氯硅烷残余气液物的处理系统的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了氯硅烷残余气液物的处理系统。该系统包括：一级淋洗塔，所述一级淋洗塔具有本体、设置在所述本体上方的固气混合物出口和设置在所述本体下方的固液混合物出口，以及第一饱和盐酸溶液入口和第一饱和盐酸溶液喷淋口；二级淋洗塔，所述二级淋洗塔与所述固气混合物出口相连，所述二级淋洗塔具有第一饱和盐酸溶液入口、第一饱和盐酸溶液喷淋口、二氧化硅颗粒出口和混合气体出口；吸收装置，所述吸收装置与所述二级淋洗塔的所述混合气体出口相连；以及盐酸解析装置，所述盐酸解析装置与所述吸收装置相连。该系统的二氧化硅回收率高，得到的盐酸溶液和氯化氢气体中不含二氧化硅颗粒，便于工业应用。
【专利说明】
氯硅烷残余气液物的处理系统
技术领域
[0001]本实用新型涉及化工领域，具体地，涉及氯硅烷残余气液混合物的处理系统。
【背景技术】
[0002]目前，国内外大多数厂家采用改良西门子法制备电子级多晶硅。在生产过程中，产生的废气(液)采用碱性溶液中和淋洗混合氯硅烷、氯化氢有害气体和部分氢气、氮气，混合气体与碱性溶液发生化学反应产生大量含盐废渣和含盐废水。含盐废渣目前通常采用填埋或无渗漏渣库储存，暂且还未彻底找到合适的处理方法，仍未实现废渣的资源化利用;含盐废水目前均采用薄膜蒸发结晶和热栗等工艺处理，但处理单位成本非常高，处理后产品的结晶盐暂无法得到处理，对环境污染严重，环保压力形势不容乐观；同样上述采用的碱性溶液处理混合氯硅烷等废气(液)处理单位成本极高，且对排放的混合废气(液)也未实现资源化回收利用。另外使用碱性溶液淋洗混合氯硅烷，在实际运行过程中存在很多不足，产生的含盐废渣堵塞放空管、弯管、喷头以及其它附属设备，需要频繁对放空管、弯管和喷头等附属设备进行清理，且清理难度大，耗费大量的时间及人力，从而严重影响废气(液)的连续高效处理和降低处理成本。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种氯硅烷残余气液混合物的处理系统，该系统能有效处理氯硅烷残余气液混合物，硅、氯成分资源化回收率高，产生的含盐废渣和含盐废水少，并且该系统的结构简单、单位生产成本低。
[0004]需要说明的是，本实用新型是基于发明人的下列工作而完成的:
[0005]发明人通过大量实验研究发现改变碱性淋洗体系为酸性淋洗体系对氯硅烷残余气液混合物进行淋洗，可以得到尺寸较小，纯度较高，符合较高使用要求的二氧化硅，即利用该方法可以直接制取具有较高价值的白炭黑;并且通过实验研究也得出在酸性体系对混合氯硅烷进行淋洗可以达成较高的吸收效率，把上述氯硅烷残余气液混合物及时、有效转换为含二氧化硅颗粒混合物的氯化氢的水溶液，可有效地解决、应对多晶硅生产系统氯硅烷残余气液混合物瞬时出现的排放峰值废气与正常排放值有较大差异的特殊状况。
[0006]因而，根据本实用新型的一个方面，本实用新型提供了一种氯硅烷残余气液混合物的处理系统。根据本实用新型的实施例，该系统包括:一级淋洗塔，所述一级淋洗塔具有本体、设置在所述本体上方的固气混合物出口和设置在所述本体下方的固液混合物出口，以及第一饱和盐酸溶液入口和第一饱和盐酸溶液喷淋口，所述一级淋洗塔利用饱和盐酸溶液对所述氯硅烷残余气液混合物进行水解处理，以便得到含有二氧化硅颗粒的固气混合物和含有二氧化硅的固液混合物;二级淋洗塔，所述二级淋洗塔与所述固气混合物出口相连，所述二级淋洗塔具有第一饱和盐酸溶液入口、第一饱和盐酸溶液喷淋口、二氧化硅颗粒出口和混合气体出口，所述二级淋洗塔用于对所述含有二氧化硅颗粒的固气混合物进行分离处理，以便得到二氧化硅颗粒和含有氯化氢的混合气体;吸收装置，所述吸收装置与所述二级淋洗塔的所述混合气体出口相连，所述吸收装置用于对所述含有氯化氢的混合气体中的氯化氢进行吸收处理，以便得到盐酸；以及盐酸解析装置，所述盐酸解析装置与所述吸收装置相连，所述盐酸解析装置用于将所述盐酸进行解析处理，以便得到氯化氢气体。
