发光元件封装结构的制作方法

本发明涉及一种发光元件封装结构，尤其涉及一种采用发光二极管的发光元件封装结构及其制作方法。

背景技术：

由于发光二极管具有体积小及使用寿命长的优点，因此以发光二极管作为光源的应用已经越来越常见。由于发光二极管是一种具有指向性的光源，所以位于发光二极管前方的光直射区通常具有较高的亮度，而非光直射区域的亮度便较低于光直射区域的亮度。基于发光二极管的指向性特性，因此使得发光二极管多是应用于局部需要高亮度的光源装置中，进而使发光二极管的应用受限。

技术实现要素：

本发明提供一种发光元件封装结构，其具有较佳的侧向出光效果。

本发明还提供一种发光元件封装结构的制作方法，用以制作上述的发光元件封装结构。

本发明的发光元件封装结构，其包括至少一发光元件、波长转换胶层以及保护件。发光元件具有彼此相对的上表面与下表面以及连接上表面与下表面的侧表面。波长转换胶层配置于发光元件的上表面上。波长转换胶层具有彼此相对的第一边缘与第二边缘。保护件包覆发光元件的侧表面与波长转换胶层的第二边缘，且暴露出发光元件的下表面。保护件的第三边缘切齐于波长转换胶层的第一边缘。

在本发明的一实施例中，上述的波长转换胶层包括低浓度胶层以及高浓度胶层。发光元件的上表面接触高浓度胶层。低浓度胶层具有第一边缘与第二边缘。高浓度胶层具有彼此相对的第四边缘与第五边缘。低浓度胶层的第一边缘延伸至高浓度胶层的第四边缘外，而高浓度胶层的第五边缘切齐于低浓度胶层的第二边缘。

在本发明的一实施例中，上述的保护件包括第一保护件与第二保护件。低浓度胶层具有彼此相对的第一表面与第二表面。高浓度胶层配置于低浓度胶层的第一表面上。第二保护件包覆发光元件的侧表面、低浓度胶层的第二边缘以及高浓度胶层的第四边缘与第五边缘。第二保护件的顶面切齐于低浓度胶层的第二表面。第一保护件覆盖低浓度胶层的第二表面与第二保护件的顶面。

在本发明的一实施例中，上述的波长转换胶层的第一边缘的长度大于第二边缘的长度。

在本发明的一实施例中，上述的波长转换胶层具有彼此相对的固晶平台以及倾斜底部。发光元件位于固晶平台上，且倾斜底部与第一边缘的延伸方向之间具有锐角。

在本发明的一实施例中，上述的保护件包括第一保护件与第二保护件。第一保护件包覆波长转换胶层。第二保护件包覆发光元件的侧表面且覆盖第一保护件。

在本发明的一实施例中，上述的发光元件封装结构还包括分布式布拉格反射层，配置于第一保护件相对远离波长转换胶层的侧表面上。

在本发明的一实施例中，上述的发光元件封装结构还包括反射保护层，配置于分布式布拉格反射层上，其中分布式布拉格反射层位于第一保护件与反射保护层之间。

在本发明的一实施例中，上述的发光元件封装结构还包括分布式布拉格反射层，配置于波长转换胶层的倾斜底部上且覆盖倾斜底部。

在本发明的一实施例中，上述的发光元件封装结构还包括分布式布拉格反射层，配置于发光元件的上表面，其中分布式布拉格反射层完全覆盖或部分覆盖发光元件的上表面。

在本发明的一实施例中，上述的发光元件封装结构还包括固晶胶层，配置于发光元件的侧表面与保护件之间。

在本发明的一实施例中，上述的至少一发光元件为多个发光元件。发光元件间隔排列，且相邻的两发光元件暴露出于部分波长转换胶层。

本发明的发光元件封装结构，其包括至少一发光元件、波长转换胶层以及保护件。发光元件具有上表面与下表面以及连接上表面与下表面的侧表面。波长转换胶层配置于发光元件的上表面上，其中波长转换胶层具有彼此相对的第一侧面与第二侧面以及连接第一侧面与第二侧面的顶表面。保护件包覆发光元件的侧表面、波长转换胶层的第二侧面以及波长转换胶层的顶表面，其中保护件的第三侧面切齐于波长转换胶层的第一侧面。

