扇出型天线封装结构的制作方法

本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种扇出型天线封装结构。

背景技术：

更低成本、更可靠、更快及更高密度的电路是集成电路封装追求的目标。在未来，集成电路封装将通过不断减小最小特征尺寸来提高各种电子元器件的集成密度。目前，常用的封装方法包括：晶圆级芯片规模封装(Wafer Level Chip Scale Packaging，WLCSP)，扇出型晶圆级封装(Fan-Out Wafer Level Package，FOWLP)，倒装芯片(Flip Chip)，叠层封装(Package on Package，POP)等等。其中，扇出型晶圆级封装由于其输入/输出端口(I/O)较多、集成灵活性较好，已成为目前较为先进的封装方法之一。

随着高科技电子产品的普及以及人们需求的增加，特别是为了配合人们移动的需求，目前，大多高科技电子产品都增加了无线通讯的功能。

一般来说，现有的天线结构通常是将天线直接制作于电路板的表面，这种作法会让天线占据额外的电路板面积，整合性较差。对于各种高科技电子产品而言，使用较大的电路板即表示高科技电子产品占据较大的体积，这与人们对高科技电子产品的小型化、便捷式的需求相违背，因此，如何减少天线所占电路板的面积，减小天线封装结构的体积以提高天线封装结构的整合性能，将是这些电子装置所需克服的问题。

鉴于此，有必要设计一种新的扇出型天线封装结构用于解决天线占据电路板的面积所引起的上述技术问题。

技术实现要素：

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种扇出型天线封装结构，用于解决现有技术中天线占据电路板的面积，所引起的天线封装结构体积大、整合性差的问题。

鉴于此，本实用新型提供一种扇出型天线封装结构，包括：

重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一面及第二面；

第一金属连接柱，位于所述重新布线层的第二面上，且与所述重新布线层电性连接；

半导体芯片，位于所述重新布线层的第二面上，且与所述重新布线层电性连接；

第一封装层，覆盖所述重新布线层、第一金属连接柱及半导体芯片，且所述第一封装层的顶面显露所述第一金属连接柱；

第一天线金属层，位于所述第一封装层的顶面上，且所述第一天线金属层与所述第一金属连接柱电性连接；

第二金属连接柱，位于所述第一天线金属层上；

第二封装层，覆盖所述第一天线金属层及第二金属连接柱，且所述第二封装层的顶面显露所述第二金属连接柱；

第二天线金属层，位于所述第二封装层的顶面上，且所述第二天线金属层与所述第二金属连接柱电性连接；以及

金属凸块，位于所述重新布线层的第一面上。

可选的，所述半导体芯片还包括与所述半导体芯片的接触焊垫相连接的金属柱及金属球中的一种或组合。

可选的，所述金属柱的侧面被所述重新布线层包覆，所述金属柱通过所述金属球与所述重新布线层电性连接。

可选的，所述第一金属连接柱的高度大于所述半导体芯片的高度。

可选的，所述第一金属连接柱与所述重新布线层之间还包括第一金属连接块，且所述第一金属连接块的横截面积大于所述第一金属连接柱；所述第二金属连接柱与所述第一天线金属层之间还包括第二金属连接块，且所述第二金属连接块的横截面积大于所述第二金属连接柱。

可选的，所述第二金属连接柱的高度小于所述第一金属连接柱的高度。

可选的，所述第一封装层包括环氧树脂层、聚酰亚胺层及硅胶层中的一种；所述第二封装层包括环氧树脂层、聚酰亚胺层及硅胶层中的一种。

可选的，所述重新布线层包括依次层叠的图形化的介质层及图形化的金属布线层。

可选的，所述介质层包括环氧树脂层、硅胶层、PI层、PBO层、BCB层、氧化硅层、磷硅玻璃层，含氟玻璃层中的一种或两种以上组合，所述金属布线层包括铜层、铝层、镍层、金层、银层、钛层中的一种或两种以上组合。

