1.一种发光二极管器件，至少包含发光二极管芯片；
其特征在于，所述发光二极管芯片包含：
半导体外延层，包括第一半导体外延层、第二半导体外延层和位于两者之间的发光层；
一绝缘衬底，该衬底的两侧相对设置有第一金属层和第二金属层；第一金属层和第二金属层极性相反，第一金属层与第一半导体外延层电连接，第二金属层与第二半导体外延层电连接。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管器件，其特征在于，第一金属层、第二金属层和位于两者之间的绝缘衬底构成电容，与半导体外延层构成并联电路。
3.根据权利要求2所述的一种发光二极管器件，其特征在于，第一金属层、第二金属层和位于两者之间的绝缘衬底构成电容为0.5pf至100pf。
4.根据权利要求2所述的一种发光二极管器件，其特征在于，第一金属层和第二金属层正对的面积为s，绝缘衬底的介电常数为ε，真空的介电常数为ε0，绝缘衬底的厚度为d，电容c=ε*ε0*s/d。
5.根据权利要求1或2所述的一种发光二极管器件，其特征在于，绝缘衬底采用材料的介电常数不小于3.3。
6.根据权利要求1或2所述的一种发光二极管器件，其特征在于，第一金属层和第二金属层正对的面积大于0.5mm2。
7.根据权利要求1或2所述的一种发光二极管器件，其特征在于，绝缘衬底的厚度为80μm到150μm。
8.根据权利要求1或2所述的一种发光二极管器件，其特征在于，绝缘衬底的材料包括氧化铝、氮化铝或者氧化硅。
9.根据权利要求1或2所述的一种发光二极管器件，其特征在于，第一金属层和第二金属层包括欧姆接触层、键合层、粘附层、金属反射层、金属导电膏或者金属导电胶。
10.根据权利要求1或2所述的一种发光二极管器件，其特征在于，发光二极管器件包括用于承载发光二极管芯片的封装基板。
11.根据权利要求10所述的一种发光二极管器件，其特征在于，其中第一金属层位于衬底远离封装基板的一侧，第二金属层，位于衬底与封装基板之间。
12.根据权利要求10所述的一种发光二极管器件，其特征在于，封装基板具有相互电隔离的第一极性导电层和第二极性导电层；其中第一金属层与第一极性导电层电连接，第二金属层与第二极性导电层电连接。
13.根据权利要求10所述的一种发光二极管器件，其特征在于，第二金属层为第二极性导电层。
14.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于，发光二极管芯片包括第一电性连接部和第二电性连接部，其中第一电性连接部与第一半导体外延层电连接，第二电性连接部与第二半导体外延层电连接。
15.根据权利要求14所述的一种发光二极管器件，其特征在于，半导体外延层靠近衬底的一侧利用移除工艺裸露出第一半导体外延层，同时通过靠近衬底的一侧将第一半导体外延层与第一电性连接部接触。
16.根据权利要求14所述的一种发光二极管器件，其特征在于，半导体外延层靠近衬底的一侧具有利用移除工艺制作的复数个孔洞，裸露出第一半导体外延层，利用绝缘材料覆盖孔洞侧壁，再利用填充金属覆盖孔洞，填充金属将第一金属层和第一半导体外延层电连接。
17.根据权利要求14所述的一种发光二极管器件，其特征在于，通过焊线将第一电性连接部与第一极性导电层电连接，或/和第二电性连接部与第二极性导电层电连接。
18.根据权利要求14所述的一种发光二极管器件，其特征在于，第一电性连接部和第二电性连接部的材料包括金属、合金、ito、gzo、azo或者以上任意组合。
19.一种发光二极管芯片，其特征在于，包含：
半导体外延层，包括：第一半导体外延层、第二半导体外延层和位于两者之间的发光层；
一绝缘衬底，
该衬底的两个表面相对设置有第一金属层和第二金属层。
20.根据权利要求19所述的一种发光二极管芯片，其特征在于，第一金属层、第二金属层和位于两者之间的绝缘衬底构成电容。
21.根据权利要求20所述的一种发光二极管芯片，其特征在于，第一金属层、第二金属层和位于两者之间的绝缘衬底构成电容为0.5pf至100pf。
22.根据权利要求19或20所述的一种发光二极管芯片，其特征在于，绝缘衬底采用材料的介电常数不小于3.3。
23.根据权利要求19或20所述的一种发光二极管芯片，其特征在于，第一金属层和第二金属层正对的面积大于0.5mm2。
24.根据权利要求19或20所述的一种发光二极管芯片，其特征在于，绝缘衬底的厚度为80μm到150μm。
25.根据权利要求19或20所述的一种发光二极管芯片，其特征在于，绝缘衬底的材料包括氧化铝、氮化铝或者氧化硅。
26.根据权利要求19或20所述的一种发光二极管芯片，其特征在于，第一金属层和第二金属层包括欧姆接触层、键合层、粘附层或者金属反射层。
27.根据权利要求19或20所述的一种发光二极管芯片，其特征在于，发光二极管芯片包括第一电性连接部和第二电性连接部，其中第一电性连接部与第一半导体外延层电连接，第二电性连接部与第二半导体外延层电连接。
28.根据权利要求27所述的一种发光二极管芯片，其特征在于，半导体外延层靠近衬底的一侧利用移除工艺裸露出第一半导体外延层，同时通过靠近衬底的一侧依次与第一电性连接部。
29.根据权利要求27所述的一种发光二极管芯片，其特征在于，半导体外延层靠近衬底的一侧利用移除工艺制作复数个孔洞，裸露出第一半导体外延层，利用绝缘层覆盖孔洞侧壁，利用填充金属覆盖孔洞，填充金属将第一金属层和第一半导体外延层电连接。
30.根据权利要求27所述的一种发光二极管芯片，其特征在于，第一电性连接部和第二电性连接部的材料包括金属、合金、ito、gzo、azo或者以上任意组合。
31.一种led灯具，包括：权利要求1至权利要求18中任意一项所述的发光二极管器件。
32.根据权利要求31所述的一种led灯具，其特征在于，灯具为呼吸灯或者警示灯。