在本发明的一实施例中，上述的波长转换胶层的第一侧面的长度大于第二侧面的长度。

在本发明的一实施例中，上述的波长转换胶层具有与顶表面彼此相对的固晶平台，而发光元件位于固晶平台上。

在本发明的一实施例中，上述的保护件包括第一保护件与第二保护件。第一保护件包覆发光元件的侧表面，而第二保护件包覆波长转换胶层并暴露出波长转换胶层的第一侧面。

本发明的发光元件封装结构，其包括至少一发光元件、第一保护件、波长转换胶层以及第二保护件。发光元件具有上表面与下表面以及连接上表面与下表面的侧表面。第一保护件包覆发光元件的侧表面。波长转换胶层配置于发光元件的上表面及部分第一保护件上，其中波长转换胶层具有彼此相对的第一侧面与第二侧面以及连接第一侧面与第二侧面的顶表面。第二保护件配置于部分第一保护件上并至少包覆波长转换胶层的第二侧面及波长转换胶层的顶表面。发光元件具有出光平面，出光平面包含第一保护件的部分第三侧面、波长转换胶层的第一侧面以及第二保护件的部分第四侧面。

在本发明的一实施例中，上述的波长转换胶层的第一侧面的长度大于第二侧面的长度。

在本发明的一实施例中，上述的波长转换胶层具有与顶表面彼此相对的固晶平台，而发光元件位于固晶平台上。

在本发明的一实施例中，上述的第一保护件还包括反射曲面，反射曲面围绕发光元件的侧表面并与侧表面接触。

本发明的发光元件封装结构的制作方法，其包括以下步骤。提供波长转换胶层，波长转换胶层包括低浓度胶层与高浓度胶层。形成第一保护件于波长转换胶层的低浓度胶层上。进行切割程序，而形成多个第一凹口与多个第二凹口，其中第一凹口暴露出低浓度胶层，而第二凹口分别连通第一凹口且暴露出部分第一保护件，每一第二凹口的孔径小于对应的第一凹口的孔径。将多个发光元件配置于波长转换胶层上，其中每一发光元件具有彼此相对的上表面与下表面以及连接上表面与下表面的侧表面，而发光元件的上表面接触高浓度胶层上。形成第二保护件于第一保护件上，第二保护件包覆发光元件的侧表面与波长转换胶层，且填满第一凹口与第二凹口。进行切割程序，以沿着第二凹口的位置切割第二保护件与第一保护件，而形成多个彼此分离的发光元件封装结构，其中每一发光元件封装结构的第一保护件的第一边缘、第二保护件的第二边缘以及波长转换胶层的低浓度胶层的第三边缘切齐。

在本发明的一实施例中，上述的进行切割程序的步骤包括：进行第一切割程序，以从高浓度胶层切割至低浓度胶层，而形成第一凹口；以及进行第二切割程序，以沿着第一凹口切穿低浓度胶层，而形成第二凹口。

在本发明的一实施例中，上述的发光元件封装结构的制作方法，还包括：将发光元件配置于波长转换胶层上之后，且于形成第二保护件之前，形成固晶胶层于发光元件的侧表面上。

在本发明的一实施例中，上述的发光元件封装结构的制作方法，还包括：于形成第一保护件之后，且于进行切割程序之前，提供双面胶膜，第一保护件位于双面胶膜与低浓度胶层之间。

