阵列基板及其制备方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术：

随着人们对显示器的光学品质的要求的提高，其中对比度会影响显示器的整体显示效果。影响显示器的对比度的众多因素中，很大一部分原因来自于环境光造成的反射。现有的显示器中的阵列基板表面会设置金属走线，而这些金属走线会增加阵列基板对光的反射，从而降低显示器的对比度。

技术实现要素：

本发明提供一种阵列基板及其制备方法，以解决现有的阵列基板上的金属走线会反射光线，降低显示器的对比度，进而影响显示的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种阵列基板，包括：设置有金属走线的衬底、设置于所述金属走线上的第一减反层、以及设置于所述第一减反层上的第二减反层；其中，所述第一减反层和所述第二减反层均覆盖所述金属走线，所述第一减反层背离所述衬底的一侧表面具有多个上窄下宽的第一凸起。

在本发明的至少一种实施例中，所述第一减反层为多个连续排列的金字塔结构。

在本发明的至少一种实施例中，相邻的第一凸起的顶点之间的距离小于400纳米，所述第一凸起的高度为200～400纳米。

在本发明的至少一种实施例中，所述第二减反层对应设置于所述金属走线的上方，所述第二减反层背离所述衬底一侧的表面具有多个上窄下宽的第二凸起。

在本发明的至少一种实施例中，所述阵列基板还包括像素电极，所述像素电极设置于所述金属走线上。

在本发明的至少一种实施例中，所述第二减反层与所述像素电极位于同一膜层。

在本发明的至少一种实施例中，所述第二减反层的材料为氧化铟锡或氧化锌。

在本发明的至少一种实施例中，所述第一减反层的材料为硅。

本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：

步骤s10，提供一形成有金属走线的衬底；

步骤s20，在所述金属走线上方形成第一减反层，所述第一减反层覆盖所述金属走线，所述第一减反层背离所述衬底的一侧表面形成有多个上窄下宽的第一凸起；

步骤s30，在所述第一减反层上形成第二减反层的同时形成像素电极，所述第二减反层覆盖所述金属走线。

在本发明的至少一种实施例中，在所述步骤s20之前还包括：在所述金属走线上形成钝化层。

本发明的有益效果为：通过在金属走线上方设置第一减反层和第二减反层，能够吸收不同角度的照射光，从而解决由于金属走线反射光造成对比度下降的问题。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例一的阵列基板的结构示意图；

图2为本发明其他实施例的第一减反层的结构示意图；

图3为本发明实施例一的阵列基板的制备方法的流程图；

图4～5为本发明实施例一的阵列基板的制作过程的结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

本发明针对现有的阵列基板，由于阵列基板上的金属走线会反射光线，降低显示器的对比度，进而影响显示的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。

如图1所示，本实施例提供一种阵列基板100，包括衬底10、金属走线20、第一减反层40、以及第二减反层50。

其中，所述金属走线20设置于所述衬底10上，所述第一减反层40设置于所述金属走线20上，所述第二减反层50设置于所述第一减反层40上。

所述第一减反层40和所述第二减反层50均对应于所述金属走线20的上方设置，所述第一减反层40和所述第二减反层50均覆盖所述金属走线20，即所述第一减反层40和所述第二减反层50在所述衬底10上的正投影均覆盖所述金属走线20在所述衬底10上的正投影。

所述第一减反层40的背离所述衬底10的一侧表面具有多个上窄下宽的第一凸起41，多个所述第一凸起41阵列分布于所述金属走线20的上方。

所述第二减反层50的背离所述衬底10的一侧表面具有多个上窄下宽的第二凸起51，多个所述第二凸起51阵列分布于所述金属走线20的上方。

相邻的所述第一凸起41的顶点之间的距离小于400纳米，所述第一凸起41的高度均为200～400纳米。所述第二凸起51的高度小于350纳米，相邻的所述第二凸起51的顶点之间的距离小于400纳米。

