半导体装置及其制作工艺的制作方法

技术总结
本发明公开一种半导体装置及其制作工艺，该半导体装置包含基底、栅极结构、绝缘堆叠结构以及第一导电层。栅极结构设置在基底上，绝缘堆叠结构则部分覆盖在该栅极结构与该基底上，暴露出部分的栅极结构与部分的基底而定义出第一开口。第一导电层覆盖第一开口的表面并直接接触部分的基底与部分的栅极结构，其中，第一导电层包含设置在绝缘堆叠结构表面的两个外延翼部。

技术研发人员：万文武;郑天翔;钟坤烜
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：2018.07.27
技术公布日：2020.02.07