[0007]根据本实用新型实施例的氯硅烷残余气液混合物的处理系统，以饱和酸溶液淋洗进行水解处理，得到含有少量小的二氧化硅固体颗粒物和氯化氢气体的固气混合物从本体上方的固气混合物出口排出。从本体下方出口排出含二氧化硅固体的固液混合物中分离出二氧化硅颗粒。利用该系统，可以简单、有效地通过固气分离处理得到含二氧化硅固体颗粒物很少的氯化氢以制取盐酸溶液。现有技术中通常由水解处理的酸液(本体下方的固液混合物)中分离二氧化硅固体颗粒物，其后分离出的盐酸液始终含有一定量的二氧化硅固体颗粒物，造成后续无法有效利用工业化盐酸解析装置的矛盾。由此，氯硅烷残余气液混合物的处理系统，二氧化硅回收率高，得到的盐酸溶液和氯化氢气体中不含二氧化硅颗粒，便于工业应用。
[0008]任选地，该系统进一步包括:盐酸储槽，所述盐酸储槽与所述吸收装置和所述盐酸解析装置相连，所述盐酸储槽用于存储所述吸收处理得到的所述盐酸。通过该储槽合理的容量设置，有效地处理、平衡前端氯化氢气体来量波动较大的问题，并将所述盐酸以预定流量供给至所述盐酸解析装置。
[0009]任选地，该系统进一步包括:干燥装置，所述干燥装置与所述盐酸解析装置相连，所述干燥装置具有四氯化硅入口和四氯化硅喷淋口，所述干燥装置利用四氯化硅对所述氯化氢气体进行淋洗，以便得到干燥的氯化氢。
[0010]任选地，该系统进一步包括:压滤机，所述压滤机与所述一级淋洗塔的所述固液混合物出口相连，所述压滤机用于对所述含有二氧化硅的固液混合物进行压滤处理，以便得到二氧化硅粗品;干燥脱酸装置，所述干燥脱酸装置与所述压滤机相连，所述干燥脱酸装置用于对所述二氧化硅粗品进行干燥脱酸处理，以便得到二氧化硅产品。
[0011]任选地，所述吸收装置是降膜吸收装置和/或组合吸收塔。
[0012]本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
【附图说明】
[0013]本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中:
[0014]图1显示了根据本实用新型一个实施例的氯硅烷残余气液混合物的处理系统的结构示意图；
[0015]图2显示了根据本实用新型一个实施例的氯硅烷残余气液混合物的处理系统的结构示意图；
[0016]图3显示了根据本实用新型一个实施例的氯硅烷残余气液混合物的处理系统的结构示意图；
[0017]图4显示了根据本实用新型一个实施例的氯硅烷残余气液混合物的处理系统的结构示意图；
[0018]图5显示了根据本实用新型一个实施例的氯硅烷残余气液混合物的处理方法的流程不意图；
[0019]图6显示了根据本实用新型一个实施例的氯硅烷残余气液混合物的处理方法的流程不意图；
[0020]图7显示了根据本实用新型一个实施例的氯硅烷残余气液混合物的处理方法的流程不意图；
[0021]图8显示了根据本实用新型一个实施例的氯硅烷残余气液混合物的处理方法的流程不意图；
[0022]图9显示了根据本实用新型一个实施例的氯硅烷残余气液混合物的处理方法的流程不意图。
【具体实施方式】
[0023]下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
[0024]在本实用新型的描述中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型而不是要求本实用新型必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