具体地，所述第一减反层40和所述第二减反层50均为多个连续性排列的金字塔结构，所述第一减反层40为硅材料，所述第二减反层50为氧化铟锡纳米柱材料或氧化锌纳米柱材料。所述第一减反层40和所述第二减反层50表面的多个微纳结构尺度小于可见光波长，使得光波无法辨认出该微纳结构，所述第一减反层40和所述第二减反层50的折射率均沿着其厚度方向自上而下呈连续变化，能够减少折射率急剧变化所造成的反射现象，所述第一减反层40和所述第二减反层50可吸收不同角度的环境光，从而降低下方的金属走线反射环境光造成的对比度下降的问题。

所述阵列基板100还包括钝化层30，所述钝化层30设置于所述金属走线20上，所述钝化层30包覆在所述金属走线20的表面。

所述第一减反层40和所述第二减反层50设置于所述钝化层30上。

所述阵列基板100还包括像素电极60，所述像素电极60设置于所述钝化层30上，所述像素电极60和所述第二减反层50通过同一制程工艺，形成于同一膜层的不同位置。

如图2所示，在其他实施例中，所述第一凸起41为纳米抛物线结构，除此之外，所述第一凸起41还可为纳米柱、纳米锥等结构，所述第二凸起51的结构可参考所述第一凸起41的结构设计。

如图3所示，本发明还提供一种上述实施例所述的阵列基板100的制备方法，包括以下步骤：

步骤s10，如图4所示，提供一形成有金属走线20的衬底10；

所述金属走线20包括源极、漏极、栅极等走线，所述衬底10可为玻璃基板。

步骤s20，在所述金属走线20上方形成第一减反层40，所述第一减反层40覆盖所述金属走线20，所述第一减反层40背离所述衬底10的一侧表面形成有多个上窄下宽的第一凸起41；

如图5所示，在所述步骤s20之前，还包括在所述金属走线20上制备钝化层30，所述钝化层30覆盖所述金属走线20；

之后，在所述金属走线20的正上方通过化学气相沉积法沉积一层硅层，该硅层的膜层宽度大于所述金属走线20的宽度，然后将沉积有硅材料的衬底10置于刻蚀液中进行刻蚀，所述刻蚀液可选取氢氧化钠、硅酸钠、异丙醇溶液中的一种或多种混合物，在50～100摄氏度下，刻蚀10～30分钟后，硅膜层被刻蚀成多个阵列分布的金字塔形状的第一凸起41，得到所述第一减反层40，所述第一减反层40覆盖所述金属走线20，之后将该衬底10进行清洗、干燥；

其中，经过刻蚀后，所述第一减反层40的第一凸起41的高度为200～400纳米，相邻的所述第一凸起41的顶点之间的距离小于400纳米，所述第一凸起41的图案的宽度和高度可通过调节刻蚀时间和刻蚀温度来调整。

步骤s30，如图1所示，在所述第一减反层40上形成第二减反层50的同时形成像素电极60，所述第二减反层50覆盖所述金属走线20；

通过物理气相沉积法，在经过清洗后的衬底10上沉积一层氧化铟锡薄膜，可参照现有技术的像素电极制程来实施该步骤，在所述钝化层30上相应的位置形成像素电极60的同时，形成图案化的第二减反层50，不必增加新的制程，简化工艺，节省成本；

其中，所述第二减反层50形成于所述金属走线20的正上方且覆盖所述金属走线20，所述第二减反层50包括多个阵列分布的金字塔形状的第二凸起51。所述第一减反层40上方的第二减反层50的第二凸起51的高度小于350纳米，所述第二减反层的特征尺寸小于可见光波长，实现吸收光的目的。

有益效果：通过在金属走线上方设置第一减反层和第二减反层，能够吸收不同角度的照射光，从而解决由于金属走线反射光造成对比度下降的问题；另外，第二减反层与像素电极经过同一制程制备，可简化制程，节省成本。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。