1.一种rf射频装置的键合方法，其包括：
(1)形成第一待键合部分，所述第一待键合部分包括阵列排布的多个射频芯片封装单元；
(2)形成第二待键合部分，所述第二待键合部分包括阵列排布的多个射频线圈封装单元；
(3)检测所述第一和第二待键合部分，获得第一和第二待键合部分的有效封装单元和无效封装单元的分布图；
(4)预对准所述第一和第二待键合部分，测算出最佳对准位置，该最佳对准位置使得所述多个射频芯片封装单元的有效封装单元与所述多个射频线圈封装单元的有效封装单元获得最大程度的对准；
(5)在最佳对准位置处，将对准的两个封装单元之一为无效封装单元的射频芯片封装单元或射频线圈封装单元切割取下；
(6)在被切割取下的无效射频芯片封装单元位置替换成另一有效射频芯片封装单元，在被切割取下的无效射频线圈封装单元位置通过半导体工艺形成有效射频线圈封装单元；
(7)将所述第一和第二待键合部分进行热压键合，使得所述多个射频芯片封装单元与所述多个射频线圈封装单元分别电连接；
(8)切割形成单个的rf射频装置。
2.根据权利要求1所述的rf射频装置的键合方法，其特征在于：所述第一待键合部分包括第一键合表面，所述第一键合表面由第一通孔的上表面和第一绝缘层的上表面构成。
3.根据权利要求2所述的rf射频装置的键合方法，其特征在于：所述第二待键合部分包括第二键合表面，所述第二键合表面由第二通孔的上表面和第一封装树脂的上表面构成。
4.根据权利要求3所述的rf射频装置的键合方法，其特征在于：在步骤(7)的热压键合过程中，使得所述第一通孔与第二通孔键合、所述第一绝缘层与第一封装树脂键合。
5.根据权利要求1所述的rf射频装置的键合方法，其特征在于：形成所述第二键合部分具体包括：在具有离型膜的载板上形成保护膜；在所述保护膜上沉积导电层并进行图案化以形成多个线圈；在所述载板上注塑形成所述第一密封树脂，以密封所述多个线圈；在所述第一密封树脂内形成多个第二通孔，所述多个第二通孔分别与所述多个线圈电连接。
6.根据权利要求5所述的rf射频装置的键合方法，其特征在于：所述步骤(6)中的所述另一有效射频芯片封装单元来自于切割另一第一待键合部分而得到，而通过半导体工艺形成有效射频线圈封装单元具体包括：在被切割取下的无效射频线圈封装单元位置，沉积另一保护膜，在所述另一保护膜上沉积金属并进行图案化形成一线圈，然后在该位置注入树脂形成密封树脂，然后在所述密封树脂内形成导电通孔。