在本发明的一实施例中，上述的第一保护件的反射率与第二保护件的反射率至少大于90％。

本发明的发光元件封装结构的制作方法，其包括以下步骤。提供第一保护件，第一保护件具有多个第一凹口，每一第一凹口具有倾斜底面。提供波长转换材料以填满第一凹口，而定义出多个波长转换胶层。每一波长转换胶层具有固晶平台，且每一波长转换胶层具有彼此相对的第一边缘与第二边缘，第一边缘的长度大于第二边缘的长度。将多个发光元件分别配置于波长转换胶层上，其中每一发光元件具有彼此相对的上表面与下表面以及连接上表面与下表面的侧表面，而发光元件的上表面分别接触固晶平台。形成第二保护件，以包覆发光元件的侧表面，且覆盖第一保护件与波长转换胶层。进行切割程序，以切割第二保护件与第一保护件，使每一波长转换胶层的第一边缘、第一保护件的第三边缘以及第二保护件的第四边缘切齐，而形成多个发光元件封装结构。

在本发明的一实施例中，上述的发光元件封装结构的制作方法，还包括：于形成第二保护件之后且于进行切割程序之前，形成多个从第二保护件延伸至第一保护件的第二凹口，其中第二凹口分别暴露波长转换胶层的第一边缘，每一第二凹口具有收光斜面与垂直平面，而收光斜面面对波长转换胶层的第一边缘，第一边缘分别切齐于垂直平面。

在本发明的一实施例中，上述的每一第一凹口更具有连接倾斜底面的垂直侧壁，且垂直侧壁的延伸方向与倾斜底面之间具有锐角。

在本发明的一实施例中，上述的发光元件封装结构的制作方法还包括：将发光元件配置于波长转换胶层上之后，且于形成第二保护件之前，形成固晶胶层于发光元件的侧表面上。

在本发明的一实施例中，上述的每一固晶平台与第一保护件的表面具有高度差，且高度差与第一保护件的厚度的比值至少为0.2。

在本发明的一实施例中，上述的第一保护件的反射率与第二保护件的反射率至少大于90％。

在本发明的一实施例中，上述的发光元件封装结构的制作方法还包括：于形成第二保护件之后且于进行切割程序之前，形成分布式布拉格反射层于第一保护件相对远离波长转换胶层的侧表面上。

在本发明的一实施例中，上述的发光元件封装结构的制作方法还包括：于形成分布式布拉格反射层之后，形成反射保护层于分布式布拉格反射层上，其中分布式布拉格反射层位于第一保护件与反射保护层之间。

在本发明的一实施例中，上述的发光元件封装结构的制作方法还包括：于提供第一保护件之后且于提供波长转换材料以填满第一凹口之前，形成多个分布式布拉格反射层于第一凹口内。

在本发明的一实施例中，上述的发光元件封装结构的制作方法还包括：于提供波长转换材料以填满第一凹口之后且于发光元件分别配置于波长转换胶层上之前，形成分布式布拉格反射层波长转换胶层的固晶平台上。

基于上述，由于本发明的发光元件封装结构的保护件会包覆发光元件的侧表面与波长转换胶层的一边缘，而波长转换胶层的另一边缘会与保护件的一边缘切齐，因此发光元件所发出的光可通过保护件的设计而产生反射效果，而通过波长转换胶层的设计而将发光元件所发出的光由正向出光导引至侧向出光。如此一来，本发明的发光元件封装结构除了可具有较佳的侧向出光效果之外，亦具有较大的发光面积与较佳的发光均匀性。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1a至图1f显示为本发明的一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的剖面示意图；

