技术总结
本公开提供了具有栅极绝缘层的半导体器件。一种半导体器件包括：栅极沟槽；上栅极绝缘层，在栅极沟槽的上部区域的内表面上；下栅极绝缘层，在栅极沟槽的下部区域的内表面和下表面上并且连接到上栅极绝缘层；第一栅极阻挡层，在下栅极绝缘层的内侧上；栅电极，在第一栅极阻挡层的内侧上并配置为填充栅极沟槽的下部区域；以及栅极掩埋部分，在栅电极上。下栅极绝缘层的上端的内周边的直径大于上栅极绝缘层的下端的内周边的直径。
技术研发人员：南奇亨
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2019.06.06
技术公布日：2020.03.27