线路结构以及包含其的电子装置的制作方法

本发明涉及线路结构以及电子装置，特别是涉及具有保护层结构的线路结构以及包含其的电子装置。

背景技术：

包含显示面板在内的电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记型电脑、显示器和电视，已成为现代社会不可或缺的必需品。随着这种便携式电子产品的蓬勃发展，消费者对这些产品的质量、功能或价格抱有很高的期望。

微型发光二极管(microled)及次毫米发光二极管(miniled)技术是近年来兴起的平板显示装置技术，它们可产生具有广视角、高亮度、以及高对比度的无缝影像。随着解析度的要求增加，发光二极管的间距随之减小，也因此限制了面板的可用空间，例如线路结构的配置空间。此外，微型发光二极管或次毫米发光二极管技术应用于大尺寸的显示面板时，大多需采用弯折或拼接等方式达成，而设置于弯折区的线路结构容易因弯折而受损，降低线路结构的可靠度。

虽然现存的线路结构可大致满足它们原先预定的用途，但其仍未在各个方面皆彻底地符合需求。因此，发展出可改善线路结构的品质或可靠度的结构设计仍为目前业界致力研究的课题之一。

技术实现要素：

根据本发明一些实施例，提供一种线路结构，其特征在于，包含基板以及线路主体，所述线路主体设置于所述基板上并延伸于所述基板上，所述线路主体包含芯线以及保护层，所述芯线被所述保护层包覆。

根据本发明一些实施例，提供一种电子装置，其特征在于包含线路结构，所述线路结构包含基板以及线路主体，所述线路主体设置于所述基板上并延伸于所述基板上，所述线路主体包含芯线以及保护层，所述芯线被所述保护层包覆。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1显示根据本发明一些实施例中，电子装置的上视结构示意图；

图2a显示根据本发明一些实施例中，沿着图1中的切线a-a’所截取的电子装置的剖面结构示意图；

图2b显示根据本发明一些实施例中，沿着图1中的切线b-b’所截取的电子装置的剖面结构示意图；

图3a至图3f显示根据本发明一些实施例中，电子装置于制程中间阶段的剖面结构示意图；

图4a显示根据本发明一些实施例中，沿着图1中的切线a-a’所截取的电子装置的剖面结构示意图；

图4b显示根据本发明一些实施例中，沿着图1中的切线b-b’所截取的电子装置的剖面结构示意图；

图5a至图5e显示根据本发明一些实施例中，电子装置于制程中间阶段的剖面结构示意图；

图6a显示根据本发明一些实施例中，电子装置的上视结构示意图；

图6b显示根据本发明一些实施例中，沿着图6a中的切线c-c’所截取的电子装置的剖面结构示意图。

符合说明

10：电子装置

20：电子装置

100：线路结构

100a：线路结构

100b：线路结构

100c：线路结构

102：基板

102a：可挠性基材

102b：主基材

102p：开口

104：线路主体

105：芯线

105’：第二导电层

105b：底部边缘

105s：侧表面

106：保护层

106a：第一保护层

106a’：第一导电层

106ab：底部边缘

106as：侧表面

106b：第二保护层

106b’：第三导电层

106bb：底部边缘

120：第一平坦层

122：第二平坦层

124：数据线

200：发光单元

300：驱动单元

aa：有源区

a-a’：切线

ba：弯折区

b-b’：切线

c-c’：切线

d1：第一距离

d2：第二距离

d3：第三距离

e1：第一蚀刻制程

e2：第二蚀刻制程

e3：第三蚀刻制程

fa：边缘区

pr：光阻

t1：第一厚度

t2：第二厚度

t3：第三厚度

具体实施方式

以下针对本发明实施例的线路结构以及电子装置以及其制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本发明一些实施例的不同形态。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本发明一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本发明的限定。此外，在不同实施例中可能使用类似及/或对应的标号标示类似及/或对应的元件，以清楚描述本发明。然而，这些类似及/或对应的标号的使用仅为了简单清楚地叙述本发明一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。