可选的，所述金属凸块包括铜金属凸块、镍金属凸块、锡金属凸块及银金属凸块中的一种。

本实用新型还提供一种扇出型天线封装方法，包括以下步骤：

S1：提供一支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；

S2：于所述分离层上形成重新布线层，所述重新布线层包括与所述分离层相接触的第一面及相对的第二面；

S3：于所述重新布线层的第二面上形成第一金属连接柱，且与所述重新布线层电性连接；

S4：提供半导体芯片，将所述半导体芯片接合于所述重新布线层的第二面上，且与所述重新布线层电性连接；

S5：采用第一封装层封装所述重新布线层、第一金属连接柱及半导体芯片，并使得所述第一封装层的顶面显露所述第一金属连接柱；

S6：于所述第一封装层的顶面上形成第一天线金属层，且所述第一天线金属层与所述第一金属连接柱电性连接；

S7：于所述第一天线金属层上形成第二金属连接柱；

S8：采用第二封装层封装所述第一天线金属层及所述第二金属连接柱，并使得所述第二封装层的顶面显露所述第二金属连接柱；

S9：于所述第二封装层的顶面上形成第二天线金属层；

S10：基于所述分离层剥离所述支撑基底，以显露所述重新布线层的第一面；以及

S11：于所述重新布线层的第一面形成金属凸块。

可选的，所述支撑基底包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种；所述分离层包括胶带及聚合物层中的一种，所述聚合物层的固化方法包括紫外固化法及热固化法中的一种。

可选的，步骤S2中形成所述重新布线层包括以下步骤：

S2-1：采用物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺于所述分离层表面形成介质层，并对所述介质层进行刻蚀形成图形化的介质层；

S2-2：采用物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺、蒸镀工艺、溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺于所述图形化的介质层表面形成金属布线层，并对所述金属布线层进行刻蚀形成图形化的金属布线层。

可选的，步骤S2中还包括由所述步骤S2-1及步骤S2-2组合形成的N次循环步骤，其中N≥1。

可选的，步骤S5中形成所述第一封装层的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种；步骤S8中形成所述第二封装层的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种。

可选的，步骤S3中形成所述第一金属连接柱包括以下步骤：

S3-1：于所述重新布线层的上表面形成第一金属连接块，所述第一金属连接块与所述重新布线层电性连接；

S3-2：采用焊线工艺于所述第一金属连接块的上表面形成所述第一金属连接柱，且所述第一金属连接块的横截面积大于所述第一金属连接柱。

可选的，步骤S7中形成所述第二金属连接柱包括以下步骤：

S7-1：于所述第一天线金属层的上表面形成第二金属连接块，所述第二金属连接块与所述第一天线金属层电性连接；

S7-2：采用焊线工艺于所述第二金属连接块的上表面形成所述第二金属连接柱，且所述第二金属连接块的横截面积大于所述第二金属连接柱。

本实用新型的扇出型天线封装结构，具有以下有益效果：

1)本实用新型采用重新布线层及贯穿封装层的金属连接柱实现多层天线金属层的整合，大大提高天线的效率及性能，提高天线封装结构的整合性；

2)本实用新型将半导体芯片置于封装层中，一方面，节省空间体积，使得封装结构的体积更小；另一方面，封装层在对金属连接柱进行封装的同时，实现对半导体芯片的封装，提高半导体芯片的稳定性、节约成本；

3)本实用新型在接合半导体芯片之前，先形成金属连接柱，提高金属连接柱与重新布线层接合面的洁净度，提高金属连接柱的稳定性；

4)本实用新型采用扇出型封装方法封装天线结构，可有效缩小封装体积，使得天线封装结构具有较高的集成度以及更好的封装性能，在半导体封装领域具有广泛的应用前景。

附图说明

图1显示为本实用新型中扇出型天线封装方法的流程示意图。

图2～图15显示为本实用新型中天线封装方法各步骤所呈现的结构示意图，其中，图15为本实用新型中扇出型天线封装结构的结构示意图。

元件标号说明

101 支撑基底

102 分离层

103 重新布线层

113 介质层

123 金属布线层

104 第一金属连接柱

114 第一金属连接块

105 半导体芯片

115 金属柱

125 金属球

106 第一封装层

107 第一天线金属层

108 第二金属连接柱

118 第二金属连接块

109 第二封装层

110 第二天线金属层

111 金属凸块

S1～S11 步骤

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1～图15。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图式中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

如图15所示，本实用新型提供一种扇出型天线封装结构，所述封装结构包括：重新布线层103、第一金属连接柱104、半导体芯片105、第一封装层106、第一天线金属层107、第二金属连接柱108、第二封装层109、第二天线金属层110及金属凸块111。

