1.一种同步整流功率半导体场效应晶体管，包括晶体管封装外壳(1)，以及内嵌在晶体管封装外壳(1)内部的晶体管本体(2)，其特征在于：所述晶体管封装外壳(1)包括封装底板(101)和封装阶梯上盖(102)，所述封装底板(101)的中心位置设有若干均匀分布的导向镂空立杆(3)，所述封装底板(101)上表面在导向镂空立杆(3)包围的空间内固定设有导热硅胶垫片(4)，所述导热硅胶垫片(4)的上表面设有镂空承载贴片(5)，所述晶体管本体(2)固定粘附在镂空承载贴片(5)上，所述封装阶梯上盖(102)安装有若干与导向镂空立杆(3)匹配的空腔导管(6)，所述封装阶梯上盖(102)内壁在空腔导管(6)包围的空间内设有减震防护海绵垫(7)，所述减震防护海绵垫(7)的外表面也固定设有上导热硅胶垫片(8)；
所述封装底板(101)两侧边缘在导向镂空立杆(3)的外侧设有若干均匀分布的下沉凹槽(9)，所述封装阶梯上盖(102)的两侧边缘设有与下沉凹槽(9)匹配的弹性夹片(10)，所述封装底板(101)和封装阶梯上盖(102)的周向边缘均涂覆有粘附胶层(11)。
2.根据权利要求1所述的一种同步整流功率半导体场效应晶体管，其特征在于：所述减震防护海绵垫(7)的内部设有若干均匀分布的透气孔(12)。
3.根据权利要求1所述的一种同步整流功率半导体场效应晶体管，其特征在于：所述导向镂空立杆(3)的下端设有限位凸起圈(13)，所述空腔导管(6)的内壁上设有与限位凸起圈(13)匹配的卡定环(14)。
4.根据权利要求1所述的一种同步整流功率半导体场效应晶体管，其特征在于：所述封装阶梯上盖(102)的两侧边缘还设有U形按压定位槽(15)。
5.根据权利要求1所述的一种同步整流功率半导体场效应晶体管，其特征在于：所述封装底板(101)和封装阶梯上盖(102)的外表面设有散热空腔(16)，所述散热空腔(16)外罩设有隔热板层(17)。