应理解的是，附图的元件或装置可以发明所属技术领域技术人员所熟知的各种形式存在。此外实施例中可能使用相对性用语，例如「较低」或「底部」或「较高」或「顶部」，以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。可理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在「较低」侧的元件将会成为在「较高」侧的元件。本发明实施例可配合附图一并理解，本发明的附图亦被视为发明说明的一部分。应理解的是，本发明的附图并未按照比例绘制，事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸以便清楚表现出本发明的特征。

再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。

此外，应理解的是，虽然在此可使用用语「第一」、「第二」、「第三」等来叙述各种元件、组件、或部分，这些元件、组件或部分不应被这些用语限定。这些用语仅是用来区别不同的元件、组件、区域、层或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组件、区域、层或部分可在不偏离本发明的启示的情况下被称为一第二元件、组件、区域、层或部分。

于文中，「约」、「实质上」的用语通常表示在一给定值或范围的10％内，或5％内、或3％之内、或2％之内、或1％之内、或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明「约」、「实质上」的情况下，仍可隐含「约」、「实质上」的含义。此外，用语「范围介于第一数值至第二数值之间」表示所述范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。

除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本发明实施例有特别定义。

根据本发明一些实施例，提供的线路结构具有可包覆(envelope)芯线(corewire)的保护层，借此可改善线路结构的可靠度，降低线路结构因损耗而受到环境水气影响进而腐蚀或是断裂等风险。根据本发明一些实施例，选用特定材料组合所形成的线路主体(wirebody)可更进一步地提升线路结构的耐用度。

请参照图1，图1显示根据本发明一些实施例中，电子装置10的上视结构示意图。应理解的是，为了清楚说明，图1中仅示出电子装置10的部分元件。再者，根据一些实施例，可添加额外的特征于以下所述的电子装置10。在另一些实施例中，以下所述电子装置10的部分特征可以被取代或省略。

根据本发明一些实施例，电子装置10可包含显示装置、天线装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。电子装置10可为可弯折或可挠式电子装置。电子装置10可例如包含液晶显示(liquid-crystaldisplay，lcd)、发光二极管(light-emittingdiode，led)、量子点(quantumdot)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其它合适的显示介质、或前述的组合，但不以此为限。根据一些实施例，发光二极管显示装置可例如包含有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)、量子点发光二极管(quantumdotlight-emittingdiode，qled)、次毫米发光二极管(minilight-emittingdiode，miniled)或微型发光二极管(microlight-emittingdiodes，microled)，但不以此为限。再者，天线装置可例如为液晶天线，但不以此为限。拼接装置可例如为显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。应理解的是，电子装置可为前述的任意排列组合。下文将以显示装置作为电子装置10以说明本发明内容，但本发明不以此为限。

如图1所示，电子装置10可包含线路结构100，线路结构100可包含基板102以及线路主体104，线路主体104延伸于基板102上。根据一些实施例，基板102为部分可挠性基板。如图1所示，根据一些实施例，基板102可包含有源区aa、弯折区ba以及边缘区fa，基板102可于弯折区ba进行弯折，有源区aa、弯折区ba以及边缘区fa彼此相邻，弯折区ba设置于有源区aa以及边缘区fa之间。根据一些实施例，线路主体104可延伸于有源区aa、弯折区ba以及边缘区fa上。

再者，电子装置10可包含发光单元200以及驱动单元300。根据一些实施例，发光单元200可设置于有源区aa上，驱动单元300可设置于边缘区fa上，发光单元200以及驱动单元300可借由线路主体104进行电性连接。根据一些实施例，发光单元200与一部分的驱动单元300可设置于有源区aa上，其余部分的驱动单元300可设置于边缘区fa上，发光单元200、一部分的驱动单元300以及其余部分的驱动单元300可借由线路主体104进行电性连接。