具体的，所述重新布线层103包括相对的第一面及第二面，所述第一金属连接柱104位于所述重新布线层103的第二面上，且与所述重新布线层103电性连接；所述半导体芯片105位于所述重新布线层103的第二面上，且与所述重新布线层103电性连接；所述第一封装层106覆盖所述重新布线层103、第一金属连接柱104及半导体芯片105，且所述第一封装层106的顶面显露所述第一金属连接柱104；所述第一天线金属层107位于所述第一封装层106的顶面上，且所述第一天线金属层107与所述第一金属连接柱104电性连接；所述第二金属连接柱108位于所述第一天线金属层107上；所述第二封装层109覆盖所述第一天线金属层107及第二金属连接柱108，且所述第二封装层109的顶面显露所述第二金属连接柱108；所述第二天线金属层110位于所述第二封装层109的顶面上，且所述第二天线金属层110与所述第二金属连接柱108电性连接；所述金属凸块111，位于所述重新布线层103的第一面上。本实施例中采用所述重新布线层103、第一金属连接柱104及第二金属连接柱108实现所述第一天线金属层107及第二天线金属层110的整合，可提高天线的效率与性能以及天线封装结构的整合性；将所述半导体芯片105置于所述第一封装层106中，节省空间体积，使得封装结构的体积进一步缩小，提高天线封装结构的集成度以及封装性能。

作为该实施例的进一步实施例，所述重新布线层103包括依次层叠的图形化的介质层113及图形化的金属布线层123。进一步地，所述介质层113包括环氧树脂层、硅胶层、PI层、PBO层、BCB层、氧化硅层、磷硅玻璃层，含氟玻璃层中的一种或两种以上组合，所述金属布线层123包括铜层、铝层、镍层、金层、银层、钛层中的一种或两种以上组合。所述重新布线层103中的所述介质层113及金属布线层123的具体层数及种类，此处不作过分限制。

作为该实施例的进一步实施例，所述第一金属连接柱104与所述重新布线层103之间还包括第一金属连接块114，优选为所述第一金属连接柱104位于所述第一金属连接块114的对称中心，且所述第一金属连接块114的横截面积大于所述第一金属连接柱104，从而增大所述第一金属连接块114与所述金属布线层123的接触面积，提高电性稳定性。

如图15所示，所述第一金属连接柱104位于所述重新布线层103的第二面上，通过所述第一金属连接块114与所述金属布线层123相连接。进一步的，所述第一金属连接柱104及所述第一金属连接块114的材料包括Au、Ag、Cu及Al中的一种或组合，此处不作过分限制。

作为该实施例的进一步实施例，与所述重新布线层103电性连接的所述半导体芯片105还包括与所述半导体芯片105的接触焊垫(未图示)相连接的金属柱115及金属球125中的一种或组合。所述金属柱115及金属球125可直接作为所述半导体芯片105的电性连接端，便于工艺操作，避免在所述半导体芯片105的接触焊垫上进行焊线的工艺，从而提高所述半导体芯片105的稳定性及良率。

如图15所示，所述半导体芯片105包括具有一定高度的所述金属柱115及连接于所述金属柱115的金属球125，所述金属柱115的高度范围包括25μm～250μm，所述金属柱115及金属球125的材料包括铜、镍、锡及银中的一种或组合。所述半导体芯片105的个数及种类此处不作限制。

作为该实施例的进一步实施例，所述金属柱115的侧面被所述重新布线层103中的所述介质层113所包覆，所述金属柱113通过所述金属球125与位于所述重新布线层103中的所述金属布线层123电性连接。由于具有一定高度的所述金属柱115的侧面被所述介质层113所包覆，从而可进一步地，增强所述半导体芯片105与所述重新布线层103之间的电性稳定性。而通过位于所述金属柱115的端部的所述金属球125可提高封装效率，如在所述重新布线层103上涂覆助焊剂后，将所述半导体芯片105放置于相应位置后，经回流焊后即可实现快速、便捷的将所述半导体芯片105焊接于所述重新布线层103上，实现电性连接。

作为该实施例的进一步实施例，所述第一金属连接柱104的高度大于所述半导体芯片105的高度，即所述第一金属连接柱104与所述第一金属连接块114的高度的总和大于所述半导体芯片105裸露于所述重新布线层103的第二面的高度。从而使得所述第一封装层106可覆盖所述半导体芯片105，实现对所述半导体芯片105的保护；所述第一金属连接柱104的高度大于所述半导体芯片105的高度，还可为所述第一天线金属层107的分布提供空间，即所述第一封装层106的顶面上均可分布；且所述第一金属连接柱104的高度大于所述半导体芯片105的高度，还可增大所述第一天线金属层107与所述半导体芯片105之间的间距，提高封装性能。所述第一金属连接柱104的高度优选为但不仅限于100μm～400μm。