图2显示为本发明的一实施例的一种发光元件封装结构的剖面示意图；

图3a至图3g显示为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的剖面示意图；

图4a显示为图3g的发光元件封装结构的立体示意图；

图4b显示为沿图4a的线y-y的剖面示意图；

图5a至图5e显示为本发明的多个实施例的发光元件封装结构的剖面示意图。

附图标记说明：

10：双面胶膜；

100a、100a’、200、200a、200b、200c、200d、200e：发光元件封装结构；

110：波长转换胶层；

112：低浓度胶层；

112a、112b、114a、114b、120a、150a、210a、221、223、250a：边缘；

112c、112d：表面；

114：高浓度胶层；

120、210：第一保护件；

130：发光元件；

132：上表面；

133：电极；

134：下表面；

136：侧表面；

140：固晶胶层；

150：第二保护件；

151：顶面；

153：底面；

212：倾斜底面；

214：垂直侧壁；

216：表面；

220：波长转换胶层；

220a：波长转换材料；

222：固晶平台；

224：倾斜底部；

230：发光元件；

232：上表面；

234：下表面；

236：侧表面；

240：固晶胶层；

250：第二保护件；

260a、260c、260d、260e：分布式布拉格反射层；

270：反射保护层；

a：锐角；

c1、c1’：第一凹口；

c2、c2’：第二凹口；

c21：收光斜面；

c22：垂直平面；

d：长度；

d：距离；

h：高度差；

h1：总高度；

l1：总长度；

l2、l3：长度；

t1、t2：厚度；

w、w1、w2：宽度。

具体实施方式

图1a至图1f显示为本发明的一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的剖面示意图。需说明的是，图1a至图1f是沿着一方向(如x-x方向)所显示的剖面示意图，因此所形成的每一发光元件封装结构中仅有一个发光元件；但于另一方向(如y-y)上，每一发光元件封装结构也可有多个发光元件。

关于本实施例的发光元件封装结构的制作方法，首先，请参考图1a，提供波长转换胶层110，其中波长转换胶层110包括低浓度胶层112与高浓度胶层114。此处，形成波长转换胶层110的步骤例如是先通过点胶的方式将由荧光粉(未显示)及硅胶(未显示)所组成的波长转换胶材料层(未显示)形成于离型膜(未显示)上，之后净置波长转换胶材料层一段时间，如24小时后，因为荧光粉跟硅胶的密度差异而形成具有分离的低浓度胶层112与高浓度胶层114的波长转换胶层110，其中高浓度胶层114会沉淀于低浓度胶层112的下方，而高浓度胶层114例如是黄色，低浓度胶层112例如是透明的，但并不以此为限。在本实施例中，低浓度胶层112的厚度大于高浓度胶层114的厚度，因此可增加混光机率。在一实施例中，低浓度胶层112的厚度与高浓度胶层114的厚度的比值可介于1至100间。

接着，请再参考图1a，形成第一保护件120于波长转换胶层110的低浓度胶层112上，其中低浓度胶层112位于高浓度胶层114与第一保护件120之间。此处，第一保护件120完全覆盖低浓度胶层112的表面112c，其中第一保护件120的反射率至少大于90％，而第一保护件120例如是白胶层或金属镀层。接着，移除离型膜并翻转波长转换胶层110与第一保护件120，并提供双面胶膜10，以第一保护件120固定于双面胶膜10上且位于双面胶膜10与低浓度胶层112之间。

接着，请参考图1a与图1b，进行切割程序，而形成多个第一凹口c1与多个第二凹口c2，其中第一凹口c1暴露出高浓度胶层114，而第二凹口c2分别连通第一凹口c1且暴露出部分第一保护件120。此处，每一第二凹口c2的孔径小于对应的第一凹口c1的孔径。

详细来说，进行切割程序的步骤包括：请再参考图1a，进行第一切割程序，以从高浓度胶层114切割至低浓度胶层112，而形成第一凹口c1。此时，第一凹口c1仅贯穿高浓度胶层114。接着，请参考图1b，进行第二切割程序，以沿着第一凹口c1切穿低浓度胶层112，而形成第二凹口c2。换言之，第二凹口c2贯穿低浓度胶层112。由于第一凹口c1与第二凹口c2的形成，因而导致低浓度胶层112的表面积大于高浓度胶层114的表面积，可有效增加出光面积。如图1b所示，第一凹口c1的孔径大于第二凹口c2的孔径，且高浓度胶层114的边缘114a切齐于低浓度胶层112的边缘112a。

