1.一种半导体器件，包括：
基板，包括上表面；
栅极沟槽，在所述基板的所述上表面处，所述栅极沟槽包括上部区域和下部区域，
所述栅极沟槽的所述上部区域包括第一内表面，
所述栅极沟槽的所述下部区域包括第二内表面和下表面；
上栅极绝缘层，在所述第一内表面上；
下栅极绝缘层，在所述第二内表面和所述下表面上，所述下栅极绝缘层连接到所述上栅极绝缘层；
第一栅极阻挡层，在所述下栅极绝缘层的第一内侧上；
栅电极，在所述第一栅极阻挡层的第二内侧上，所述栅电极填充所述栅极沟槽的所述下部区域；以及
栅极掩埋部分，在所述栅电极上，
其中所述下栅极绝缘层的上端的内周边的直径大于所述上栅极绝缘层的下端的内周边的直径。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述下栅极绝缘层的所述上端的外周边的直径大于所述上栅极绝缘层的所述下端的外周边的直径。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中台阶在所述上栅极绝缘层的第一内侧和所述下栅极绝缘层的第二内侧之间。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极掩埋部分包括掺杂的多晶硅。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述下栅极绝缘层的高度与所述上栅极绝缘层的高度的比率在从1：0.95至1：0.98的范围内。
6.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：
第二栅极阻挡层，在所述栅极掩埋部分和所述栅电极之间，所述第二栅极阻挡层覆盖所述栅极掩埋部分的下表面的至少一部分。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其中
所述栅电极包括钨，并且
所述第二栅极阻挡层包括钨氮化物。
8.如权利要求6所述的半导体器件，其中
所述第二栅极阻挡层的下表面在与所述上栅极绝缘层的所述下端相同的水平面处，并且
所述第二栅极阻挡层与所述上栅极绝缘层的内壁接触。
9.如权利要求6所述的半导体器件，还包括：
功函数调整层，配置为至少覆盖所述栅极掩埋部分的侧表面，
其中所述功函数调整层的上端在与所述栅极掩埋部分的上表面相同的水平面处，并且
所述功函数调整层的下端与所述第二栅极阻挡层接触。
10.如权利要求6所述的半导体器件，其中
所述第二栅极阻挡层的上表面在与所述下栅极绝缘层的所述上端相同的水平面处，并且
所述第二栅极阻挡层与所述第一栅极阻挡层的内壁接触。
11.如权利要求6所述的半导体器件，其中
所述第一栅极阻挡层包括突起，所述突起配置为朝向所述栅极沟槽的内侧突出，所述突起形成在所述第一栅极阻挡层的上端处；并且
所述第二栅极阻挡层的上表面和所述突起的上表面在所述栅极沟槽的所述上部区域中位于相同的水平面处。
12.如权利要求6所述的半导体器件，其中
所述第一栅极阻挡层包括突起，所述突起配置为朝向所述栅极沟槽的内侧突出，所述突起形成在所述第一栅极阻挡层的上端处，
所述突起的上表面位于与所述下栅极绝缘层的所述上端相同的水平面处，并且
所述第二栅极阻挡层的上表面位于与所述突起的所述上表面相同的水平面处。
13.一种半导体器件，包括：
基板，包括上表面；
栅极沟槽，在所述基板的所述上表面处，所述栅极沟槽包括上部区域和下部区域，所述上部区域包括第一内表面，所述下部区域包括第二内表面；
上栅极绝缘层，在所述栅极沟槽的所述上部区域的所述第一内表面上；
下栅极绝缘层，在a)所述栅极沟槽的所述下部区域的所述第二内表面上和在b)所述栅极沟槽的所述下部区域的下表面上，所述下栅极绝缘层连接到所述上栅极绝缘层；
第一栅极阻挡层，在所述下栅极绝缘层的内侧上；
栅电极，在所述第一栅极阻挡层的内侧上，所述栅电极填充所述栅极沟槽的所述下部区域；以及
栅极掩埋部分，在所述栅电极上，
其中所述第一栅极阻挡层的上端的外周边的直径大于所述栅极掩埋部分的下表面的直径。
14.如权利要求13所述的半导体器件，其中所述栅极掩埋部分包括掺杂的多晶硅。
15.如权利要求13所述的半导体器件，还包括：
第二栅极阻挡层，在所述栅极掩埋部分和所述栅电极之间，所述第二栅极阻挡层配置为覆盖所述栅极掩埋部分的所述下表面的至少一部分。
16.如权利要求15所述的半导体器件，其中
所述第二栅极阻挡层的下表面在与所述上栅极绝缘层的下端相同的水平面处，并且
所述第二栅极阻挡层与所述上栅极绝缘层的内壁接触。
17.如权利要求15所述的半导体器件，其中
所述第一栅极阻挡层包括突起，所述突起配置为朝向所述栅极沟槽的内侧突出，所述突起形成在所述第一栅极阻挡层的上端处，
所述突起的上表面在与所述下栅极绝缘层的上端相同的水平面处，并且
所述第二栅极阻挡层的上表面在与所述突起的所述上表面相同的水平面处。
18.一种半导体器件，包括：
基板，包括有源区；
栅极沟槽，配置为在所述基板的上表面处在一个方向上延伸；
上栅极绝缘层，在所述栅极沟槽的上部区域的内表面上；
下栅极绝缘层，在a)所述栅极沟槽的下部区域的内表面上和在b)所述栅极沟槽的下部区域的下表面上，所述下栅极绝缘层连接到所述上栅极绝缘层；
第一栅极阻挡层，在所述下栅极绝缘层的内侧上；
栅电极，在所述第一栅极阻挡层的内侧上，所述栅电极配置为填充所述栅极沟槽的所述下部区域；
第二栅极阻挡层；以及
栅极掩埋部分，所述第二栅极阻挡层和所述栅极掩埋部分依次堆叠在所述栅电极上，
其中所述上栅极绝缘层和所述下栅极绝缘层在所述有源区中，
所述第一栅极阻挡层的上端位于与所述栅电极的上表面相同的水平面处，
所述第二栅极阻挡层的下表面位于与所述上栅极绝缘层的下端相同的水平面处，并且
所述下栅极绝缘层的上端的内周边的直径大于所述上栅极绝缘层的所述下端的内周边的直径。
19.如权利要求18所述的半导体器件，其中所述栅极掩埋部分包括掺杂的多晶硅。
20.如权利要求18所述的半导体器件，还包括：
功函数调整层，至少覆盖所述栅极掩埋部分的侧表面。