一种金属玻璃胶囊微封装型的红外发光二极管的制作方法

文档序号:19090310发布日期:2019-11-08 23:51阅读:414来源:国知局
一种金属玻璃胶囊微封装型的红外发光二极管的制作方法

本实用新型涉及器件封装技术领域,特别涉及一种金属玻璃胶囊微封装型的红外发光二极管。



背景技术:

发光二极管是以光为媒介传输电信号的一种电-光转换器件。

目前,光电器件用胶囊型封装结构作为一种小型的光电器件封装结构,这种封装结构在航天器用光电晶体管、光电二极管中常常使用。但是,现有的发光二极管器件存在着外形尺寸较大的问题,并不能作为航天器件适用。由此可见,现有技术领域中对胶囊型封装结构的器件的需求迫在眉睫。

因此,现有技术中迫切地需要一种金属玻璃胶囊微封装型的红外发光二极管,以解决现有的发光二极管器件外形尺寸较大的问题。



技术实现要素:

(一)实用新型目的

为克服上述现有技术存在的至少一种缺陷,本实用新型提供了一种金属玻璃胶囊微封装型的红外发光二极管,以解决现有技术中红外发光二极管器件外形尺寸较大的问题。

(二)技术方案

作为本实用新型的第一方面,本实用新型公开了一种金属玻璃胶囊微封装型的红外发光二极管,包括:红外发光二极管芯片和金属玻璃全密封封装管壳;

所述红外发光二极管芯片设置于所述金属玻璃全密封封装管壳内;

所述金属玻璃全密封封装管壳包括管座,所述管座包括:安装耳金属环、绝缘隔离环和金属底座;

所述绝缘隔离环设置于所述金属底座与所述安装耳金属环之间;

所述金属底座连接所述红外发光二极管芯片的第一电极;

所述安装耳金属环连接所述红外发光二极管芯片的第二电极。

一种可能的实施方式中,所述金属底座内设置第一金属化区域,所述第一金属化区域连接所述红外发光二极管芯片的所述第一电极。

一种可能的实施方式中,所述安装耳金属环上设置有第二金属化区域,所述第二金属化区域与键合丝金丝的一端连接,所述键合丝金丝的另一端与所述红外发光二极管芯片的所述第二电极连接。

一种可能的实施方式中,所述金属玻璃全密封封装管壳包括管帽,所述管帽包括:玻璃和第一连接环。

一种可能的实施方式中,所述第一连接环通过第二连接环与所述安装耳金属环连接,进而实现所述管帽与所述管座的密封连接。

一种可能的实施方式中,所述第一连接环为金属焊接环,所述第二连接环为金锡焊料环;所述金属焊接环通过采用所述金锡焊料环进行回流焊焊接在所述安装耳金属环上,与所述安装耳金属环进行全密封焊接。

一种可能的实施方式中,所述金属底座与所述安装耳金属环为外部引脚。

一种可能的实施方式中,所述第一电极为正电极,所述第二电极为负电极。

一种可能的实施方式中,所述金属玻璃全密封封装管壳的金属化区域外表面镀有镍层,所述镍层外有镀金层。

一种可能的实施方式中,所述绝缘隔离环为陶瓷绝缘隔离环。

(三)有益效果

本实用新型提供的一种金属玻璃胶囊微封装型的红外发光二极管,将红外发光二极管芯片设置于金属玻璃全密封封装管壳内,使用金属底座与安装耳金属环作为外部引脚,解决了现有技术中红外发光二极管器件外形尺寸较大的问题,实现了红外发光二极管芯片的微封装。

附图说明

以下参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释和说明本实用新型,而不能理解为对本实用新型的保护范围的限制。

图1是本实用新型提供的一种金属玻璃胶囊微封装型的红外发光二极管的装配剖切图的结构示意图。

图2是本实用新型提供的一种金属玻璃胶囊微封装型的红外发光二极管的俯视剖切图的结构示意图。

图3是本实用新型提供的一种金属玻璃胶囊微封装型的红外发光二极管的管帽的结构示意图。

图4是本实用新型提供的一种金属玻璃胶囊微封装型的红外发光二极管的金锡焊料环的结构示意图。

图5是本实用新型提供的一种金属玻璃胶囊微封装型的红外发光二极管的正视及侧视剖切图的结构示意图。

图6是本实用新型提供的一种金属玻璃胶囊微封装型的红外发光二极管的管壳引脚位置及正视、侧视外形图的结构示意图。

图7是本实用新型提供的一种金属玻璃胶囊微封装型的红外发光二极管的俯视外形图的结构示意图。

附图标记:

1 金属玻璃全密封封装管壳

2 金属底座

3 绝缘隔离环

4 安装耳金属环

5 第一金属化区域

6 第二金属化区域

7 红外发光二极管芯片

8 键合丝金丝

9 管帽

10 玻璃

11 第一连接环

12 第二连接环

具体实施方式

为使本实用新型实施的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行更加详细的描述。

需要说明的是:在附图中,自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,均仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型保护范围的限制。

