技术特征：
技术总结
侧面接收光的硅增益光探测阵列器件的制作方法，属于光电技术领域。解决了如何提供一种蓝光量子效率高、集成度高、增益高的光侧面入射硅基雪崩光电二极管阵列器件的制作方法的问题。本发明的制作方法，先在清洁处理后的衬底的内部制作埋氧化层，将衬底分为厚薄两部分，然后在薄衬底上表面通过离子注入制作隔离区，然后制备阳极，然后制备衬底层，然后制备吸收层，然后制备场控层，然后制备雪崩层，然后制备非耗尽层，然后制备阴极，然后制备透光层，然后制备电极引线，完成封装，得到侧面接收光的硅增益光探测阵列器件。该制作方法制作的阵列器件蓝光灵敏度和量子效率高，截止频率和增益也较高。
技术研发人员：梁静秋;陶金;王维彪;张军;高丹;吕金光;秦余欣;王浩冰
受保护的技术使用者：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
技术研发日：2018.12.27
技术公布日：2019.04.30