1.一种静电吸盘，包括：
基座，所述基座具有介电第一表面，以在处理期间在其上支撑基板；和
电极，所述电极设置在所述基座内、靠近所述介电第一表面，以在使用期间促进将所述基板静电耦合至所述介电第一表面，其中所述介电第一表面具有足够的疏水性，以在当与水接触时将所述基板静电地保持在所述介电第一表面上。
2.如权利要求1所述的静电吸盘，其中所述介电第一表面包括疏水性涂层或超疏水性涂层。
3.如权利要求2所述的静电吸盘，其中所述介电第一表面包括所述疏水性涂层，并且所述疏水性涂层包括硅烷、硅氧烷或其组合。
4.如权利要求2所述的静电吸盘，其中所述介电第一表面包括所述超疏水性涂层，并且所述超疏水性涂层包括支链聚硅酸盐结构和疏水性配体。
5.如权利要求1、2、3或4所述的静电吸盘，其中所述介电第一表面被抛光成具有约8微英寸或更低的表面粗糙度(ra)的表面光洁度。
6.如权利要求1、2、3、4或5所述的静电吸盘，其中所述静电吸盘是便携式静电吸盘，配置成由基板处理设备操纵和移动。
7.如权利要求1、2、3、4、5或6所述的静电吸盘，其中当与水接触时，所述介电第一表面具有100至170度的接触角。
8.如权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的静电吸盘，其中当与水接触时，所述介电第一表面具有至少100度、至少110度、至少120度、至少130度、至少140度、至少150度、至少160度或至少170度的接触角。
9.如权利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的静电吸盘，其中所述介电第一表面具有约100mm2至约3m2的基板支撑表面积。
10.如权利要求1至9所述的静电吸盘，其中所述基座被配置成为所述静电吸盘提供足够的刚性，使得当超薄基板设置在所述静电吸盘上时，所述超薄基板能够在一个或多个处理腔室中作为片材而被处理。
11.如权利要求1或10所述的静电吸盘，其中所述基座由玻璃、氧化铝(al2o3)、氮化铝(aln)、硅(si)、不锈钢、铝、陶瓷或镍铁合金的至少一种制成。
12.如权利要求1或11所述的静电吸盘，其中所述基座包括具有类似于硅的热膨胀系数的材料。
13.如权利要求1或12所述的静电吸盘，其中基座包括穿过所述基座而形成的气体扩散孔，所述气体扩散孔将所述基座的底表面与所述介电第一表面流体耦接。
14.如权利要求1至13所述的静电吸盘，进一步包括电源，所述电源耦接至所述电极，以选择性地向所述静电吸盘提供功率。
15.一种静电吸附超薄基板的方法，包括以下步骤：
将基板静电吸附到具有介电第一表面的基座，以在处理期间在其上支撑所述基板；和将电极设置在所述基座内、靠近所述介电第一表面，以在使用期间促进将所述基板静电耦合至所述介电第一表面，其中所述介电第一表面具有足够的疏水性，以当与水接触时将所述基板静电地保持在所述基座上。