下面参考图1-7详细描述本实用新型提供的一种金属玻璃胶囊微封装型的红外发光二极管的第一实施例。如图1-7所示,本实施例提供的胶囊微封装型的红外发光二极管主要包括:红外发光二极管芯片和金属玻璃全密封封装管壳。

所述红外发光二极管芯片设置于所述金属玻璃全密封封装管壳内,实现了红外发光二极管芯片的密封微封装。

所述金属玻璃全密封封装管壳包括管座,所述管座包括:安装耳金属环、绝缘隔离环和金属底座。如图1所示,金属玻璃全密封封装管壳1内设置有安装耳金属环4、绝缘隔离环3和金属底座2。

所述绝缘隔离环设置于所述金属底座与所述安装耳金属环之间;所述金属底座连接所述红外发光二极管芯片的第一电极;所述安装耳金属环连接所述红外发光二极管芯片的第二电极。如图1所示,将所述红外发光二极管芯片7的第一电极连接所述金属底座2,所述红外发光二极管芯片7的第二电极连接安装耳金属环4,并将绝缘隔离环3设置于金属底座2与安装耳金属环4之间,使得绝缘隔离环3能够将金属底座2与安装耳金属环4隔离开,以防电流在金属底座2与安装耳金属环4之间流动而破坏电路的正常运行。

具体来说,所述金属底座内设置第一金属化区域,所述第一金属化区域连接所述红外发光二极管芯片的所述第一电极。如图2所示,可将红外发光二极管芯片7背面的第一电极粘接于第一金属化区域5的中心位置处。通过第一金属化区域可实现金属底座与红外发光二极管芯片之间的连接。

所述安装耳金属环上设置有第二金属化区域,所述第二金属化区域与键合丝金丝的一端连接,所述键合丝金丝的另一端与所述红外发光二极管芯片的所述第二电极连接。如图2所示,键合丝金丝8设置于安装耳金属环的第二金属化区域6上,键合丝金丝8与红外发光二极管芯片7的第二电极连接。通过键合丝金丝可实现安装耳金属环与红外发光二极管芯片之间的连接。

所述金属玻璃全密封封装管壳包括管帽,所述管帽包括:玻璃和第一连接环。如图3所示,管帽可以由玻璃10和第一连接环11组成。通过管帽的第一连接环可实现与金属玻璃全密封封装管壳内的管座的连接。

所述第一连接环通过第二连接环与所述安装耳金属环连接,进而实现所述管帽与所述管座的密封连接。第二连接环12如图4所示。可将管帽的第一连接环通过第二连接环与管座的安装耳金属环连接,从而由第二连接环将管帽与管座密封连接形成金属玻璃全密封封装管壳。图7是管帽与管座连接后的俯视外形图的结构示意图。

所述第一连接环为金属焊接环,所述第二连接环为金锡焊料环;所述金属焊接环通过采用所述金锡焊料环进行回流焊焊接在所述安装耳金属环上,与所述安装耳金属环进行全密封焊接。当第一连接环为金属焊接环,第二连接环为金锡焊料环时,可通过焊接的方式实现管帽与管座的全密封焊接,以此形成金属玻璃全密封封装管壳。图5为密封焊接后形成的金属玻璃全密封封装管壳1的正视及侧视剖切图的结构示意图。

所述金属底座与所述安装耳金属环为外部引脚。如图6所示,金属底座2和安装耳金属环4代替了现有技术中的引脚,改善了现有技术中红外发光二极管外形尺寸较大的问题。

所述第一电极为正电极,所述第二电极为负电极。将红外发光二极管芯片的正电极与管座的金属底座粘接;红外发光二极管芯片的负电极通过键合丝金丝与管座的安装耳金属环连接,可以实现红外发光二极管芯片与金属玻璃全密封封装管壳的连接。

所述金属玻璃全密封封装管壳的金属化区域外表面镀有镍层,所述镍层外有镀金层。管帽为金属玻璃管帽,在金属玻璃全密封封装管壳的金属化区域外表面先镀镍层作为镀金层的打底,增加耐磨性能。

所述绝缘隔离环为陶瓷绝缘隔离环。陶瓷绝缘隔离环的电阻率和绝缘强度非常高,陶瓷绝缘隔离环不仅能够起着导体的机械支持、散热及电路环境保护等作用,而且具有与导体材料尽可能一致的热膨胀性、耐热性、高强性及化学稳定性等。

本实用新型通过将红外发光二极管芯片与管座内的金属底座和安装耳金属环连接,进而由安装耳金属环通过第二连接环连接管帽上的第一连接环,从而形成一种胶囊微封装型的红外发光二极管,解决了现有技术中红外发光二极管器件外形尺寸较大的问题,实现了红外发光二极管芯片的微封装。

以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

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