电磁扩增器的制作方法

文档序号:16637688发布日期:2019-01-16 07:10阅读:256来源:国知局
电磁扩增器的制作方法

本发明实施例涉及无线传输技术领域,尤其涉及一种电磁扩增器。



背景技术:

电磁扩增器,可以广泛地应用在无线充电领域和近场无线通信领域中。

现有的电磁扩增器尺寸较大,示例性的,当集成在无线充电领域终端中时,其会影响整个终端设备的尺寸和集成度,使得整个终端设备的尺寸较大,集成度较低。



技术实现要素:

有鉴于此,本发明实施例提供了一种电磁扩增器,以解决现有技术中,电磁扩增器尺寸较大的技术问题。

本发明实施例提供了一种电磁扩增器,包括:

第一导磁构件,所述第一导磁构件包括线圈放置区和非线圈放置区,所述非线圈放置区位于所述线圈放置区的边缘;

形成在位于所述线圈放置区的第一导磁构件上的第一线圈;

形成在位于所述非线圈放置区的第一导磁构件上的第二导磁构件;

形成在所述第二导磁构件上的第二线圈。

可选的,位于所述非线圈放置区的第一导磁构件的厚度小于或等于位于所述线圈放置区的第一导磁构件的厚度。

可选的,当位于所述非线圈放置区的第一导磁构件的厚度小于位于所述线圈放置区的第一导磁构件的厚度时,所述第二导磁构件和位于所述非线圈放置区的第一导磁构件的厚度之和等于位于所述线圈放置区的第一导磁构件的厚度。

可选的,位于所述非线圈放置区的第一导磁构件与所述第二导磁构件在垂直于所述第一导磁构件的厚度方向上的投影至少部分重合。

可选的,位于所述非线圈放置区的第一导磁构件在垂直于所述第一导磁构件的厚度方向上的截面图形为封闭环形;

所述第二导磁构件在垂直于所述第一导磁构件的厚度方向上的截面图形为封闭环形。

可选的,所述第一导磁构件和/或所述第二导磁构件包括多层纳米尺寸的非晶材料的叠层,所述第一导磁构件的与所述第二导磁构件的磁导率不同。

可选的,还包括基板,位于所述第一导磁构件的下方,用于支撑所述第一导磁构件或者用于支撑所述第一导磁构件和所述第二导磁构件。

可选的,还包括第一粘合层,位于所述第一导磁构件的下方,且位于所述基板的上方,用于粘合所述基板和所述第一导磁构件或者用于粘合所述基板与所述第一导磁构件以及所述第二导磁构件;

还包括第二粘合层,位于所述第一线圈的下方之间,用于粘合位于所述线圈放置区的第一导磁构件和所述第一线圈;

还包括第三粘合层,位于所述第二线圈的下方,用于粘合所述第二导磁构件和所述第二线圈。

本发明实施例提供了一种电磁扩增器,通过将第二导磁构件形成在第一导磁构件上,减小了第一导磁构件的长度延伸方向上的尺寸,以减小了电磁扩增器的尺寸。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种电磁扩增器的结构示意图;

图2为图1中的第一线圈和第二线圈的俯视图;

图3为本发明实施例提供的又一种电磁扩增器的结构示意图;

图4为本发明实施例提供的又一种电磁扩增器的结构示意图;

图5为本发明实施例提供的又一种电磁扩增器的结构示意图;

图6为本发明实施例提供的又一种电磁扩增器的结构示意图;

图7为本发明实施例提供的又一种电磁扩增器的结构示意图;

图8为本发明实施例提供的又一种电磁扩增器的结构示意图;

图9为本发明实施例提供的又一种电磁扩增器的结构示意图;

图10为本发明实施例提供的又一种电磁扩增器的结构示意图;

图11为本发明实施例提供的又一种电磁扩增器的结构示意图;

图12为本发明实施例提供的又一种电磁扩增器的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

本发明实施例提供了一种电磁扩增器。参见图1,该电磁扩增器包括:第一导磁构件10,第一导磁构件10包括线圈放置区11和非线圈放置区12,非线圈放置区12位于线圈放置区11的边缘;形成在位于线圈放置区11的第一导磁构件10上的第一线圈13;形成在位于非线圈放置区12的第一导磁构件10上的第二导磁构件20;形成在第二导磁构件20上的第二线圈21。

图2分别示出了第一线圈13的图案和第二线圈21的图案。其中第一导线部14与第一线圈13电连接,可以将外部电信号与第一导线部电连接,进而施加给第一线圈13。第二导线部22与第二线圈21电连接,可以将第二线圈21的电信号导出。

需要说明的是,第一线圈13可用作无线充电(wirelesspowercharge,wpc)线圈,第二线圈21可用作近场无线通信(nearfieldcommunication,nfc)线圈。

