1.一种等离子处理器，包括：
反应腔，反应腔内下部包括位于底部的基座，基座上方用于设置基片，反应腔内还设置有进气装置；
位于反应腔外的一个气体分配器，包括多个输入端通过多个输气管道连接到多个单一气源，所述气体分配器还包括至少一个输出端通过第一进气管道连接到所述进气装置；
一个射频电源连接到所述基座；
所述第一进气管道或者多个输气管道包括管体和连接头，所述管体内壁包括一层有机聚合物涂层。
2.如权利要求1所述的等离子处理器，其特征在于，所述有机聚合物涂层厚度大于0.5um。
3.如权利要求1所述的等离子处理器，其特征在于，所述进气管道内壁口径小于5mm。
4.如权利要求2所述的等离子处理器，其特征在于，所述有机聚合物涂层厚度大于1um小于100um。
5.如权利要求1所述的等离子处理器，其特征在于，所述进气装置包括互相气体隔离第一区域和第二区域，其中第一区域向所述基片的中心区域供应反应气体，第二区域向基片的边缘区域供应反应气体。
6.如权利要求5所述的等离子处理器，其特征在于，所述气体分配器还包括一个第二输出端通过一第二进气管道连接到所述进气装置的第二区域，所述第一进气管道连接到所述进气装置的第一区域。
7.如权利要求6所述的等离子处理器，其特征在于，所述第一区域为位于反应腔顶部的第一气体喷头，第二区域为位于反应腔侧壁的第二气体喷头。
8.如权利要求6所述的等离子处理器，其特征在于，所述气体分配器可调整流入第一进气管道和第二进气管道的气体成分或者流量。
9.如权利要求1所述的等离子处理器，其特征在于，所述第一进气管道或者多个输气管道包括至少一个转弯部。
10.如权利要求1所述的等离子处理器，其特征在于，所述等离子处理器用于对基片进行刻蚀，所述基片上的图形的关键尺寸小于等于5nm。