技术特征：
技术总结
提供了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：LDMOS器件，形成在半导体装置的第一区域中；CMOS器件，形成在半导体装置的第二区域中，其中LDMOS器件包括：栅极绝缘层，包括基底上的薄的栅极绝缘层和厚的栅极绝缘层；栅电极，形成在栅极绝缘层上；第一槽氧化物层，形成在栅电极下面，其中第一槽氧化物层与栅电极直接接触，并且厚的栅极绝缘层的顶表面与第一槽氧化物层的顶表面共面；P型阱区域，形成在基底中，其中P型阱区域与薄的栅极绝缘层和厚的栅极绝缘层接触；N型阱区域，形成在基底中，其中N型阱区域与厚的栅极绝缘层和P型阱区域接触；源极区域，形成在P型阱区域中；以及漏极区域，形成在N型阱区域中。
技术研发人员：林敏奎;李桢焕;郑贰善
受保护的技术使用者：美格纳半导体有限公司
技术研发日：2013.06.04
技术公布日：2019.10.18