根据一些实施例，发光单元200可包含一或多个像素，且像素可包含合适数量的子像素。根据一些实施例，子像素可为发光二极管管芯。根据一些实施例，发光单元200的封装方式可包含发光二极管的表面安装装置(surface-mountdevices，smd)封装、发光二极管的基板上芯片(chip-on-board，cob)封装、微型发光二极管或覆晶式发光二极管的封装、有机发光二极管的封装、其它合适的封装、或前述的组合，但不限于此。

根据一些实施例，驱动单元300可包含有源式驱动元件、无源式驱动元件、或前述的组合。例如，有源式驱动元件可包含薄膜晶体管(thin-filmtransistor，tft)，但不限于此。前述薄膜晶体管例如可包含开关晶体管、驱动晶体管、重置晶体管，或其它薄膜晶体管。根据一些实施例，薄膜晶体管包含至少一个半导体层。上述半导体层包含但不限于非晶硅，例如低温多晶硅(low-temppolysilicon，ltps)、金属氧化物、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。金属氧化物可包含铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)、氧化铟锌(indiumzincoxide，izo)、铟镓锌锡氧化物(indiumgalliumzinctinoxide，igzto)其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。

再者，在驱动元件为无源式驱动元件的实施例中，例如可借由集成电路(ic)或微型芯片(microchip)等来控制驱动元件，但本发明不限于此。

承前述，根据一些实施例，基板102可为可挠性基板。应理解的是，图1所示出的基板102为未经弯折之前的状态，根据一些实施例，基板102呈现弯折状态，弯折区ba可经弯折而将边缘区fa弯折至基板102的背侧，使得边缘区fa与有源区aa于基板102的法线方向(例如，图中所示的z方向)上部分地重叠。再者，应理解的是，弯折区ba可能并未设置于基板102的每一侧边上，换言之，弯折区ba的数量并不限于图中所示出者，根据不同的实施例，可视需要(例如拼接的型态)调整合适的弯折区ba数量。

接着，请参照图2a及图2b，图2a显示根据本发明一些实施例中，沿着图1中的切线a-a’所截取的电子装置10的剖面结构示意图。图2b显示根据本发明一些实施例中，沿着图1中的切线b-b’所截取的电子装置10的剖面结构示意图。图2a进一步针对本发明一些实施例中位于弯折区ba的线路结构100a进行说明，应理解的是，为了清楚说明，图2a仅示出电子装置10的部分元件。

根据一些实施例，基板102包含可挠性基材102a以及主基材102b，可挠性基材102a可设置于主基材102b上。如图2a所示，主基材102b实质上未设置于弯折区ba中，亦即，对应于弯折区ba的基材102为可挠性基材102a。

根据一些实施例，可挠性基材102a包含具有可挠特性的材料。例如，根据一些实施例，可挠性基材102a的材料可包含聚酰亚胺(polyimine，pi)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate，pet)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。

根据一些实施例，线路结构100a可进一步包含第一平坦层120以及第二平坦层122，第一平坦层120以及第二平坦层122可设置于可挠性基材102a上。根据一些实施例，线路主体104可设置于第一平坦层120上，第二平坦层122可设置于线路主体104上，覆盖线路主体104并与第一平坦层120直接接触或间接接触，换言之，线路主体104可设置于第一平坦层120与第二平坦层122之间。

根据一些实施例，第一平坦层120以及第二平坦层122可包含有机材料、无机材料、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。例如，无机材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。例如，有机材料可包含环氧树脂(epoxyresin)、硅氧树脂、亚克力树脂(acrylicresin)(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmetacrylate，pmma))、苯并环丁烯(benzocyclobutene，bcb)、聚酰亚胺(polyimide)、共聚酯(polyester)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，pdms)、全氟烷氧基烷烃(perfluoroalkoxyalkane，pfa)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。此外，第一平坦层120的材料可与第二平坦层122的材料相同或不同。

如图2a所示，线路主体104包含芯线105以及保护层106，且芯线105被保护层106包覆。根据一些实施例，保护层106可完整地包覆芯线105，例如，可完整地包覆芯线105的顶表面、底表面以及侧表面。详细而言，根据一些实施例，保护层106进一步包含第一保护层106a以及第二保护层106b，亦即，线路主体104可具有三层结构(芯线105、第一保护层106a以及第二保护层106b)。此外，保护层106的数量不限于两层，根据不同的实施例，可具体其它合适数量的保护层106。