接着，请参考图1c，将多个发光元件130配置于波长转换胶层110上，其中每一发光元件130具有彼此相对的上表面132与下表面134以及连接上表面132与下表面134的侧表面136，而发光元件130的上表面132接触高浓度胶层114上，以增加光取出率及改善光型。每一发光元件130例如是为发光波长介于315纳米至780纳米之间的发光二极管芯片，而发光二极管芯片包括但不限于紫外光、蓝光、绿光、黄光、橘光或红光发光二极管芯片。

接着，请再参考图1c，形成固晶胶层140于发光元件130的侧表面136上。如图1c所示，固晶胶层140由每一发光元件130的下表面134往上表面132逐渐增厚，且固晶胶层140相对于发光元件130的侧表面136具有内凹表面，但并不以此为限。于其他未显示的实施例中，亦可通过控制形成固晶胶层的量，而使固晶胶层相对于发光元件的侧表面具有外凸表面或倾斜表面，上述仍属于本发明所欲保护的范围。此处，固晶胶层140的目的除了在于固定发光元件130的位置之外，亦可有效增加发光元件130的侧向出光。

最后，请参考图1d，形成第二保护件150于第一保护件120上，其中第二保护件150包覆发光元件130的侧表面136与波长转换胶层110，且填满第一凹口c1与第二凹口c2。此处，第二保护件150完全包覆发光元件130与波长转换胶层110，仅暴露出发光元件130的下表面134以及位于下表面134上的电极133。第二保护件150的反射率与第一保护件120的反射率可相同，即至少大于90％，而第二保护件150例如是白胶层。

之后，请参考图1e与图1f，进行切割程序，以沿着第二凹口c2的位置切割第二保护件150与第一保护件120，而形成多个彼此分离的发光元件封装结构100a，其中每一发光元件封装结构100a的第一保护件120的边缘120a、第二保护件150的边缘150a以及波长转换胶层110的低浓度胶层112的边缘112b切齐。最后，移除双面胶膜10，而完成发光元件封装结构100a的制作。需说明的是，为了方便说明起见，图1f仅示意地显示一个发光元件封装结构100a。

在结构上，请再参考图1f，发光元件封装结构100a包括发光元件130、波长转换胶层110以及保护件。发光元件130具有彼此相对的上表面132与下表面134、连接上表面132与下表面134的侧表面136以及位于下表面134上的电极133。波长转换胶层110配置于发光元件130的上表面132上，其中波长转换胶层110包括低浓度胶层112以及高浓度胶层114，而高浓度胶层114配置于低浓度胶层112的表面112d上。发光元件130的上表面132接触高浓度胶层114，以增加光取出率及改善光型。如图1f所示，低浓度胶层112的边缘112b延伸至高浓度胶层114的边缘114b外，而高浓度胶层114的边缘114a切齐于低浓度胶层112的边缘112a。

请再参考图1f，保护件的反射率至少大于90％，其中保护件包括第一保护件120与第二保护件150。详细来说，第二保护件150包覆发光元件130的侧表面136、低浓度胶层112的边缘112a以及高浓度胶层114的边缘114a与边缘114b。第二保护件150的顶面151切齐于低浓度胶层112的表面112c，而第二保护件150的底面153切齐于发光元件130的下表面134且暴露出电极133。第一保护件120覆盖低浓度胶层112的表面112c与第二保护件150的顶面151。特别是，第一保护件120的边缘120a、第二保护件150的边缘150a以及波长转换胶层110的低浓度胶层112的边缘112b实质上切齐。此外，发光元件封装结构100a还包括固晶胶层140，配置于发光元件130的侧表面136与第二保护件150之间，以固定发光元件130的位置之外，并增加发光元件130的侧向出光效果。