具体的，所述第一封装层106包括环氧树脂层、聚酰亚胺层及硅胶层中的一种，所述第一封装层106的顶面为经过研磨或抛光的平整表面，以提高所述第一天线金属层107与所述第一金属连接柱104的接触性能。所述第一天线金属层107的材料可以为Au、Cu等，且所述第一天线金属层107依据性能需求，可以具有各种不同的图形，此处不做限制。

作为该实施例的进一步实施例，位于所述第一天线金属层107上的所述第二金属连接柱108与所述第一天线金属层107之间还包括第二金属连接块118，且所述第二金属连接块118的横截面积大于所述第二金属连接柱108。优选为所述第二金属连接柱108位于所述第二金属连接块118的对称中心，从而增大所述第二金属连接块118与所述第一天线金属层107的接触面积，提高电性稳定性。进一步的，所述第二金属连接柱108及所述第二金属连接块118的材料包括Au、Ag、Cu及Al中的一种或组合，此处不作过分限制。

作为该实施例的进一步实施例，所述第二金属连接柱108的高度小于所述第一金属连接柱104的高度，从而进一步缩小所述封装结构的体积。

具体的，所述第二封装层109包括环氧树脂层、聚酰亚胺层及硅胶层中的一种，所述第二封装层109的顶面为经过研磨或抛光的平整表面，以提高所述第二天线金属层110的质量。所述第二天线金属层110的材料可以为Au、Cu等，且所述第二天线金属层110依据性能需求，可以具有各种不同的图形，此处不做限制。如图15所示，所述第二天线金属层110形成于所述第二封装层109上，且所述第二天线金属层110凸置于所述第二封装层109表面上。

作为该实施例的进一步实施例，所述金属凸块111包括铜金属凸块、镍金属凸块、锡金属凸块及银金属凸块中的一种。所述金属凸块111还可包括连接于所述金属凸块111的柱状金属，此处不作限制。

如图15所示，所述半导体芯片105接合于所述重新布线层103的第二面上，所述半导体芯片105通过所述重新布线层103、所述第一金属连接柱104及所述第二金属连接柱108与所述第一天线金属层107以及所述第二天线金属层110电性连接，以实现天线的功能，依据该结构，可以通过更多的金属连接柱、封装层以及天线金属层实现更多层数的天线封装结构，此处不作限制。从而进一步实现多层天线金属层的整合，大大提高天线的效率及性能，进一步提高天线封装结构的整合性，缩小封装体积，使得天线封装结构具有较高的集成度。

如图1所示，本实施例还提供一种扇出型天线封装方法，包括以下步骤：

S1：提供一支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；

S2：于所述分离层上形成重新布线层，所述重新布线层包括与所述分离层相接触的第一面及相对的第二面；

S3：于所述重新布线层的第二面上形成第一金属连接柱，且与所述重新布线层电性连接；

S4：提供半导体芯片，将所述半导体芯片接合于所述重新布线层的第二面上，且与所述重新布线层电性连接；

S5：采用第一封装层封装所述重新布线层、第一金属连接柱及半导体芯片，并使得所述第一封装层的顶面显露所述第一金属连接柱；

S6：于所述第一封装层的顶面上形成第一天线金属层，且所述第一天线金属层与所述第一金属连接柱电性连接；

S7：于所述第一天线金属层上形成第二金属连接柱；

S8：采用第二封装层封装所述第一天线金属层及所述第二金属连接柱，并使得所述第二封装层的顶面显露所述第二金属连接柱；

S9：于所述第二封装层的顶面上形成第二天线金属层；

S10：基于所述分离层剥离所述支撑基底，以显露所述重新布线层的第一面；以及

S11：于所述重新布线层的第一面形成金属凸块。

具体的，本实施例中，在接合所述半导体芯片之前，先形成所述第一金属连接柱，提高所述第一金属连接柱与重新布线层接合面的洁净度，可提高所述第一金属连接柱的稳定性；所述第一封装层在对所述第一金属连接柱进行封装的同时，实现对所述半导体芯片的封装，提高所述半导体芯片的稳定性、节约成本；采用扇出型封装方法封装天线结构，可有效缩小封装体积，使得天线封装结构具有较高的集成度以及更好的封装性能。如图2～15所示，示意了本实用新型中天线封装方法各步骤所呈现的结构示意图。

