1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：
于基板上形成整面的第一金属层；
于所述第一金属层远离所述基板的表面上形成整面的第二金属层；
于所述第二金属层远离所述第一金属层的表面上形成整面的铜层；
于所述铜层表面形成光阻层，所述光阻层经光罩曝光以及显影液显影后，剩余部分所述光阻层覆盖所述铜层的区域为保留区，显影液去除所述光阻层的区域为蚀刻区；
采用蚀刻液蚀刻所述蚀刻区的铜层、第二金属层以及第一金属层，去除剩余所述光阻层，得所述阵列基板的图案化金属构件；
其中，所述蚀刻液蚀刻所述第一金属层的蚀刻速率大于所述蚀刻液蚀刻所述第二金属层的蚀刻速率，所述第一金属层与所述基板的附着力大于所述铜层与所述基板的附着力。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属层的制备材料包括钼，所述第二金属层的制备材料包括钛以及钒中的至少一种。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属层为钼层，所述第二金属层为钼钛合金层。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的厚度之和大于或等于5纳米且小于或等于100纳米，所述蚀刻液中氟离子的含量大于0wt％且小于0.1wt％。
5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度的取值范围为大于或等于5纳米且小于或等于100纳米，所述第二金属层的厚度的取值范围为大于或等于5纳米且小于或等于100纳米。
6.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述图案化金属构件包括源漏电极以及数据线，和/或，所述图案化金属构件包括栅极以及扫描线。
7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板以及图案化金属构件，所述图案化金属构件包括依次层叠设置于所述基板上的图案化第一金属层、图案化第二金属层以及图案化铜层，
其中，所述图案化第一金属层与所述基板的附着力大于所述图案化铜层与所述基板的附着力，所述图案化金属构件是经过蚀刻液蚀刻依次层叠设置于所述基板上的第一金属层、第二金属层以及铜层得到，所述蚀刻液蚀刻所述第二金属层的蚀刻速率小于所述蚀刻液蚀刻所述第一金属层的蚀刻速率。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层为钼层，所述第二金属层为钼钛合金层。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的厚度之和大于或等于5纳米且小于或等于100纳米。
10.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述图案化金属构件包括源漏电极以及数据线，和/或，所述图案化金属构件包括栅极以及扫描线。