根据一些实施例，第一保护层106a可设置于芯线105下方，位于芯线105与第一平坦层120之间。根据一些实施例，第一保护层106a可与芯线105以及第一平坦层120直接接触，进一步而言，第一保护层106a可与芯线105的底表面直接接触。根据另一些实施例，第一保护层106a可与芯线105的底表面间接接触。

再者，根据一些实施例，第二保护层106b可设置于芯线105上方，覆盖芯线105的顶表面以及侧表面，并延伸于第一保护层106a上。详细而言，根据一些实施例，第二保护层106b可与芯线105的顶表面以及侧表面直接接触，并与第一保护层106a直接接触。如图2a所示，根据一些实施例，位于芯线105两侧的第一保护层106a以及第二保护层106b彼此接触，将芯线105完整地包覆于第一保护层106a以及第二保护层106b之中。

根据本发明实施例，保护层106可保护芯线105，降低芯线105暴露而受到环境水气(例如，第二平坦层122中的水气或其它气体)影响进而腐蚀、氧化或是断裂等风险，进而可改善线路主体104的可靠度。

此外，根据一些实施例，在平行于可挠性基材102a的顶表面的方向(例如，图中所示的y方向)上，第一保护层106a以及第二保护层106b均突出于芯线105的底部边缘105b，并且延伸于第一平坦层120上一段距离。

根据一些实施例，相对于芯线105的底部边缘105b，第一保护层106a的底部边缘106ab突出第一距离d1。根据一些实施例，第一距离d1介于1微米(μm)至4微米(μm)之间(即，1μm≤第一距离d1≤4μm)、或1.5μm至3.5μm之间，例如，2μm、2.5μm、或3μm。

根据一些实施例，相对于芯线105的底部边缘105b，第二保护层106b的底部边缘106bb突出第二距离d2。根据一些实施例，第二距离d2介于1μm至4μm之间(即，1μm≤第二距离d2≤4μm)、或1.5μm至3.5μm之间，例如，2μm、2.5μm、或3μm。根据一些实施例，第一距离d1大于或等于第二距离d2。

值得注意的是，若第一距离d1或第二距离d2过长，亦即，相较于芯线105，第一保护层106a或第二保护层106b突出过多(例如，根据现行产品的设计，在大于4μm的情况下，实际设计可依不同产品进行调整)，则第一保护层106a或第二保护层106b容易与电子装置10中的其它导电元件(例如，形成于第一平坦层120上的其它导电元件)接触，造成短路。另一方面，若第一距离d1或第二距离d2过短，亦即，相较于芯线105，第一保护层106a或第二保护层106b突出过少(例如，小于1μm)，第一保护层106a或第二保护层106b包覆芯线105的程度可能不足，导致保护效果降低。然而，根据一些实施例，相较于芯线105，第一保护层106a或第二保护层106b在突出小于0.5μm的情况下，仍可包覆芯线105，但本发明不限于此。

根据一些实施例，前述底部边缘105b指的是芯线105的底表面上最靠近外侧(最突出)的边缘，底部边缘106ab指的是第一保护层106a的底表面上最靠近外侧的边缘，而底部边缘106bb指的是第二保护层106b的底表面上最靠近外侧的边缘。根据一些实施例，前述第一距离d1指的是在平行第一平坦层120的顶表面的方向(例如，图中所示的y方向)上，底部边缘105b与底部边缘106ab之间的最大距离。根据一些实施例，前述第二距离d2指的是在平行于第一平坦层120的顶表面的方向(例如，图中所示的y方向)上，底部边缘105b与底部边缘106bb之间的最大距离。

根据本发明实施例，可使用光学显微镜(opticalmicroscopy，om)、扫描式电子显微镜(scanningelectronmicroscope，sem)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪、或其它合适的方式量测各元件之间的距离、各元件的厚度或长度等，但不限于此。详细而言，根据一些实施例，可使用扫描式电子显微镜取得结构的剖面影像，并量测各元件于影像中的厚度、长度或各元件之间的距离等。