由于本实施例的发光元件封装结构100a的第二保护件150会包覆发光元件130的侧表面136与波长转换胶层110的低浓度胶层112的边缘112a与高浓度胶层114的边缘114a及边缘114b，且波长转换胶层110的低浓度胶层112的边缘112b会与第一保护件120的边缘120a及第二保护件150的边缘150a切齐。因此，发光元件130所发出的光可通过第一保护件120与第二保护件150的设计而产生反射效果，而通过波长转换胶层110的设计而将发光元件130所发出的光由正向出光导引至侧向出光。如此一来，本实施例的发光元件封装结构100a除了可具有较佳的侧向出光效果之外，亦具有较大的发光面积与较佳的出光均匀性。

在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，相同技术内容的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图2显示为本发明的一实施例的一种发光元件封装结构的剖面示意图。需说明的是，图2是沿着一方向(如y-y)所显示的剖面示意图，其中此方向是垂直于图1a至图1f所显示的方向。请参考图2，本实施例的发光元件封装结构100a’与图1f中的发光元件封装结构100a相似，差异之处在于：本实施例的发光元件封装结构100a’具体化为多晶结构，意即具有多个发光元件130，其中发光元件130间隔排列，且相邻的两发光元件130暴露出于部分波长转换胶层110。由于发光元件封装结构100a’中的这些发光元件130仅与一个波长转换胶层110相接触，意即这些发光元件130具有同一发光面，因此本实施例的发光元件封装结构100a’可具有较大的发光面积与较佳的发光均匀性。

图3a至图3g显示为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的剖面示意图。关于本实施例的发光元件封装结构的制作方法，首先，请参考图3a，提供第一保护件210，其中第一保护件210具有多个第一凹口c1’，且每一第一凹口c1’具有倾斜底面212。此处，第一保护件210的反射率至少大于90％，而第一保护件210例如是白胶层或金属镀层。第一凹口c1’是通过单斜面切割的方式所形成，其中每一第一凹口c1’更具有连接倾斜底面212的垂直侧壁214，且垂直侧壁214的延伸方向l与倾斜底面212之间具有锐角a。较佳地，锐角a例如是80度，但并不以此为限。第一凹口c1’的宽度w1例如是600微米，但并不以此为限。

接着，请参考图3b，提供波长转换材料220a以填满第一凹口c1’，而定义出多个波长转换胶层220。此处，是通过点胶的方式将波长转换材料220a填入第一凹口c1’内，之后通过加热固化的方式而形成波长转换胶层220。

接着，请参考图3c，通过刮刀刮拭的方式于每一波长转换胶层220上定义出固晶平台222，其中第一凹口c1’的宽度w1为固晶平台222的宽度w2的1.5倍，即固晶平台222的宽度w2例如是400微米，但并不此为限。每一固晶平台222与第一保护件210的表面216具有高度差h，且高度差h与第一保护件210的厚度t1的比值至少为0.2。举例来说，若第一保护件210的厚度t1为250微米，则高度差h为50微米，但并不以此为限。此时，如图3c所示，每一波长转换胶层220具有彼此相对的边缘221与边缘223，边缘221的长度大于边缘223的长度。意即，波长转换胶层220的剖面形状为类似梯形。

接着，请参考图3d，将多个发光元件230分别配置于波长转换胶层220上，其中每一发光元件230具有彼此相对的上表面232与下表面234以及连接上表面232与下表面234的侧表面236，而发光元件230的上表面232分别接触固晶平台222，以增加光取出率及改善光型。每一发光元件230例如是为发光波长介于315纳米至780纳米之间的发光二极管芯片，而发光二极管芯片包括但不限于紫外光、蓝光、绿光、黄光、橘光或红光发光二极管芯片。

