晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法及系统与流程

晶圆片上的tiniag层腐蚀均匀性的控制方法及系统
技术领域
[0001]
本发明涉及加工设备技术领域，特别涉及一种晶圆片上的tiniag层腐蚀均匀性的控制方法及系统。


背景技术：

[0002]
tiniag工艺通常用在电压保护器件、肖特基等单管的产品上。正面tiniag层的主要用途是为了满足贴片的封装要求，该封装方式无需金引线，封装尺寸小，可以达到有效的降低成本的目的。
[0003]
考虑到液体的流动对ni的腐蚀有极大的影响，而测试图形、对准标记、监控图形及空白区域与正常管芯的光刻后暴露的区域不同，液体在这些区域的流动会受到阻碍，从而导致ni的腐蚀速率降低，极易造成ni的残留，而agni腐蚀一旦有残留，就会引起产品的报废，降低成品率，对在线生产造成极大的浪费。


技术实现要素：

[0004]
本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中液体在测试图形、对准标记、监控图形及空白区域等位置极易腐蚀不干净，容易造成产品的报废的缺陷，提供一种晶圆片上的tiniag层腐蚀均匀性的控制方法及系统。
[0005]
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
[0006]
本发明提供一种晶圆片上的tiniag层腐蚀均匀性的控制方法，所述控制方法包括：
[0007]
获取晶圆片对应的第一区域；
[0008]
获取所述晶圆片上的tiniag层对应的第二区域；其中，所述第二区域中排布若干个管芯；
[0009]
根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域；
[0010]
在对所述tiniag层进行光刻版时，采用管芯对所述目标区域进行填充。
[0011]
较佳地，所述根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域的步骤包括：
[0012]
确定所述第一区域中除所述第二区域之外的区域为所述晶圆片中没有排布管芯的所述目标区域。
[0013]
较佳地，所述采用管芯对所述目标区域进行填充的步骤包括：
[0014]
采用管芯将所述目标区域填充满。
[0015]
较佳地，当所述管芯将所述目标区域填充满时，所述目标区域中的管芯的排布状态与所述第二区域中的管芯的排布状态一致。
[0016]
较佳地，所述目标区域包括测试图形、对准标记、监控图形和空白区域中的至少一种。
[0017]
本发明还提供一种晶圆片上的tiniag层腐蚀均匀性的控制系统，所述控制系统包
括第一区域获取模块、第二区域获取模块、目标区域获取模块和控制模块；
[0018]
所述第一区域获取模块用于获取晶圆片对应的第一区域；
[0019]
所述第二区域获取模块用于获取所述晶圆片上的tiniag层对应的第二区域；其中，所述第二区域中排布若干个管芯；
[0020]
所述目标区域获取模块用于根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域；
[0021]
所述控制模块用于在对所述tiniag层进行光刻版时，采用管芯对所述目标区域进行填充。
[0022]
较佳地，所述第二区域获取模块用于确定所述第一区域中除所述第二区域之外的区域为所述晶圆片中没有排布管芯的所述目标区域。
[0023]
较佳地，所述控制模块用于采用管芯将所述目标区域填充满。
[0024]
较佳地，当所述管芯将所述目标区域填充满时，所述目标区域中的管芯的排布状态与所述第二区域中的管芯的排布状态一致。
[0025]
较佳地，所述目标区域包括测试图形、对准标记、监控图形和空白区域中的至少一种。
[0026]
本发明的积极进步效果在于：
[0027]
本发明中，通过获取晶圆片中没有排布管芯的测试图形、对准标记、监控图形和空白区域等目标区域，然后在对tiniag层进行光刻版时，采用管芯对这些目标区域进行同步填充，使得目标区域的管芯排布状态和tiniag层对应的第二区域的管芯排布状态一致，即整个晶圆片的横向和纵向的划片槽完全贯通，从而提高了腐蚀时液体流动的均匀性，保证腐蚀时液体流动的通畅，使得每颗管芯的腐蚀状态都相近，达到均匀腐蚀，无ni残留，进而提高了生产效率及产品良率。
附图说明
[0028]
图1为本发明实施例1的晶圆片上的tiniag层腐蚀均匀性的控制方法的流程图。
[0029]
图2为本发明实施例2的晶圆片上的tiniag层腐蚀均匀性的控制方法的流程图。
[0030]
图3为本发明实施例2的晶圆片上的tiniag层腐蚀均匀性的控制方法中的目标区域分布示意图。
[0031]
图4为本发明实施例2的晶圆片上的tiniag层腐蚀均匀性的控制方法中的第一目标区域示意图。
