1.一种银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述银纳米线导电薄膜包括：层叠设置在基板上的银纳米线膜层和光阻干膜层；其中，所述银纳米线膜层与所述基板相邻，且所述银纳米线膜层与所述基板之间设置有边缘走线层。
2.如权利要求1所述的银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述边缘走线层为边缘走线银浆层或边缘走线铜箔层。
3.如权利要求1所述的银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述边缘走线导电层的厚度为1-10um。
4.如权利要求1所述的银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述银纳米线膜层的厚度为0.05-1um。
5.如权利要求1所述的银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述光阻干膜层的厚度为1-100um。
6.如权利要求1-5任一项所述的银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述基板选自pet膜、tac薄膜、pen薄膜、cpi膜、cop膜、pdms膜和玻璃膜中的任意一种。
7.如权利要求1-5任一项所述的银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述银纳米线导电薄膜为图案化的银纳米线导电薄膜。
8.一种触控器件，其特征在于，所述触控器件包括权利要求1-7任一项所述的银纳米线导电薄膜和设置在所述银纳米线导电薄膜表面的盖板。
9.如权利要求8所述的触控器件，其特征在于，所述盖板为玻璃盖板。
10.如权利要求8所述的触控器件，其特征在于，所述盖板为高分子盖板。