接着，请再参考图3d，形成固晶胶层240于发光元件230的侧表面236上，其中固晶胶层240仅与发光元件230的侧表面236以及固晶平台222相接触。如图3d所示，固晶胶层240由每一发光元件230的下表面234往上表面232逐渐增厚，且固晶胶层240相对于发光元件230的侧表面236具有外凸表面，但并不以此为限。于其他未显示的实施例中，亦可通过控制形成固晶胶层的量，而使固晶胶层相对于发光元件的侧表面具有内凹表面或倾斜表面，上述仍属于本发明所欲保护的范围。此处，固晶胶层240的目的除了在于固定发光元件230的位置之外，亦可有效增加发光元件230的侧向出光。

接着，请参考图3e，形成第二保护件250，以包覆发光元件230的侧表面236，且覆盖第一保护件210与波长转换胶层220。此时，第二保护件250仅暴露出发光元件230的下表面234，而第一保护件210与第二保护件250的设置可将发光元件230、固晶胶层240以及波长转换胶层220完全密封。此处，第二保护件250的反射率与第一保护件210的反射率可相同，即至少大于90％，而第二保护件250例如是白胶层。第二保护件250的厚度t2例如是第一保护件210的厚度t1的0.2倍，举例来说，第一保护件210的厚度t1例如是250微米，而第二保护件250的厚度t2例如是50微米。

之后，请参考图3f，形成多个从第二保护件250延伸至第一保护件210的第二凹口c2’，其中第二凹口c2’分别暴露波长转换胶层220的边缘221。详细来说，每一第二凹口c2’具有收光斜面c21与垂直平面c22，而收光斜面c21对波长转换胶层220的边缘221，且边缘221分别切齐于垂直平面c22。此处，例如是通过切割的方式而形成具有收光斜面c21与垂直平面c22的第二凹口c2’，其中收光斜面c21适于反射发光元件230经由波长转换胶层220的引导所产生侧向光，以方便用户检测发光元件230的出光亮度。

最后，请参考图3g，进行切割程序，以切割第一保护件210，使第一保护件210的边缘210a切齐于第二保护件250的边缘250a以及波长转换胶层220的边缘221，而形成多个发光元件封装结构200。至此，已完成发光元件封装结构200的制作。

在结构上，请参考图3g，每一发光元件封装结构200包括发光元件230、波长转换胶层220以及保护件。发光元件230具有彼此相对的上表面232与下表面234以及连接上表面232与下表面234的侧表面236。波长转换胶层220配置于发光元件230的上表面232上，其中波长转换胶层220的边缘221的长度大于第二边缘223的长度。波长转换胶层220具有彼此相对的固晶平台222以及倾斜底部224。发光元件230位于固晶平台222上，且倾斜底部224与边缘221的延伸方向l之间具有锐角a。保护件包括第一保护件210与第二保护件250，其中第一保护件210包覆波长转换胶层220的倾斜底部224与边缘223，而第二保护件250包覆发光元件230的侧表面236且覆盖第一保护件210并暴露出发光元件230的下表面234。第一保护件210的边缘210a、第二保护件250的边缘250a以及波长转换胶层220的边缘221实质上切齐。

由于本实施例的发光元件封装结构200具有保护件(即第一保护件210与第二保护件250)的设计，其中波长转换胶层220的边缘221与第一保护件210的边缘210a与第二保护件250的边缘250a切齐，且波长转换胶层220的边缘221的长度大于第二边缘223的长度。因此，本实施例的发光元件230所产生的光可先经由波长转换胶层230的引导而产生侧向光。故，本实施例的发光元件封装结构200除了可具有较佳的侧向出光效果之外，亦具有较大的发光面积。

