本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置。
背景技术：
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在晶圆加工过程中，需根据需要去除晶圆表面残留的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层、石英、塑料等污染物，且不破坏晶圆的表面特性。为此，在晶圆的制造过程中需要经过多次清洗步骤。然而，随着特征尺寸的不断缩小，对晶圆制造过程中湿法清洗工艺的要求越来越高。湿法清洗通常采用化学药液和去离子水作为清洗剂，经过一系列的清洗工艺步骤，以实现对晶圆表面污染物的去除。现有技术中的晶圆湿法清洗分为槽式清洗和单片式清洗。随着对晶圆表面洁净度的要求越来越高，而单片式清洗可以降低清洗过程中的交叉污染、提高成品率，因此，现有的湿法清洗逐渐由传统的槽式清洗向单片式清洗过渡。
但是，现有的晶圆清洗装置在清洗晶圆的过程中，待清洗的晶圆是置于晶圆清洗装置的腔体中的，一旦发生中止腔体清洗制程的故障时，晶圆清洗装置就会发生报警。所述报警大部分都是由于晶圆表面残留化学试剂过多导致的。此时，工程师需要将晶圆清洗装置停机、开腔，并手动对发生报警的晶圆进行清洗。手动清洗的方式一方面操作较为繁琐，清洗效率较低；另一方面手动清洗耗时较长，化学试剂长时间的残留易造成晶圆产品的报废，手动清洗的方式也易对晶圆产品造成损伤，影响晶圆产品的良率。
因此，如何减少晶圆产品的报废、提高晶圆产品的良率，同时简化晶圆清洗的操作，是目前亟待解决的技术问题。
技术实现要素：
本实用新型提供一种晶圆清洗装置，用以解决现有的晶圆清洗装置在清洗过程中易造成晶圆产品报废的问题，提高晶圆产品的良率，同时简化晶圆清洗的操作。
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种晶圆清洗装置，包括用于容纳晶圆的腔体，还包括喷头和控制器；所述控制器，连接所述喷头，用于判断所述腔体是否发生报警，若是，则控制所述喷头向容纳于所述腔体中的晶圆喷射去离子水，以清除所述晶圆表面残留的清洗剂。
优选的，还包括第一管道和第一阀门；所述喷头设置于所述第一管道的一端开口处，所述去离子水经所述第一管道从所述喷头喷出；所述第一阀门，设置于第一管道中，且连接所述控制器，用于根据所述控制器的控制信号控制所述第一管道与所述喷头是否导通。
优选的，所述第一阀门为常关阀门。
优选的，还包括第二阀门；所述第二阀门，安装于所述第一管道与所述喷头之间，且连接所述控制器，用于根据所述控制器的控制信号调整所述去离子水从所述喷头喷出的流量。
优选的，所述喷头与所述第一管道通过一伸缩件连接，且所述伸缩件能够沿所述第一管道的轴向进行伸缩运动。
优选的，所述喷头能够围绕其与所述伸缩件的连接点在一预设范围内转动。
优选的，所述喷头呈圆弧形，且所述喷头上设置有多个喷孔，所述去离子水经所述第一管道从所述喷头上的喷孔喷出。
优选的，还包括第三阀门和第二管道；所述第二管道，设置于所述第一阀门与所述第二阀门之间，且与所述第一管道连接；所述第三阀门，设置于所述第二管道中，用于控制所述第一管道与所述第二管道是否导通。
优选的，所述第三阀门为常开阀门。
优选的，所述喷头置于所述腔体外部，所述腔体顶部设置有一开口，所述喷头喷出的去离子水经所述开口达到所述晶圆表面。
本实用新型提供的晶圆清洗装置，通过增设喷头和控制器，当控制器检测到用于容纳晶圆的腔体发生报警时，控制喷头向容纳于所述腔体中的晶圆喷射去离子水，实现了对晶圆表面残留清洗剂的自动化、智能化清除，避免了因清洗剂在晶圆表面残留而导致晶圆报废的问题，也减少了因人工清洗操作对晶圆产品良率的影响；在发生晶圆清洗装置报警时，不再需要对机台进行停机、开腔维护，简化了晶圆清洗的操作，提高了晶圆生产效率。
附图说明
附图1是本实用新型具体实施方式中晶圆清洗装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型提供的晶圆清洗装置的具体实施方式做详细说明。