此外，芯线105具有第一厚度t1。根据一些实施例，芯线105的第一厚度t1介于50纳米(nm)至5000纳米(nm)之间(即，50nm≤第一厚度t1≤5000nm)、500nm至4000nm之间、或1000nm至3000nm之间，例如，1500nm、2000nm、或2500nm。根据一些实施例，芯线105的厚度大于第一保护层106a以及第二保护层106b的厚度。

根据一些实施例，第一厚度t1指的是于第一平坦层120的法线方向(例如，图中所示的z方向)上，芯线105的厚度。具体而言，第一厚度t1可为于可挠性基材102a或第一平坦层120的法线方向上，芯线105的平均厚度(例如，量测3至5个厚度值后取平均值或最大厚度)。芯线105可由高导电性的导电材料形成。根据一些实施例，芯线105的材料可包含铜(cu)、金(au)、铝(al)、银(ag)、铜合金、金合金、铝合金、银合金、其它合适的导电材料、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，芯线105可由选自于铜、铝、银、铜合金、铝合金以及银合金所构成的组合中的材料所形成。

再者，第一保护层106a具有第二厚度t2。根据一些实施例，第一保护层106a的第二厚度t2介于10nm至500nm之间(即，10nm≤第二厚度t2≤500nm)、或20nm至200nm之间，例如，50nm、100nm、或150nm。第二厚度t2的定义以及量测方式与前述第一厚度t1的相似，于此便不再重复。

第一保护层106a可由具有耐腐蚀或抗氧化的导电材料形成。根据一些实施例，第一保护层106a的材料可包含金(au)、铂(pt)、钛(ti)、镍(ni)、钼(mo)、铬(cr)、钯(pd)、铌(nb)、钽(ta)、金合金、钛合金、镍合金、钼合金、铬合金、钯合金、铌合金、钽合金、氮化钼(mon)、钼铌合金(monb)、钼钛合金(moti)、钼钽合金(mota)、石墨烯(graphene)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，第一保护层106a的材料可包含透明导电氧化物(transparentconductiveoxide，tco)，例如可包含氧化铟锡(indiumtinoxide，ito)、氧化锑锌(antimonyzincoxide，azo)、氧化锡(tinoxide，sno)、氧化锌(zincoxide，zno)、氧化铟锌(indiumzincoxide，izo)、氧化铟镓锌(indiumgalliumzincoxide，igzo)、氧化铟锡锌(indiumtinzincoxide，itzo)、氧化锑锡(antimonytinoxide，ato)、其它合适的透明导电材料、或前述的组合，但不限于此。

再者，第二保护层106b具有第三厚度t3。根据一些实施例，第二保护层106b的第三厚度t3介于10nm至500nm之间(即，10nm≤第三厚度t3≤500nm)、或20nm至200nm之间，例如，50nm、100nm、或150nm。第三厚度t3的定义以及量测方式与前述第一厚度t1的相似，于此便不再重复。

值得注意的是，若第一保护层106a或第二保护层106b的厚度太厚(例如，大于500nm，实际设计可依不同产品进行调整)，则用于蚀刻第一保护层106a或第二保护层106b的蚀刻制程较难控制，可能因此较难形成所欲达成的轮廓(profile)。另一方面，若第一保护层106a或第二保护层106b的厚度太薄(例如，小于10nm，实际设计可依不同产品进行调整)，则可能导致保护效果不佳。