[0025]需要说明的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。进一步地，在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0026]根据本实用新型的另一方面，本实用新型提供了一种氯硅烷残余气液混合物的处理系统。参考图1，根据本实用新型的实施例，该系统包括:一级淋洗塔100、二级淋洗塔200、吸收装置300和盐酸解析装置400。
[0027]根据本实用新型的实施例，一级淋洗塔100具有本体、设置在所述本体上方的固气混合物出口和设置在所述本体下方的固液混合物出口，以及第一饱和盐酸溶液入口和第一饱和盐酸溶液喷淋口，该一级淋洗塔100利用饱和盐酸溶液对氯硅烷残余气液混合物进行水解处理，得到含有少量细微二氧化硅颗粒的固气混合物和含有二氧化硅的固液混合物。一级淋洗塔100以饱和酸溶液淋洗进行水解处理，小的二氧化硅固体颗粒物与氯化氢气体形成固气混合物从本体上方的固气混合物出口排出。从本体下方排出含二氧化硅固体的固液混合物，并从中分离出二氧化硅颗粒。利用一级淋洗塔100，可以简单、有效地避免小的二氧化硅固体颗粒物从盐酸液体中难以分离的难题。
[0028]根据本实用新型的实施例，含有少量细微二氧化硅颗粒的固气混合物从固气混合物出口排出，含有二氧化硅的固液混合物从固液混合物出口排出。
[0029]根据本实用新型的实施例，二级淋洗塔200与固气混合物出口相连，该二级淋洗塔具有第一饱和盐酸溶液入口、第一饱和盐酸溶液喷淋口、二氧化硅颗粒出口和混合气体出口，该二级淋洗塔200用于对含有少量细微二氧化硅颗粒的固气混合物进行分离处理，得到二氧化硅颗粒和含有氯化氢的混合气体。通过二级淋洗塔200的分离处理去除固气混合物中的二氧化硅，从而，得到的氯化氢气体纯度高。
[0030]根据本实用新型的实施例，吸收装置300与二级淋洗塔200的混合气体出口相连，该吸收装置300用于对含有氯化氢的混合气体中的氯化氢进行吸收处理，得到盐酸。由此，从含有氢气、氮气和氯化氢气体的混合气体中，通过吸收处理，分离出氯化氢。
[0031]根据本实用新型的实施例，吸收装置是降膜吸收装置和/或组合吸收塔。针对氯硅烷含量较多如I 40%的混合气体采用降膜吸收装置处理，针对氯硅烷含量较少如<40%的混合气体采用组合吸收塔处理，从而充分、高效地吸收混合气体中的氯化氢、获得待解析的盐酸溶液。
[0032]根据本实用新型的实施例，盐酸解析装置400与吸收装置300相连，该盐酸解析装置400用于将盐酸进行解析处理，得到氯化氢气体。由此，利用解析处理从盐酸中分离出氯化氢气体。
[0033]参考图2，根据本实用新型的实施例，该系统进一步包括:盐酸储槽500，所述盐酸储槽与所述吸收装置和所述盐酸解析装置相连，所述盐酸储槽用于存储所述吸收处理得到的所述盐酸，并将所述盐酸以预定流量供给至所述盐酸解析装置。
[0034]参考图3，根据本实用新型的实施例，该系统进一步包括:干燥装置600，该干燥装置600具有四氯化硅入口和四氯化硅喷淋口，该干燥装置600与盐酸解析装置400相连，该干燥装置600利用四氯化硅对氯化氢气体进行淋洗，得到干燥的氯化氢。盐酸解析后的氯化氢有较高的含水量，在改良西门子法生产多晶硅的工艺流程中，必须含水量较低的氯化氢才能使用。为此，发明人利用四氯化硅淋洗含水氯化氢，获得较低含水量氯化氢，通常氯化氢脱水可以选用活性碳吸附，但在工业实施中，往往仅能将含水量保持在近100PPM。为进一步获得含水量更低的氯化氢，发明人采用多晶硅工厂使用的工艺物料四氯化硅进行脱水处理，利用四氯化硅优先选择性与氯化氢中水分子反应的特性，通过四氯化硅淋洗含水氯化氢进行脱水，能够保证脱水处理工艺更为稳定、更适于工业化的应用、更高效地将其中的水含量明显降低到所需要的程度。
[0035]参考图4，根据本实用新型的实施例，该系统进一步包括:压滤机700和干燥脱酸装置800，其中，压滤机700与一级淋洗塔100的固液混合物出口相连，该压滤机700用于对含有二氧化硅的固液混合物进行压滤处理，得到二氧化硅粗品，干燥脱酸装置800与压滤机700相连，该干燥脱酸装置800用于对二氧化硅粗品进行干燥脱酸处理，得到二氧化硅产品。