图4a显示为图3g的发光元件封装结构的立体示意图。图4b显示为沿图4a的线y-y的剖面示意图。请同时参考图3g、图4a与图4b，其中需说明的是，图3g所显示的是沿着图4a中的线x-x所显示的剖面示意图。请参考图3g，本实施例的发光元件封装结构200的波长转换胶层220的边缘221的长度d例如是0.22毫米(mm)，而第一保护件210与第二保护件250的总高度h1例如是0.30毫米(mm)，且该第一保护件210与第二保护件250的宽度w例如是0.80毫米(mm)。请参考图4b，发光元件封装结构200的总长度l1例如是2.17毫米(mm)，发光元件230的长度l2例如是1.27毫米(mm)，而波长转换胶层230的长度l3例如是1.87毫米(mm)。发光元件230的边缘与波长转换胶层230的边缘相隔距离d，且此距离d例如是0.30毫米(mm)。

图5a至图5e显示为本发明的多个实施例的发光元件封装结构的剖面示意图。本实施例的发光元件封装结构200a与图3g中的发光元件封装结构200相似，差异之处在于：本实施例的发光元件封装结构200a还包括分布式布拉格反射层260a，配置于第一保护件210相对远离波长转换胶层220的侧表面上。在制程上，可于形成第二保护件250之后且于进行切割程序之前，形成分布式布拉格反射层260a于第一保护件210相对远离波长转换胶层220的侧表面上。此处，分布式布拉格反射层260a的材质例如是二氧化硅(sio2)与二氧化钛(tio2)的叠层或者是二氧化硅(sio2)与五氧化二钽(ta2o5)的叠层，其目的在于遮挡发光元件230的正向光，以减少正向光穿透第一保护件210与第二保护件250，进而可增加光利用率；另外也可采用其他具有可反射功能的材料来取代分布式布拉格反射层。

请参考图5b，本实施例的发光元件封装结构200b与图5a中的发光元件封装结构200a相似，差异之处在于：本实施例的发光元件封装结构200b还包括反射保护层270，配置于分布式布拉格反射层260a上，其中分布式布拉格反射层260a位于第一保护件210与反射保护层270之间。在制程上，可于形成分布式布拉格反射层260a之后，形成反射保护层270于分布式布拉格反射层260a上，而使分布式布拉格反射层260a位于第一保护件210与反射保护层270之间。此处，反射保护层270的材质例如是铝、硅或二氧化硅，其设置的目的在于保护分布式布拉格反射层260a。

值得一提的是，本发明并不限制分布式布拉格反射层260a的位置。于其他实施例中，请参考图5c，发光元件封装结构200c的分布式布拉格反射层260c亦可配置于波长转换胶层220的倾斜底部224上且覆盖倾斜底部224。在制程上，可于提供第一保护件210之后且于提供波长转换材料220a以填满第一凹口c1’(请参考图3a)之前，形成分布式布拉格反射层260c于第一凹口c1’内。或者是，请参考图5d，发光元件封装结构200d的分布式布拉格反射层260d亦可配置于发光元件230的上表面232，其中分布式布拉格反射层230完全覆盖上表面232；或者是，请参考图5e，发光元件封装结构200e的分布式布拉格反射层260e亦可配置于发光元件230的上表面232，其中分布式布拉格反射层230部分覆盖上表面232。在制程上，于提供波长转换材料220a以填满第一凹口c1’(请参考图3a)之后且于发光元件230分别配置于波长转换胶层220上之前，形成分布式布拉格反射层260d、260e于波长转换胶层230的固晶平台222上。

综上所述，本发明的发光元件封装结构的保护件会包覆发光元件的侧表面与波长转换胶层的一边缘，而波长转换胶层的另一边缘会与保护件的一边缘切齐，因此发光元件所发出的光可通过保护件的设计而产生反射效果，而通过波长转换胶层的设计而将发光元件所发出的光由正向出光导引至侧向出光。如此一来，本发明的发光元件封装结构除了可具有较佳的侧向出光效果之外，亦具有较大的发光面积与较佳的发光均匀性。

虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的改动与润饰，均在本发明范围内。