1.一种基板处理方法，具备有：
工序(a)，使溶解至处理液的氧减少并生成低氧处理液；以及
工序(b)，对在主表面上形成有第一金属部以及接触到所述第一金属部的第二金属部的基板供给所述低氧处理液并进行所述主表面的处理；
在所述工序(b)中，使所述低氧处理液接触到所述第一金属部与所述第二金属部之间的界面，由此抑制比所述第一金属部还贵的所述第二金属部中的氧还原反应并抑制所述第一金属部的溶解。
2.如权利要求1所记载的基板处理方法，其中，
在所述工序(a)中，将氧以外的气体的气泡供给至所述处理液中，由此使所述处理液中的氧减少。
3.如权利要求1所记载的基板处理方法，其中，
在所述工序(a)中，一边在由氧透过材料所形成的管路使所述处理液流动一边将所述管路的外侧的空间设定成低氧环境气体，由此使所述处理液中的氧减少。
4.如权利要求1所记载的基板处理方法，其中，
所述低氧处理液的溶解氧浓度在500ppb以下。
5.如权利要求1至4中任一项所记载的基板处理方法，其中，
进一步具备有：工序(c)，在所述工序(a)之前，设定所述低氧处理液的溶解氧浓度的目标值；
在所述工序(a)中的所述低氧处理液的生成中，以所述低氧处理液的溶解氧浓度变成所述目标值以下的方式进行控制。
6.如权利要求5所记载的基板处理方法，其中，
在所述工序(c)中，溶解氧浓度的所述目标值依据所述第一金属部与所述第二金属部的组合而设定。
7.如权利要求5或6所记载的基板处理方法，其中，
在所述工序(b)中，在被供给至所述基板的时间点的所述低氧处理液的溶解氧浓度在所述目标值以下。
8.如权利要求1至7中任一项所记载的基板处理方法，其中，
进一步具备有：工序(d)，与所述工序(b)并行，对所述基板的所述主表面的上侧的空间供给非活性气体并降低环境气体中的氧浓度。
9.如权利要求8所记载的基板处理方法，其中，
在所述工序(d)中，朝所述基板的外缘部附近的空间喷射所述非活性气体。
10.如权利要求1至9中任一项所记载的基板处理方法，其中，
在所述工序(b)中被供给至所述基板的所述低氧处理液为被用于所述基板的所述主表面的清洗处理的清洗药液；
所述基板处理方法进一步具备有：工序(e)，在所述工序(b)之后，对所述基板的所述主表面供给冲洗液并对所述主表面进行冲洗处理；
在所述工序(b)中，对以第一旋转速度旋转中的所述基板的所述主表面供给所述低氧处理液；
在所述工序(e)中，对以比所述第一旋转速度还高的第二旋转速度旋转中的所述基板的所述主表面供给所述冲洗液。
11.如权利要求1至10中任一项所记载的基板处理方法，其中，
所述第一金属部包含于设置在所述基板的所述主表面的配线部。
12.如权利要求1至11中任一项所记载的基板处理方法，其中，
所述工序(b)中的所述处理为从所述基板的所述主表面去除在所述工序(b)之前所进行的前处理的处理残渣的清洗处理。
13.一种基板处理装置，具备有：
氧降低部，使溶解至处理液的氧减少并生成低氧处理液；以及
液体供给部，对在主表面上形成有第一金属部以及接触到所述第一金属部的第二金属部的基板供给所述低氧处理液；
使所述低氧处理液接触到所述第一金属部与所述第二金属部之间的界面，由此抑制比所述第一金属部还贵的所述第二金属部中的氧还原反应并抑制所述第一金属部的溶解。