[0036]根据本实用新型实施例的氯硅烷残余气液混合物的处理方法，以饱和酸溶液进行水解处理，氯化氢气体以仅含少量细微二氧化硅固体颗粒物的固气混合物排出，再进行分离，而非从含二氧化硅固体的固液混合物中分离出。利用该方法，可以简单、有效地通过固气分离处理分离出几乎不含二氧化硅固体颗粒物的氯化氢混合气体再制盐酸。现有技术中通常由水解处理的酸液中分离二氧化硅固体颗粒物，其后分离出的盐酸液始终含有一定量的二氧化硅固体颗粒物，造成后续无法有效利用工业化盐酸解析装置的矛盾。由此，利用氯硅烷残余气液混合物的处理方法，二氧化硅回收率高，得到的干燥氯化氢气体，便于重新回到多晶硅生产工艺流程中工业应用。
[0037]此外，该氯硅烷残余气液混合物的处理系统，运行平稳可靠，动力消耗低;有效减少氯化氢排放量，回收氯化氢进行再使用，解决了氯离子排出系统污染环境的问题。且回收的氯化氢可以用于生产出更多的多晶硅产品；同时，该系统回收氯硅烷中的硅，资源化利用制成白炭黑产品；该系统的流程运行机械化程度高、效率高，系统运行成本较低，与现有氯硅烷废气(液)处理装置相比，可明显降低单位处理成本。此外，该系统可提高处理多晶硅生产过程中产生的废气处理能力，是一种理想的氯硅烷残余气液混合物资源化利用的工业系统。
[0038]为了便于理解本实用新型的氯硅烷残余气液混合物的处理系统，在此提供了一种氯硅烷残余气液混合物的处理方法。参考图5，根据本实用新型的实施例，对该方法进行解释，该方法包括:
[0039]S100水解处理
[0040]根据本实用新型的实施例，利用饱和盐酸溶液对所述氯硅烷残余气液混合物进行水解处理，以便得到含有少量细微二氧化硅颗粒的固气混合物和含有二氧化硅的固液混合物。由此，以饱和酸溶液进行水解处理，小的二氧化硅固体颗粒物与氯化氢气体形成固气混合物排出，再进行分离。利用该方法，可以简单、有效地通过固气分离处理分离出二氧化硅固体颗粒物较少的氯化氢，再进一步获得不含上述颗粒物的、可用于工业解析的盐酸。
[0041]根据本实用新型的实施例，含有少量二氧化硅颗粒的固气混合物中，二氧化硅颗粒的质量分数< 10%。根据本实用新型的优选实施例，含有二氧化硅颗粒的固气混合物中，二氧化硅颗粒的质量分数< 5%。
[0042]此外，需要说明的是，固气混合物中，二氧化硅为粒径较小的二氧化硅颗粒，固液混合物中，二氧化硅为粒径较大的二氧化硅团块。另外，本文中，“残余气液混合物”并不限于残余的气体和液体组成的混合物，也可以是多种残余气体组成的混合物，或者多种残余液体组成的混合物。
[0043]S200分离处理
[0044]根据本实用新型的实施例，对所述含有少量细微二氧化硅颗粒的固气混合物进行分离处理，得到二氧化硅颗粒和含有氯化氢的混合气体。通过分离处理去除固气混合物中的二氧化硅，从而，得到的氯化氢气体纯度高。
[0045]根据本实用新型的实施例，该分离处理为固气分离处理。
[0046]根据本实用新型的实施例，所述水解处理和所述分离处理均是通过利用饱和盐酸溶液对所述氯硅烷残余气液混合物淋洗进行的。由此，水解效果好，二氧化硅回收率高。
[0047]S300吸收处理
[0048]根据本实用新型的实施例，对所述含有氯化氢的混合气体中的氯化氢进行吸收处理，以便得到盐酸。由此，从含有氢气、氮气和氯化氢气体的混合气体中，通过吸收处理，分1?出虱化氣。
[0049]根据本实用新型的实施例，所述吸收处理是利用降膜吸收装置或组合吸收塔进行的。针对氯硅烷含量较多如之40%的混合气体采用降膜吸收装置处理，针对氯硅烷含量较少如< 40 %的混合气体采用组合吸收塔处理，从而，高效地、充分地吸收混合气体中的氯化氢、获得待解析的盐酸溶液。
[0050]S400解析处理
