感器、压力传感器等各种传感器，当然除此之外还可使用各种感应工具来感应推进器51的升降。

在载置台部10设置感应是否安装晶片容器100的安装感应部50，进而只在载置台部10安装晶片容器100时，供应吹扫气体，可防止吹扫气体损失的同时提高吹扫气压的处理效率。

另外，作为安装感应部以接触式或者非接触式感应是否安装晶片容器，进而可由安装感应部容易感应是否安装晶片容器。

本发明的第二实施例与第一实施例相比，在第一、第二驱动部的结构上存在差异。以下，省略与第一实施例相同的构成要素的说明，参照图7至图13以与第一实施例不同的构成要素为中心进行说明。

第一驱动部30作为在与喷嘴22连接的状态下升降并提供上升驱动力以使喷嘴22上升的驱动工具，包括缸体31、活塞32、连接部33以及流体出入部34。

缸体31固定在载置台部10下部，并且内部形成有使活塞32升降的孔，该孔向缸体31上部开口。可具有多个该缸体31，在第二实施例中由配置成一列的第一、第二、第三缸体31a、31b、31c构成，并且第一、第二、第三缸体31a、31b、31c可形成一体。

活塞32升降地插入在缸体31内部中，并且随着活塞32的升降在缸体31与活塞32之间形成内部空间35。具有多个该活塞32，分别插入于多个缸体可形成多个内部空间，在第二实施例中由分别插入于第一、第二、第三缸体31a、31b、31c的第一、第二、第三活塞32a、32b、32c构成，并且第一、第二、第三活塞32a、32b、32c可形成一体以同时进行升降，在第一、第二、第三缸体31a、31b、31c与第一、第二、第三活塞32a、32b、32c之间形成第一、第二、第三内部空间35a、35b、35c。

在此，第一、第三内部空间35a、35c的高度高于第二内部空间35b的高度。

连接部33连接活塞32与喷嘴22，以使活塞32与喷嘴22同时升降，进而从活塞32向喷嘴22传递上升驱动力。

流体出入部34使流体出入于缸体31与活塞32之间的内部空间35，通过缸体31内部压力使活塞32上升。

对于第一驱动部30，若晶片容器100安装在喷嘴22而使喷嘴22下降，则由连接部33连接的活塞32一同下降。之后，若移除晶片容器100，则流体出入部34向内部空间35流入流体，扩大内部空间35，以使活塞32上升，进而对与活塞32连接的喷嘴22提供上升驱动力，使喷嘴22上升。

另外，第一驱动部30具有多个缸体与多个活塞，进而具有多个内部工件，从而通过流体压力可增加提供给喷嘴的上升驱动力。

对于第一驱动部30，若晶片容器100安装在喷嘴22而使喷嘴22下降，则由连接部33连接的活塞32一同下降。之后，若移除晶片容器100，则流体出入部34向内部空间35流入流体，使活塞32上升，进而对与活塞32连接的喷嘴22提供上升驱动力使喷嘴22上升。

如上所述，具有多个缸体与多个活塞，进而可增加提供于喷嘴的上升驱动力。

第二驱动部40作为弹力支撑第一驱动部30以第一驱动部30上升的方向提供弹力的驱动工具，包括弹性部件44。

弹性部件44配置在缸体31与活塞32之间的内部空间35弹性支撑活塞32，以对活塞32提供弹力。从弹性部件44产生的弹性驱动力传递于活塞32，可使活塞32容易上升，并且可由线圈弹簧构成弹性部件44。

具体地说，弹性部件44配置在第一、第三内部空间35a、35c，第一、第三内部空间35a、35c高度高于第二内部空间35b。从而，即使活塞32下降第二活塞32b的下端接触于第二缸体31b，由于第一、第三内部空间35a、35c具有固定高度，因此可保持配置弹性部件44的空间，并且可通过第二活塞32b限制活塞32下降。

相反地，弹性部件44设置在第二内部空间35b，第二内部空间35b的高度也可高于第一、第三内部空间35a、35c。

弹性部件44上设置与否与内部空间的高度可相互不同，优选为对称于生成上升驱动力的活塞32的力中心轴，在第二实施例中活塞32的力中心轴是第二活塞32b的中心轴。

第二驱动部40对活塞32提供弹力，进而提高活塞32的上升力，最终可提高喷嘴22的上升力。

以下，参照图8至图13详细说明第二实施例的晶片容器的气体供应装置的驱动过程。

图8至图10示出在晶片容器安装在载置台部10之前喷嘴22上升的状态。

如图11至图13，若晶片容器安装在载置台部10，则喷嘴22通过晶片容器的负荷下降，喷嘴22与由连接部33连接的活塞32一同下降，并且随着缸体31与活塞32之间的内部空间35变窄而流出流体，并且压缩配置在第一、第三内部空间35a、35c的弹性部件44。

重新如图8至图10所示，若从载置台部10移除晶片容器，则晶片容器的负荷被消除，喷嘴22重新上升。此时，向内部空间35流入流体而扩大内部空间35，从而使活塞32上升，进而提高喷嘴22的上升力。另外，通过压缩的弹性部件44对活塞32的上升力施加弹力，进而能够更加提高喷嘴22的上升力。

以上说明的本发明可以在不超出其技术思想或主要特征的情况下以其他具体形式来实施。因此，所述实施例在所有方面仅是单纯的示例，且不得限定性地解释该实施例。