第二保护层106b可由具有耐腐蚀或抗氧化的导电材料形成。根据一些实施例，第二保护层106b的材料可包含金(au)、铂(pt)、钛(ti)、镍(ni)、钼(mo)、铬(cr)、钯(pd)、铌(nb)、钽(ta)、金合金、钛合金、镍合金、钼合金、铬合金、钯合金、铌合金、钽合金、氮化钼(mon)、钼铌合金(monb)、钼钛合金(moti)、钼钽合金(mota)、石墨烯(graphene)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，第二保护层106b的材料可包含透明导电氧化物(transparentconductiveoxide，tco)，例如可包含氧化铟锡(indiumtinoxide，ito)、氧化锑锌(antimonyzincoxide，azo)、氧化锡(tinoxide，sno)、氧化锌(zincoxide，zno)、氧化铟锌(indiumzincoxide，izo)、氧化铟镓锌(indiumgalliumzincoxide，igzo)、氧化铟锡锌(indiumtinzincoxide，itzo)、氧化锑锡(antimonytinoxide，ato)、其它合适的透明导电材料、或前述的组合，但不限于此。

第一保护层106a的材料可与第二保护层106b的材料相同或不同。此外，根据一些实施例，第一保护层106a以及第二保护层106b的材料由选自于钛、钼、钛合金以及钼合金所构成的组合中的材料所形成。

具体而言，根据一些实施例，第一保护层106a、芯线105以及第二保护层106b的材料组合(以第一保护层106a\芯线105\第二保护层106b表示)可包含ti\cu\ti、mon\cu\mon、moti\cu\moti、ti\al\ti、mon\al\mon、monb\al\monb、mota\al\mota、moti\al\moti、ti\ag\ti、mon\ag\mon、ti\ag合金\ti、mon\ag合金\mon、或ito\ag\ito等，但本发明不以此为限。

此外，承前述，根据一些实施例，芯线105由选自于铜、铝、银、铜合金、铝合金以及银合金所构成的组合中的材料所形成，而第一保护层106a以及第二保护层106b的材料由选自于钛、钼、钛合金以及钼合金所构成的组合中的材料所形成。值得注意的是，在这些实施例中，由特定的第一保护层106a、芯线105以及第二保护层106b的材料组合所形成的线路主体104可进一步降低芯线105暴露而受到环境水气或其它气体影响进而腐蚀、氧化或是断裂等风险，可改善线路主体104的整体性能或耐用度。特别地，设置于弯折区ba的线路主体104的整体性能或耐用度可显著地改善。

接着，请参照图2b，图2b显示根据本发明一些实施例中，沿着图1中的切线b-b’所截取的电子装置10的剖面结构示意图。图2b进一步针对本发明一些实施例中位于有源区aa、弯折区ba以及边缘区fa的线路结构100a进行说明，应理解的是，为了清楚说明，图2b仅示出电子装置10的部分元件。

承前述，根据一些实施例，基板102包含可挠性基材102a以及主基材102b，可挠性基材102a可设置于主基材102b上。如图2b所示，主基材102b设置于有源区aa以及边缘区fa，主基材102b实质上未设置于弯折区ba中。根据一些实施例，主基材102b包含开口102p，开口102p可将主基材102b分开为多个部分，开口102p实质上对应于弯折区ba。

根据一些实施例，主基材102b可为刚性基板。根据一些实施例，主基材102b的材料可包含玻璃、石英、蓝宝石、陶瓷、其它合适的做为基板的材料、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，前述玻璃基板的材料可包含包括硅(si)、碳化硅(sic)、氮化镓(gan)、二氧化硅(sio2)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。此外，根据一些实施例，主基材102b可包含金属-玻璃纤维复合板材、或金属-陶瓷复合板材，但不限于此。

如图2b所示，根据一些实施例，线路主体104可与设置于可挠性基材102a上的数据线124电性连接，并且数据线124可分别与发光单元200(如图1所示)以及驱动单元300(如图1所示)电性连接。根据一些实施例，线路主体104的第一保护层106a可与数据线124接触。详细而言，根据一些实施例，驱动电路(未示出)可设置于可挠性基材102a中或可挠性基材102a上，驱动电路可包含前述数据线124、扫描线(未示出)、导电垫(未示出)或其它线路等，但不限于此。

根据一些实施例，一部分的线路主体104可从第二平坦层122向下延伸至第一平坦层120中，与数据线124接触。如图2b所示，延伸至第一平坦层120中的保护层106仍可完整地包覆芯线105，例如，可完整地包覆芯线105的顶表面、底表面以及侧表面。