本发明实施例提供了一种电磁扩增器,通过将第二导磁构件形成在第一导磁构件上,减小了第一导磁构件的长度延伸方向上的尺寸,以减小了电磁扩增器的尺寸。

可选的,在上述技术方案的基础上,位于非线圈放置区的第一导磁构件的厚度小于或等于位于线圈放置区的第一导磁构件的厚度。需要说明的是,图1仅仅示出了非线圈放置区12的第一导磁构件10的厚度等于位于线圈放置区11的第一导磁构件10的厚度的情况。图3和图4示例性的示出了非线圈放置区12的第一导磁构件10的厚度小于位于线圈放置区的11第一导磁构件10的厚度的情况。

可选的,在上述技术方案的基础上,图4示出了当位于非线圈放置区12的第一导磁构件10的厚度小于位于线圈放置区11的第一导磁构件10的厚度时,第二导磁构件20和位于非线圈放置区12的第一导磁构件10的厚度之和等于位于线圈放置区11的第一导磁构件10的厚度。

需要说明的是,位于非线圈放置区的第一导磁构件的厚度小于或等于位于线圈放置区的第一导磁构件的厚度,相比现有技术而言,减小了第一导磁构件的厚度延伸方向上的尺寸,有利于制作薄型化的电磁扩增器。

可选的,在上述技术方案的基础上,位于非线圈放置区12的第一导磁构件10与第二导磁构件20在垂直于第一导磁构件10的厚度方向上的投影至少部分重合。图1、图3和图4示例性的示出的是位于非线圈放置区12的第一导磁构件10与第二导磁构件20在垂直于第一导磁构件10的厚度方向上的投影全部重合的结构示意图。图5和图6示例性的示出的是位于非线圈放置区12的第一导磁构件10与第二导磁构件20在垂直于第一导磁构件10的厚度方向上的投影部分重合的结构示意图。

可选的,在上述技术方案的基础上,位于非线圈放置区12的第一导磁构件10在垂直于第一导磁构件10的厚度方向上的截面图形为封闭环形;第二导磁构件20在垂直于第一导磁构件10的厚度方向上的截面图形为封闭环形。

可选的,在上述技术方案的基础上,第一导磁构件和/或第二导磁构件包括多层纳米尺寸的非晶材料的叠层。需要说明的是,第一导磁构件和第二导磁构件的磁导率是不相同的。其中第二导磁构件可以选择铁氧体材料。当第一导磁构件和/或第二导磁构件包括多层纳米尺寸的非晶材料的叠层时,由于纳米尺寸的非晶材料作为导磁构件可以大大减少由第一线圈向第二线圈感生磁场的过程中,由于涡电流引起的能量损耗,提高能量传输效率。其中,第一导磁构件包括多层纳米尺寸的非晶材料的叠层,由于叠层之间比较容易分离,方便对第一导磁构件进行减薄工艺,来完成位于非线圈放置区的第一导磁构件的厚度小于或等于位于线圈放置区的第一导磁构件的厚度的结构。

可选的,在上述技术方案的基础上,还包括基板,位于第一导磁构件的下方,用于支撑第一导磁构件。分别与图4、图5和图6相对应,在图7、图8和图9中,以当位于非线圈放置区12的第一导磁构件10的厚度小于位于线圈放置区11的第一导磁构件10的厚度时,第二导磁构件20和位于非线圈放置区12的第一导磁构件10的厚度之和等于位于线圈放置区11的第一导磁构件10的厚度,这种情况为例,该电磁扩增器还包括基板30,位于第一导磁构件10的下方,图7和图8示出的电磁扩增器的基板30用于支撑第一导磁构件10,图9示出的电磁扩增器的基板30用于支撑第一导磁构件10和第二导磁构件20。

可选的,在上述技术方案的基础上,分别与图7、图8和图9相对应,在图10、图11和图12中,以当位于非线圈放置区12的第一导磁构件10的厚度小于位于线圈放置区11的第一导磁构件10的厚度时,第二导磁构件20和位于非线圈放置区12的第一导磁构件10的厚度之和等于位于线圈放置区11的第一导磁构件10的厚度,这种情况为例,该电磁扩增器还包括第一粘合层31,位于基板30的上方,且位于第一导磁构件10的下方,图10和图11示出的电磁扩增器的第一粘合层31用于粘合基板30和第一导磁构件10,图12示出的电磁扩增器的一粘合层31用于粘合基板30与第一导磁构件10以及第二导磁构件20。

可选的,在上述技术方案的基础上,参见图10、图11和图12,该电磁扩增器还包括第二粘合层32,位于线圈放置区11的第一导磁构件10和第一线圈13之间,用于粘合位于线圈放置区11的第一导磁构件10和第一线圈13。

可选的,在上述技术方案的基础上,参见图10、图11和图12,该电磁扩增器还包括第三粘合层33,位于第二导磁构件20和第二线圈21之间,用于粘合第二导磁构件20和第二线圈21。

注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

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