[0032]
图5为本发明实施例2的晶圆片上的tiniag层腐蚀均匀性的控制方法中的第二目标区域示意图。
[0033]
图6为本发明实施例2的晶圆片上的tiniag层腐蚀均匀性的控制方法中的第三目标区域示意图。
[0034]
图7为发明实施例3的晶圆片上的tiniag层腐蚀均匀性的控制系统的模块示意图。
具体实施方式
[0035]
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
[0036]
实施例1
[0037]
如图1所示，本实施例的晶圆片上的tiniag层腐蚀均匀性的控制方法包括：
[0038]
s101、获取晶圆片对应的第一区域；
[0039]
s102、获取晶圆片上的tiniag层对应的第二区域；其中，第二区域中排布若干个管芯，即为tiniag层的正面。
[0040]
s103、根据第一区域和第二区域获取晶圆片中没有排布管芯的目标区域；
[0041]
具体地，确定第一区域中除第二区域之外的区域为晶圆片中没有排布管芯的目标区域。
[0042]
其中，目标区域包括但不限于测试图形、对准标记、监控图形和空白区域。
[0043]
s104、在对tiniag层进行光刻版时，采用管芯对目标区域进行填充。
[0044]
本实施例中，通过获取晶圆片中没有排布管芯的测试图形、对准标记、监控图形和空白区域等目标区域，然后在对tiniag层进行光刻版时，采用管芯对这些目标区域进行同步填充，使得目标区域的管芯排布状态和tiniag层对应的第二区域的管芯排布状态一致，即整个晶圆片的横向和纵向的划片槽完全贯通，从而提高了腐蚀时液体流动的均匀性，保证腐蚀时液体流动的通畅，使得每颗管芯的腐蚀状态都相近，达到均匀腐蚀，无ni残留，进而提高了生产效率及产品良率。
[0045]
实施例2
[0046]
如图2所示，本实施例的晶圆片上的tiniag层腐蚀均匀性的控制方法是对实施例1的进一步改进，具体地：
[0047]
步骤s104包括：
[0048]
s1041、在对tiniag层进行光刻版时，采用管芯将目标区域填充满。
[0049]
具体地，当管芯将目标区域填充满时，目标区域中的管芯的排布状态与第二区域中的管芯的排布状态一致。
[0050]
第二区域的每个管芯的划片槽的横向与目标区域的每个管芯的划片槽的横向一致，第二区域的每个管芯的划片槽的纵向与目标区域的每个管芯的划片槽的纵向一致，即整个晶圆片的横向和纵向的划片槽完全贯通，从而提高了腐蚀时液体流动的均匀性，保证腐蚀时液体流动的通畅，使得每颗管芯的腐蚀状态都相近，达到均匀腐蚀，无ni残留。
[0051]
下面结合具体实例说明：
[0052]
如图3所示，为未对目标区域进行填充时的情况，a区域表示第一区域，b区域表示第二区域，a区域、b区域、c区域、d区域、e区域均为目标区域。
[0053]
具体地，c区域、d区域、e区域为不包括对准标记的区域，当c区域、d区域、e区域中的任一区域包括测试图形、监控图形和空白区域时，如图4所示，矩形框b的内部区域为c区域、d区域或e区域，矩形框a表示测试图形和监控图形所在区域，矩形框b中除了矩形框a所在区域外的区域为空白区域。
[0054]
a区域、b区域为包括对准标记的区域，此时a区域、b区域分布在晶圆片的左右两侧位置。
[0055]
当a区域、b区域中的任一区域包括测试图形、对准标记、监控图形和空白区域时，如图5所示，矩形框b和矩形框c共同构成a区域或b区域，矩形框c中的正方形框d对应的区域为对准标记所在区域，矩形框c中除正方形框d之外的区域也为空白区域。其中，正方形框d
对应的区域保留给tiniag层的对位标记区，该区域无法用tiniag层图形填充(面积应当尽可能小)。
[0056]
此时只有tiniag层对应的第二区域才排布有效管芯(即能够正常使用的管芯)，而a区域、b区域、c区域、d区域、e区域均未排布管芯，而这些位置及周围的有效管芯存在极易腐蚀不干净的情况。
[0057]
将目标区域a区域、b区域、c区域、d区域、e区域均填充满管芯，以c区域为例，如图6所示，其中每个小格子代表不同的管芯，管芯与管芯之间的间隙就是划片槽，其排布状态与tiniag层对应的第二区域中各个管芯的排布状态完全一致，从而保证了横向与纵向的划片槽是完全贯通，从而提高腐蚀液体流动的均匀性，使得每颗管芯的腐蚀状态都相近，达到均匀腐蚀的目的，可以实现将现有的晶圆良率80％提高至晶圆良率99％。
[0058]
本实施例中，通过获取晶圆片中没有排布管芯的测试图形、对准标记、监控图形和空白区域等目标区域，然后在对tiniag层进行光刻版时，采用管芯对这些目标区域进行同步填充，使得目标区域的管芯排布状态和tiniag层对应的第二区域的管芯排布状态一致，即整个晶圆片的横向和纵向的划片槽完全贯通，从而提高了腐蚀时液体流动的均匀性，保证腐蚀时液体流动的通畅，使得每颗管芯的腐蚀状态都相近，达到均匀腐蚀，无ni残留，进而提高了生产效率及产品良率。