[0051]根据本实用新型的实施例，将所述盐酸进行解析处理，以便得到氯化氢气体。由此，利用解析处理从盐酸中分离出氯化氢气体。
[0052]参考图6，根据本实用新型的实施例，该方法进一步包括:
[0053]S500存储盐酸
[0054]根据本实用新型的实施例，在所述解析处理前，利用盐酸储槽存储所述盐酸。其中，需要说明的是，存储盐酸的装置不受特别的限制，只要能存储盐酸且不易被盐酸腐蚀的装置即可用于存储盐酸。由此，保证吸收处理得到的盐酸由盐酸储槽进行中间存储，保证盐酸以稳定的流量进行后续解析。
[0055]参考图7，根据本实用新型的实施例，该方法进一步包括:
[0056]S600淋洗干燥
[0057]根据本实用新型的实施例，利用四氯化硅对所述氯化氢气体进行淋洗，以便得到干燥的氯化氢。盐酸解析后的氯化氢有较高的含水量，在改良西门子法生产多晶硅的工艺流程中，必须含水量较低的氯化氢才能使用。为此，发明人利用四氯化硅淋洗含水氯化氢，获得较低含水量氯化氢，通常氯化氢脱水可以选用活性碳吸附，但在工业实施中，往往仅能将含水量保持在近100PPM。为进一步获得含水量更低的氯化氢，发明人采用多晶硅工厂使用的工艺物料四氯化硅进行脱水处理，利用四氯化硅优先选择性与氯化氢中水分子反应的特性，通过四氯化硅淋洗含水氯化氢进行脱水，能够保证脱水处理工艺更为稳定、更适于工业化的应用、更高效地将其中的水含量明显降低到所需要的程度。
[0058]根据本实用新型实施例的氯硅烷残余气液混合物的处理方法，以饱和酸溶液进行水解处理，氯化氢气体以仅含少量细微二氧化硅固体颗粒物的固气混合物排出，再进行分离。利用该方法，可以简单、有效地通过固气分离处理分离出几乎不含二氧化硅固体颗粒物的氯化氢混合气体再制盐酸。现有技术中通常由水解处理的酸液(本体下方的固液混合物)中分离二氧化硅固体颗粒物，其后分离出的盐酸液始终含有一定量的二氧化硅固体颗粒物，造成后续无法有效利用工业化盐酸解析装置的矛盾。由此，利用氯硅烷残余气液混合物的处理方法，二氧化硅回收率高，得到的盐酸溶液和氯化氢气体中不含二氧化硅颗粒，便于重新回到多晶硅生产工艺流程中工业应用。
[0059]此外，该氯硅烷残余气液混合物的处理方法，方法稳定可靠，动力消耗低;有效减少氯化氢排放量，回收氯化氢进行再使用，解决了氯离子排出系统污染环境的问题。且回收的氯化氢可以用于生产出更多的多晶硅产品；同时，该方法回收氯硅烷中的硅，资源化利用制成白炭黑产品；该方法的流程运行机械化程度高、效率高，系统运行成本较低，与现有氯硅烷废气(液)处理方法相比，可明显降低单位处理成本。此外，该方法可提高处理多晶硅生产过程中产生的废气处理能力，是一种理想的氯硅烷残余气液混合物资源化利用的工业系统。
[0060]下面参考具体实施例，对本实用新型进行说明，需要说明的是，这些实施例仅仅是说明性的，而不能理解为对本实用新型的限制。
[0061 ] 实施例1
[0062 ]利用本实用新型的氯硅烷残余气液混合物的处理系统对氯硅烷废气液混合物进行处理，其中，氯硅烷残余气液混合物的处理系统的结构示意图如图4所示，处理流程如图8所示，具体流程如下:
[0063](I) —级淋洗塔采用饱和盐酸对氯硅烷废气液混合物进行淋洗，淋洗塔底得到含有二氧化硅固体颗粒的盐酸渣水混合物。塔顶得到含有少量细微二氧化硅的固气混合物进入二级淋洗塔进行去除固气混合物中的二氧化硅，得到含有氯化氢气体、氢气和氮气，几乎不含细微二氧化硅的混合气体，从二级淋洗塔的塔顶排出，其中，混合气体中，氢气和氮气体积比小于60%。
[0064](2)含有二氧化硅固体颗粒的盐酸渣水混合物通过压滤机进行固液分离，液体返回淋洗塔循环使用，固体渣经过脱酸、清洗、干燥得到细微颗粒的二氧化硅一白炭黑。
[0065](3)混合气体进入降膜吸收装置，从而将混合气体中的氯化氢吸收制成不含细小固体颗粒的近饱和盐酸(21?31%)，再经过盐酸解析工艺装置，析出得到含有几百个PPM水分的氯化氢，混合气体中的氮气和氢气等气体进入废气处理塔。