如图2所示，首先进行步骤S1，提供一支撑基底101，于所述支撑基底101上形成分离层102。

作为该实施例的进一步实施例，所述支撑基底101包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种。在本实施例中，所述支撑基底101优选为玻璃衬底，所述玻璃衬底成本较低，容易在其表面形成所述分离层102，且能降低后续的剥离工艺的难度。

作为该实施例的进一步实施例，所述分离层102包括胶带及聚合物层中的一种，所述聚合物层首先采用旋涂工艺涂覆于所述支撑基底101表面，然后采用紫外固化或热固化工艺使其固化成型。

具体的，本实施例中，所述分离层102选用LTHC光热转换层的聚合物层，使得后续步骤S10可以基于激光对所述LTHC光热转换层进行加热，以使所述支撑基底101自所述LTHC光热转换层处相互分离。

如图3所示，然后进行步骤S2，于所述分离层102上形成重新布线层103，所述重新布线层103包括与所述分离层102连接的第一面以及相对的第二面。

作为该实施例的进一步实施例，步骤S2中，制作所述重新布线层103包括步骤：

S2-1：采用物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺于所述分离层102表面形成介质层113，并对所述介质层113进行刻蚀形成图形化的介质层113；

S2-2：采用物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺、蒸镀工艺、溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺于所述图形化的介质层113表面形成金属布线层123，并对所述金属布线层123进行刻蚀形成图形化的金属布线层123。

具体的，所述介质层113的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合。所述金属布线层123的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。根据需要，所述步骤S2中还可包括由所述步骤S2-1及步骤S2-2组合形成的N次循环步骤，其中N≥1，此处不作限制。

如图4所示，然后进行步骤S3，于所述重新布线层103的第二面上形成第一金属连接柱104，且与所述重新布线层103电性连接。

作为该实施例的进一步实施例，步骤S3中形成所述第一金属连接柱104包括以下步骤：

S3-1：于所述重新布线层103的上表面形成第一金属连接块114，所述第一金属连接块114与所述重新布线层103电性连接；

S3-2：采用焊线工艺于所述第一金属连接块114的上表面形成所述第一金属连接柱104，且所述第一金属连接块114的横截面积大于所述第一金属连接柱104，优选为所述第一金属连接柱104位于所述第一金属连接块114的对称中心，从而增大所述第一金属连接块114与所述金属布线层123的接触面积，提高电性稳定性。

具体的，所述焊线工艺包括热压焊线工艺、超声波焊线工艺及热压超声波焊线工艺中的一种；所述第一金属连接柱104及第一金属连接块114的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一种或组合。

如图5所示，接着进行步骤S4，提供半导体芯片105，将所述半导体芯片105接合于所述重新布线层103的第二面上，且与所述重新布线层103电性连接。所述半导体芯片105的个数及种类，此处不作限制。

具体的，所述半导体芯片105还包括具有一定高度的所述金属柱115及连接于所述金属柱115的金属球125，所述金属柱115的高度范围包括25μm～250μm，所述金属柱115及金属球125的材料包括铜、镍、锡及银中的一种或组合。所述金属柱115的侧面被所述重新布线层103中的所述介质层113所包覆，所述金属柱113通过所述金属球125与位于所述重新布线层103中的所述金属布线层123电性连接。由于具有一定高度的所述金属柱115的侧面被所述介质层113所包覆，从而可进一步地，增强所述半导体芯片105与所述重新布线层103之间的电性稳定性。而通过位于所述金属柱115的端部的所述金属球125可提高封装效率，如在所述重新布线层103上涂覆助焊剂后，将所述半导体芯片105放置于相应位置后，经回流焊后即可实现快速、便捷的将所述半导体芯片105焊接于所述重新布线层103上，实现电性连接。

作为该实施例的进一步实施例，所述第一金属连接柱104的高度大于所述半导体芯片105的高度，即所述第一金属连接柱104与所述第一金属连接块114的高度的总和大于所述半导体芯片105裸露于所述重新布线层103的第二面的高度。从而使得所述第一封装层106可覆盖所述半导体芯片105，实现对所述半导体芯片105的保护；所述第一金属连接柱104的高度大于所述半导体芯片105的高度，还可为所述第一天线金属层107的分布提供空间，即所述第一封装层106的顶面上均可分布；且所述第一金属连接柱104的高度大于所述半导体芯片105的高度，还可增大所述第一天线金属层107与所述半导体芯片105之间的间距，提高封装性能。所述第一金属连接柱104的高度优选为但不仅限于100μm～400μm。