[0059]
实施例3
[0060]
如图7所示，本实施例的晶圆片上的tiniag层腐蚀均匀性的控制系统包括第一区域获取模块1、第二区域获取模块2、目标区域获取模块3和控制模块4。
[0061]
第一区域获取模块1用于获取晶圆片对应的第一区域；
[0062]
第二区域获取模块2用于获取晶圆片上的tiniag层对应的第二区域；其中，第二区域中排布若干个管芯，即为tiniag层的正面；
[0063]
目标区域获取模块3用于根据第一区域和第二区域获取晶圆片中没有排布管芯的目标区域；
[0064]
具体地，确定第一区域中除第二区域之外的区域为晶圆片中没有排布管芯的目标区域。
[0065]
其中，目标区域包括但不限于测试图形、对准标记、监控图形和空白区域。
[0066]
控制模块4用于在对tiniag层进行光刻版时，采用管芯对目标区域进行填充。
[0067]
本实施例中，通过获取晶圆片中没有排布管芯的测试图形、对准标记、监控图形和空白区域等目标区域，然后在对tiniag层进行光刻版时，采用管芯对这些目标区域进行同步填充，使得目标区域的管芯排布状态和tiniag层对应的第二区域的管芯排布状态一致，即整个晶圆片的横向和纵向的划片槽完全贯通，从而提高了腐蚀时液体流动的均匀性，保证腐蚀时液体流动的通畅，使得每颗管芯的腐蚀状态都相近，达到均匀腐蚀，无ni残留，进而提高了生产效率及产品良率。
[0068]
实施例4
[0069]
本实施例的晶圆片上的tiniag层腐蚀均匀性的控制系统是对实施例3的进一步改进，具体地：
[0070]
第二区域获取模块2用于确定第一区域中除第二区域之外的区域为晶圆片中没有排布管芯的目标区域。
[0071]
控制模块4用于采用管芯将目标区域填充满。
[0072]
具体地，当管芯将目标区域填充满时，目标区域中的管芯的排布状态与第二区域中的管芯的排布状态一致。
[0073]
第二区域的每个管芯的划片槽的横向与目标区域的每个管芯的划片槽的横向一致，第二区域的每个管芯的划片槽的纵向与目标区域的每个管芯的划片槽的纵向一致，即整个晶圆片的横向和纵向的划片槽完全贯通，从而提高了腐蚀时液体流动的均匀性，保证腐蚀时液体流动的通畅，使得每颗管芯的腐蚀状态都相近，达到均匀腐蚀，无ni残留。
[0074]
下面结合具体实例说明：
[0075]
如图3所示，为未对目标区域进行填充时的情况，a区域表示第一区域，b区域表示第二区域，a区域、b区域、c区域、d区域、e区域均为目标区域。
[0076]
具体地，c区域、d区域、e区域为不包括对准标记的区域，当c区域、d区域、e区域中的任一区域包括测试图形、监控图形和空白区域时，如图4所示，矩形框b的内部区域为c区域、d区域或e区域，矩形框a表示测试图形和监控图形所在区域，矩形框b中除了矩形框a所在区域外的区域为空白区域。
[0077]
a区域、b区域为包括对准标记的区域，此时a区域、b区域分布在晶圆片的左右两侧位置。
[0078]
当a区域、b区域中的任一区域包括测试图形、对准标记、监控图形和空白区域时，如图5所示，矩形框b和矩形框c共同构成a区域或b区域，矩形框c中的正方形框d对应的区域为对准标记所在区域，矩形框c中除正方形框d之外的区域也为空白区域。其中，正方形框d对应的区域保留给tiniag层的对位标记区，该区域无法用tiniag层图形填充(面积应当尽可能小)。
[0079]
此时只有tiniag层对应的第二区域才排布有效管芯(即能够正常使用的管芯)，而a区域、b区域、c区域、d区域、e区域均未排布管芯，而这些位置及周围的有效管芯存在极易腐蚀不干净的情况。
[0080]
将目标区域a区域、b区域、c区域、d区域、e区域均填充满管芯，以a区域为例，如图6所示，其中每个小格子代表不同的管芯，管芯与管芯之间的间隙就是划片槽，其排布状态与tiniag层对应的第二区域中各个管芯的排布状态完全一致，从而保证了横向与纵向的划片槽是完全贯通，从而提高腐蚀液体流动的均匀性，使得每颗管芯的腐蚀状态都相近，达到均匀腐蚀的目的，可以实现将现有的晶圆良率80％提高至晶圆良率99％。
[0081]
本实施例中，通过获取晶圆片中没有排布管芯的测试图形、对准标记、监控图形和空白区域等目标区域，然后在对tiniag层进行光刻版时，采用管芯对这些目标区域进行同步填充，使得目标区域的管芯排布状态和tiniag层对应的第二区域的管芯排布状态一致，即整个晶圆片的横向和纵向的划片槽完全贯通，从而提高了腐蚀时液体流动的均匀性，保证腐蚀时液体流动的通畅，使得每颗管芯的腐蚀状态都相近，达到均匀腐蚀，无ni残留，进而提高了生产效率及产品良率。
[0082]
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。