技术特征：
技术总结
一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；形成牺牲层，所述牺牲层堆叠于所述半导体衬底上；所述牺牲层进行图形化，以在所述牺牲层中形成图案沟槽，所述图案沟槽的底部暴露出所述半导体衬底的表面；对所述牺牲层和所述图案沟槽底部的半导体衬底进行刻蚀，直至所述牺牲层被全部移除，以在所述半导体衬底中形成沟槽；其中，所述牺牲层的厚度与所述沟槽的预期厚度相关联。本发明方案有机会根据具体工艺情况，实时控制刻蚀深度，从而提高对停止刻蚀的时机进行判断的准确性。
技术研发人员：周成;孟宪宇;吴宗祐;林宗贤
受保护的技术使用者：德淮半导体有限公司
技术研发日：2019.03.13
技术公布日：2019.06.21