如图6～7所示，接着进行步骤S5，采用第一封装层106封装所述重新布线层103、第一金属连接柱104及半导体芯片105，并使得所述第一封装层106的顶面显露所述第一金属连接柱104。

作为该实施例的进一步实施例，步骤S5中形成所述第一封装层106的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种，所述第一封装层106的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。

具体的，在形成所述第一封装层106后，还包括采用研磨或抛光的方法作用于所述第一封装层106的顶面，以提供平整的所述第一封装层106的顶面，提高后续形成的第一天线金属层的质量。

如图8所示，接着进行步骤S6，于所述第一封装层106的顶面上形成第一天线金属层107，且所述第一天线金属层107与所述第一金属连接柱104电性连接。

具体的，可先采用物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺、蒸镀工艺、溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺于所述第一封装层106的顶面形成所述第一天线金属层107，然后采用刻蚀工艺形成所需图形化的第一天线金属层107。

如图9所示，接着进行步骤S7，于所述第一天线金属层107上形成第二金属连接柱108。

作为该实施例的进一步实施例，步骤S7中形成所述第二金属连接柱108包括以下步骤：

S7-1：于所述第一天线金属层107的上表面形成第二金属连接块118，所述第二金属连接块118与所述第一天线金属层107电性连接；

S7-2：采用焊线工艺于所述第二金属连接块118的上表面形成所述第二金属连接柱108，且所述第二金属连接块118的横截面积大于所述第二金属连接柱108，优选为所述第二金属连接柱108位于所述第二金属连接块118的对称中心，从而增大所述第二金属连接块118与所述第一天线金属层107的接触面积，提高电性稳定性。

具体的，所述焊线工艺包括热压焊线工艺、超声波焊线工艺及热压超声波焊线工艺中的一种；所述第二金属连接柱108及第二金属连接块118的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一种或组合。

如图10～11所示，接着进行步骤S8，采用第二封装层109封装所述第一天线金属层107及所述第二金属连接柱108，并使得所述第二封装层109的顶面显露所述第二金属连接柱108。

作为该实施例的进一步实施例，步骤S8中形成所述第二封装层109的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种，所述第二封装层109的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。

具体的，在形成所述第二封装层109后，还包括采用研磨或抛光的方法作用于所述第二封装层109的顶面，以提供平整的所述第二封装层109的顶面，提高后续形成的第二天线金属层的质量。

如图12所示，接着进行步骤S9，于所述第二封装层109的顶面上形成第二天线金属层110，且所述第二天线金属层110与所述第二金属连接柱108电性连接。

具体的，可先采用物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺、蒸镀工艺、溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺于所述第二封装层109的顶面形成所述第二天线金属层110，然后采用刻蚀工艺形成所需图形化的第二天线金属层110。

如图13所示，接着进行步骤S10，基于所述分离层102剥离所述支撑基底101，以显露所述重新布线层103的第一面。

具体的，基于激光对所述LTHC光热转换层进行加热，以使所述支撑基底101自所述LTHC光热转换层处相互分离。

如图14～15所示，接着进行步骤S11，于所述重新布线层103的第一面形成金属凸块111。

具体的，将步骤S10中获得的封装结构翻转180度后，在所述重新布线层103的第一面上继续形成所述图形化的介质层113及图形化的金属布线层123，作为所述金属凸块111的接触层，而后在所述金属布线层123上形成所述金属凸块111。所述金属凸块111包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。所述金属凸块111还可包括连接于所述金属凸块111的柱状金属，此处不作限制。

综上所述，本实用新型的扇出型天线封装结构，具有以下有益效果：1)本实用新型采用重新布线层及贯穿封装层的金属连接柱实现多层天线金属层的整合，大大提高天线的效率及性能，提高天线封装结构的整合性；2)本实用新型将半导体芯片置于封装层中，一方面，节省空间体积，使得封装结构的体积更小；另一方面，封装层在对金属连接柱进行封装的同时，实现对半导体芯片的封装，提高半导体芯片的稳定性、节约成本；3)本实用新型在接合半导体芯片之前，先形成金属连接柱，提高金属连接柱与重新布线层接合面的洁净度，提高金属连接柱的稳定性；4)本实用新型采用扇出型封装方法封装天线结构，可有效缩小封装体积，使得天线封装结构具有较高的集成度以及更好的封装性能，在半导体封装领域具有广泛的应用前景。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。