接着，请参照图3a至3f，图3a至3f显示根据本发明一些实施例中，电子装置10于制程中间阶段的剖面结构示意图。图3a至3f对应于图2a中的线路结构100a的剖面结构示意图。应理解的是，根据一些实施例，可于电子装置10的制造方法进行前、进行中及/或进行后提供额外的操作步骤。根据一些实施例，所述的一些操作步骤可能被取代或删除。根据一些实施例，所述操作步骤的顺序为可互换的。

请参照图3a，根据一些实施例，可提供可挠性基材102a，并且依序形成第一平坦层120、第一导电层106a’以及第二导电层105’于可挠性基材102a上。接着，可形成光阻pr于第二导电层105’上，以定义第二导电层105’后续的图案化形状。

根据一些实施例，可借由化学气相沉积制程、物理气相沉积制程、涂布制程、印刷制程、其它合适的制程、或前述的组合将第一平坦层120形成于可挠性基材102a上。化学气相沉积制程例如可包含低压化学气相沉积制程(lpcvd)、低温化学气相沉积制程(ltcvd)、快速升温化学气相沉积制程(rtcvd)、等离子辅助化学气相沉积制程(pecvd)或原子层沉积制程(ald)等，但不限于此。物理气相沉积制程例如可包含溅镀制程、蒸镀制程、脉冲激光沉积等，但不限于此。

根据一些实施例，可借由化学气相沉积制程、物理气相沉积制程、电镀制程、无电镀制程、其它合适的制程、或前述的组合将第一导电层106a’以及第二导电层105’形成于第一平坦层120上。此外，根据一些实施例，可借由图案化制程将光阻pr图案化。根据一些实施例，所述图案化制程可包含光光刻制程及蚀刻制程。光光刻制程可包含光阻涂布(例如，旋转涂布)、软烘烤、硬烘烤、掩模对齐、曝光、曝光后烘烤、光阻显影、清洗及干燥等，但不限于此。蚀刻制程可包含干蚀刻制程或湿蚀刻制程，但不限于此。

接着，请参照图3b，根据一些实施例，可移除一部分的第二导电层105’，以形成芯线105。详细而言，可借由第一蚀刻制程e1移除未被光阻pr遮蔽的第二导电层105’以形成芯线105。根据一些实施例，第一蚀刻制程e1可为选择性蚀刻制程，例如，可仅移除一部分的第二导电层105’，而未移除第一导电层106a’。于此实施例中，第一蚀刻制程e1可为湿蚀刻制程。

接着，请参照图3c，根据一些实施例，于芯线105形成之后，可将光阻pr移除。根据一些实施例，可借由湿式剥除制程、等离子灰化制程、或前述的组合移除光阻pr。根据一些实施例，接着可形成第三导电层106b’于第一导电层106a’与芯线105上，第三导电层106b’可顺应地(conformally)覆盖于芯线105上。

根据一些实施例，可借由物理气相沉积制程、化学气相沉积制程、电镀制程、无电镀制程、其它合适的制程、或前述的组合形成第三导电层106b’。

接着，请参照图3d，根据一些实施例，可形成光阻pr于芯线105以及第三导电层106b’上，以定义第一导电层106a’与第三导电层106b’后续的图案化形状。根据一些实施例，光阻pr可完整地覆盖芯线105的顶表面以及侧表面，并且与一部分的第三导电层106b’接触。根据一些实施例，可借由图案化制程将光阻pr图案化。

接着，请参照图3e，根据一些实施例，可移除一部分的第一导电层106a’与第三导电层106b’，以形成第一保护层106a以及第二保护层106b。详细而言，可借由第二蚀刻制程e2移除未被光阻pr遮蔽的第一导电层106a’以及第三导电层106b’。于此实施例中，第二蚀刻制程e2可为干蚀刻制程。