[0066](4)含有几百个PPM水分的氯化氢经过冷凝脱水和四氯化硅脱水，获得干燥、合格的氯化氢。再输送回改良西门子法多晶硅工艺系统中回收使用。
[0067](5)废气处理塔对混合气体中的氮气和氢气等气体进一步净化处理，排放到空气中。
[0068]实施例2
[0069 ]利用本实用新型的氯硅烷残余气液混合物的处理系统对氯硅烷废气液混合物进行处理，其中，氯硅烷残余气液混合物的处理系统的结构示意图如图4所示，处理流程如图9所示，具体流程如下:
[0070](I) —级淋洗塔采用饱和盐酸对氯硅烷废气液混合物进行淋洗，淋洗塔底得到含有二氧化硅固体颗粒的盐酸渣水混合物。塔顶得到含有少量细微二氧化硅的固气混合物进入二级淋洗塔进行去除固气混合物中的二氧化硅，得到含有氯化氢气体、氢气和氮气和几乎不含细微二氧化硅的混合气体，从二级淋洗塔的塔顶排出，其中，混合气体中，氢气和氮气体积比高于60%。
[0071](2)含有二氧化硅固体颗粒的盐酸渣水混合物通过压滤机进行固液分离，液体返回淋洗塔循环使用，固体渣经过脱酸、清洗、干燥得到细微颗粒的二氧化硅一白炭黑。
[0072](3)混合气体进入组合塔，从而将混合气体中的氯化氢淋洗制成不含细小固体颗粒的近饱和盐酸(21?31%)，再经过盐酸解析工艺装置，析出得到含有几百个PPM水分的氯化氢析出，混合气体中的氮气和氢气等气体进入废气处理塔。
[0073](4)含有几百个PPM水分的氯化氢经过冷凝脱水和四氯化硅脱水，获得干燥、合格的氯化氢。再输送回改良西门子法多晶硅工艺系统中回收使用。
[0074](5)废气处理塔对混合气体中的氮气和氢气等气体进一步净化处理，排放到空气中。
[0075]在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0076]尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。
【主权项】
1.一种氯硅烷残余气液物的处理系统，其特征在于，包括: 一级淋洗塔，所述一级淋洗塔具有本体、设置在所述本体上方的固气混合物出口和设置在所述本体下方的固液混合物出口，以及第一饱和盐酸溶液入口和第一饱和盐酸溶液喷淋口； 二级淋洗塔，所述二级淋洗塔与所述固气混合物出口相连，所述二级淋洗塔具有第一饱和盐酸溶液入口、第一饱和盐酸溶液喷淋口、二氧化硅颗粒出口和混合气体出口 ； 吸收装置，所述吸收装置与所述二级淋洗塔的所述混合气体出口相连；以及 盐酸解析装置，所述盐酸解析装置与所述吸收装置相连。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，进一步包括: 盐酸储槽，所述盐酸储槽与所述吸收装置和所述盐酸解析装置相连。3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，进一步包括: 干燥装置，所述干燥装置与所述盐酸解析装置相连，所述干燥装置具有四氯化硅入口和四氯化娃喷淋口。4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，进一步包括: 压滤机，所述压滤机与所述一级淋洗塔的所述固液混合物出口相连； 干燥脱酸装置，所述干燥脱酸装置与所述压滤机相连。5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述吸收装置是降膜吸收装置和/或组合吸收塔。
【文档编号】C01B33/12GK205527779SQ201620021115
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年1月11日
【发明人】宋东明, 丁丙恒, 宋良杰, 邓亮, 梁景坤, 罗平, 马启坤, 沈宗喜, 彭德祥
【申请人】昆明冶研新材料股份有限公司