多光路传输用半导体激光发射器封装外壳的制作方法

本实用新型属于微电子封装技术领域，更具体地说，是涉及一种多光路传输用半导体激光发射器封装外壳。

背景技术：

传统的半导体激光发射器外壳为金属墙陶瓷绝缘子结构，其整体为金属底板、金属墙体、光窗支架和光窗构成的盒体。光窗焊接在光窗支架内侧，光窗为圆形，且只能满足一路光传输要求。当需要多路光路输入时，外壳设计较为复杂，需要由多个光窗支架和多个光窗共同组成。因为此种设计方案需要多个光窗及光窗支架组合实现，成本高，且外壳体积大，不能满足高密度集成封装对外壳体积小型化，低成本的要求。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种多光路传输用半导体激光发射器封装外壳，以解决现有技术中存在的进行多光路传输时外壳体积大、成本高的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：提供一种多光路传输用半导体激光发射器封装外壳，包括金属底板和焊接于所述金属底板上的四面封闭的金属墙体，所述金属墙体为长方形结构，所述金属墙体的一个长墙壁上设有长方形窗口，所述长方形窗口的外侧设有光窗支架，所述光窗支架的外侧焊接有长方形光窗，所述金属墙体的另一个长墙壁上设有陶瓷绝缘子，所述金属墙体的端面设有封口盖板。

进一步地，所述陶瓷绝缘子为倒置的T形结构，在T形平台的上下两个表面分别设有多个金属引线。

进一步地，所述陶瓷绝缘子和所述金属墙体的端面焊接有金属环，所述封口盖板封装于所述金属环上。

进一步地，所述长方形光窗的表面设有一层增透膜。

进一步地，所述陶瓷绝缘子为氧化铝陶瓷件。

进一步地，所述金属底板的材质为钨铜、钼铜、铜钼铜、定膨胀合金4j29中的任一种。

进一步地，所述金属墙体、所述金属环和所述光窗支架的材质为定膨胀合金4j29、4j34、4j50中的任一种。

进一步地，所述长方形光窗采用蓝宝石或硼硅酸盐玻璃制成。

本实用新型提供的多光路传输用半导体激光发射器封装外壳的有益效果在于：与现有技术相比，本实用新型多光路传输用半导体激光发射器封装外壳，采用一个长方形光窗，有效降低了材料成本，且该长方形光窗焊接在封装外壳的外面，方便装架调试，提高生产效率，降低生产难度；可有效减小外壳体积，满足集成电路封装对外壳小型化要求。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的多光路传输用半导体激光发射器封装外壳的结构示意图；

图2为图1的俯视结构示意图；

图3为图1的侧视结构示意图；

图4为本实用新型实施例所采用的光窗的结构示意图；

图5为图4的俯视结构示意图。

其中，图中各附图标记：

1-陶瓷绝缘子；2-金属墙体；3-金属底板；4-光窗支架；5-长方形光窗；6-金属环。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

请一并参阅图1至图5，现对本实用新型提供的多光路传输用半导体激光发射器封装外壳进行说明。所述多光路传输用半导体激光发射器封装外壳，包括金属底板3和焊接于所述金属底板3上的四面封闭的金属墙体2，所述金属墙体2为长方形结构，所述金属墙体2的一个长墙壁上设有长方形窗口，所述长方形窗口的外侧设有光窗支架4，所述光窗支架4的外侧焊接有长方形光窗5，所述金属墙体2的另一个长墙壁上设有陶瓷绝缘子1，所述金属墙体2的端面设有封口盖板。

本实用新型提供的多光路传输用半导体激光发射器封装外壳，与现有技术相比，与传统多光路输入外壳相比，长方形光窗5钎焊的外壳具有以下显著优势：

1)将目前的多个光窗和金锡焊料改为一个长方形光窗5和一个焊料，有效降低了材料成本；

2)同时钎焊多个光窗即影响生产效率也影响产品良率，改为一个焊接长方形光窗5，可有效提高生产效率，降低生产难度，提高产品良率；

3)长方形光窗5由钎焊在外壳内侧改为钎焊在外壳外侧，方便装架调试；由于长方形光窗5为一个通透光窗，光窗整面均附有增透膜，中间无金属零件遮挡，可满足多路光路传入管壳，方便调试，满足多路传输需要；

4)可有效减小外壳体积，满足集成电路封装对外壳小型化要求。

封口盖板与外壳封口方式为平行缝焊。陶瓷绝缘子1、金属底板3、金属环6、光窗支架4、光窗和封口盖板构成密封腔体，为内部的半导体激光器芯片和电路提供气密环境保护和机械支撑。

本实用新型用于封装半导体激光发射器和发射模块，为半导体激光器提供电、热通路、机械支撑和气密环境保护。

进一步地，请参阅图1，作为本实用新型提供的多光路传输用半导体激光发射器封装外壳的一种具体实施方式，所述陶瓷绝缘子1为倒置的T形结构，在T形平台的上下两个表面分别设有多个金属引线。

进一步地，请参阅图1至图3，作为本实用新型提供的多光路传输用半导体激光发射器封装外壳的一种具体实施方式，所述陶瓷绝缘子1和所述金属墙体2的端面焊接有金属环6，所述封口盖板封装于所述金属环6上。

进一步地，参阅图4，作为本实用新型提供的多光路传输用半导体激光发射器封装外壳的一种具体实施方式，所述长方形光窗5的表面设有一层增透膜。光窗焊接在外壳外侧，光窗改为长方形光窗5，由于长方形光窗5为一个通透光窗，光窗整面均附有增透膜，中间无金属零件遮挡，可满足多路光路传入管壳，方便调试，满足多路传输需要。

进一步地，作为本实用新型提供的多光路传输用半导体激光发射器封装外壳的一种具体实施方式，所述陶瓷绝缘子1为氧化铝陶瓷件，成分为90％～96％，采用多层陶瓷工艺方法制作，金属零件采用机加工方式制作。

进一步地，作为本实用新型提供的多光路传输用半导体激光发射器封装外壳的一种具体实施方式，所述金属底板3的材质为钨铜、钼铜、铜钼铜、定膨胀合金4j29中的任一种。

进一步地，作为本实用新型提供的多光路传输用半导体激光发射器封装外壳的一种具体实施方式，所述金属墙体2、所述金属环6和所述光窗支架4的材质为定膨胀合金4j29、4j34、4j50中的任一种。

本实用新型的生产工艺流程为：瓷粉经流延工艺成带料，带料再经由冲孔，金属化印刷、叠片、层压、热切成单个生瓷件，生瓷件由高温烧结炉烧结成熟瓷件，也即陶瓷绝缘子1。熟瓷件镀镍后与金属底板3、金属墙体2、金属环6和光窗支架4等金属零件钎焊为外壳，外壳经镀金工艺后与光窗焊接为成品外壳。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。