本具体实施方式提供了一种晶圆清洗装置，附图1是本实用新型具体实施方式中晶圆清洗装置的结构示意图。如图1所示，本具体实施方式提供的晶圆清洗装置，包括用于容纳晶圆21的腔体10。具体来说，所述腔体10中包括设置于所述腔体10底部的支撑台102，待清洗的晶圆21置于所述支撑台102上。当对所述晶圆21进行清洗时，通过向所述晶圆21表面喷射清洗剂来除去所述晶圆21表面的杂质。然而，清洗剂一般都为酸性化学试剂，长时间在晶圆表面的残留，会影响晶圆品质，甚至导致晶圆报废。为了避免这一问题，本具体实施方式提供的晶圆清洗装置还包括喷头11和控制器12；所述控制器12，连接所述喷头11，用于判断所述腔体10是否发生报警，若是，则控制所述喷头11向容纳于所述腔体10中的晶圆21喷射去离子水20，以清除所述晶圆21表面残留的清洗剂。所述报警，是指所述腔体10出现中止清洗制程的故障时发出的报警信号。本具体实施方式通过在所述腔体10发生报警时，及时通过所述喷头11向所述晶圆21喷射去离子水20，迅速除去所述晶圆21表面残留的化学清洗剂，实现了在紧急状态下对晶圆的自动化清洗，避免了晶圆产品的报废，提高了晶圆产品的良率，也大大简化了晶圆清洗的操作，提高了晶圆清洗的效率。
为了简化所述晶圆清洗装置的整体结构，优选的，如图1所示，本具体实施方式提供的晶圆清洗装置还包括第一管道13和第一阀门14；所述喷头11设置于所述第一管道13的一端开口处，所述去离子水20经所述第一管道13从所述喷头11喷出；所述第一阀门14，设置于第一管道13中，且连接所述控制器12，用于根据所述控制器12的控制信号控制所述第一管道13与所述喷头11是否导通。在图1中，箭头表示去离子水20的流动方向。更优选的，所述第一阀门14为常关阀门。
为了提高所述晶圆清洗装置的清洗灵活性，优选的，本具体实施方式提供的晶圆清洗装置还包括第二阀门15；所述第二阀门15，安装于所述第一管道13与所述喷头11之间，且连接所述控制器12，用于根据所述控制器12的控制信号调整所述去离子水20从所述喷头11喷出的流量。这样，可以根据清洗晶圆所用清洗剂的种类、晶圆表面残留的清洗剂的量等具体条件，来灵活调整从所述喷头11喷出的去离子水20的流量，在提高去除晶圆表面残留清洗剂效率的同时，也能节省清洗时间、减少清洗成本。
为了能够将去离子水准确的喷射至晶圆表面，优选的，所述喷头11与所述第一管道13通过一伸缩件连接，且所述伸缩件能够沿所述第一管道13的轴向进行伸缩运动。更优选的，所述喷头11能够围绕其与所述伸缩件的连接点在一预设范围内转动。这样，可以根据晶圆的具体尺寸和/或腔体的大小，通过伸缩件的伸缩运动调整所述喷头11与所述晶圆21的距离，使得从所述喷头11喷出的去离子水20能够落在所述晶圆21表面，避免去离子水的浪费；同时，通过转动所述喷头11，调整去离子水20从所述喷头11喷出的角度，从而使得去离子水能够准确的落在所述晶圆21的中心，进一步提高了清除所述晶圆21表面残留清洗剂的效果。或者，更优选的，所述喷头11呈圆弧形，且所述喷头11上设置有多个喷孔，所述去离子水20经所述第一管道13从所述喷头11上的喷孔喷出。采用圆弧状的喷头结构，并在所述喷头11上设置多个喷孔，可以增多所述去离子水20在所述晶圆21表面的落点位置，从而更有效的提高了清除所述晶圆21表面残留清洗剂的效果。
优选的，本具体实施方式提供的晶圆清洗装置还包括第三阀门17和第二管道16；所述第二管道16，设置于所述第一阀门14与所述第二阀门15之间，且与所述第一管道13连接；所述第三阀门17，设置于所述第二管道16中，用于控制所述第一管道13与所述第二管道16是否导通。经所述第二管道16排放的去离子水，最终可以被与所述第二管道16连通的水箱22收集，以实现去离子水的循环使用，节约成本。更优选的，所述第三阀门17为常开阀门。所述第三阀门17的设置，可以确保所述去离子水20循环回路的排放，预防所述第一管道13中有机物的增长，避免对晶圆造成污染。
为了不对晶圆清洗的正常流程造成影响，优选的，所述晶圆21置于所述腔体10内部，所述喷头11置于所述腔体10外部，所述腔体10顶部设置有一开口101，所述喷头11喷出的去离子水20经所述开口101达到所述晶圆21表面。这样，在正常清洗流程下，由于喷头11置于所述腔体10外部，不会对清洗剂清洗晶圆的流程造成影响，仅在所述腔体10发生报警时，去离子水20才从所述喷头11喷出，经所述开口101到达所述晶圆21表面，以实现对晶圆的紧急清洗。
本具体实施方式提供的晶圆清洗装置，通过增设喷头和控制器，当控制器检测到用于容纳晶圆的腔体发生报警时，控制喷头向容纳于所述腔体中的晶圆喷射去离子水，实现了对晶圆表面残留清洗剂的自动化、智能化清除，避免了因清洗剂在晶圆表面残留而导致晶圆报废的问题，也减少了因人工清洗操作对晶圆产品良率的影响；在发生晶圆清洗装置报警时，不再需要对机台进行停机、开腔维护，简化了晶圆清洗的操作，提高了晶圆生产效率。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。