再者，值得注意的是，于此实施例中，第一保护层106a以及第二保护层106b是借由同一蚀刻制程(即第二蚀刻制程e2)所形成。因此，于此实施例中，第一保护层106a以及第二保护层106b延伸于第一平坦层120上的侧表面大致上为齐平的。

接着，请参照图3f，根据一些实施例，于第一保护层106a以及第二保护层106b形成之后，可将光阻pr移除。根据一些实施例，可借由湿式剥除制程、等离子灰化制程、或前述的组合移除光阻pr。根据一些实施例，可接着形成第二平坦层122(如图2a所示)于第一平坦层120上，覆盖芯线105、第一保护层106a以及第二保护层106b。

接着，请参照图4a，图4a显示根据本发明另一些实施例中，沿着图1中的切线a-a’所截取的电子装置的剖面结构示意图。图4a进一步针对本发明另一些实施例中位于弯折区ba的线路结构100b进行说明，应理解的是，为了清楚说明，图4a仅示出电子装置10的部分元件。此外，后文中与前文相同或相似的组件或元件将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法与功能皆与前文所述相同或相似，故此部分于后文中将不再赘述。

如图4a所示，根据一些实施例，在平行于可挠性基材102a的顶表面的方向(例如，图中所示的y方向)上，第一保护层106a并未突出于芯线105的底部边缘105b，但第二保护层106b仍突出于芯线105的底部边缘105b，并且延伸于第一平坦层120上一段距离。

详细而言，根据一些实施例，第一保护层106a的侧表面106as与芯线105的侧表面105s大致上为齐平的。再者，第二保护层106b与第一保护层106a的侧表面106as以及芯线105的侧表面105s直接接触，并且位于芯线105两侧的第二保护层106b与第一平坦层120接触，将芯线105完整地包覆于第一保护层106a与第二保护层106b之间。

根据一些实施例，相对于芯线105的底部边缘105b，第二保护层106b的底部边缘106bb突出第三距离d3。根据一些实施例，第三距离d3介于1μm至4μm之间(即，1μm≤第三距离d3≤4μm)、或1.5μm至3.5μm之间，例如，2μm、2.5μm、或3μm。第三距离d3的定义与量测方法与前述第二距离d2的相同，于此便不再重复。

值得注意的是，若第三距离d3过长，亦即，相较于芯线105，第二保护层106b突出过多(例如，大于4μm)，则第二保护层106b容易与电子装置10中的其它导电元件(例如，形成于第一平坦层120上的其它导电元件)接触，造成短路。另一方面，若第三距离d3过短，亦即，相较于芯线105，第二保护层106b突出过少(例如，小于1μm)，第二保护层106b包覆芯线105的程度可能不足，导致保护效果降低。

相似地，于此实施例中，保护层106同样可保护芯线105，降低芯线105暴露而受到环境水气(例如，第二平坦层122中的水气或其它气体)影响进而腐蚀、氧化或是断裂等风险，进而可改善线路主体104的可靠度。

接着，请参照图4b，图4b显示根据本发明另一些实施例中，沿着图1中的切线b-b’所截取的电子装置10的剖面结构示意图。图4b进一步针对本发明一些实施例中位于有源区aa、弯折区ba以及边缘区fa的线路结构100b进行说明，应理解的是，为了清楚说明，图4b仅示出电子装置10的部分元件。

根据一些实施例，线路主体104可与设置于可挠性基材102a上的数据线124电性连接，并且数据线124可分别与发光单元200(如图1所示)以及驱动单元300(如图1所示)电性连接。根据一些实施例，线路主体104的第一保护层106a可与数据线124接触。根据一些实施例，一部分的线路主体104可从第二平坦层122向下延伸至第一平坦层120中，与数据线124接触。如图4b所示，延伸至第一平坦层120中的保护层106仍可完整地包覆芯线105，例如，可完整地包覆芯线105的顶表面、底表面以及侧表面。

接着，请参照图5a至图5e，图5a至图5e显示根据本发明另一些实施例中，电子装置10于制程中间阶段的剖面结构示意图。图5a至图5e对应于图4a中的线路结构100b的剖面结构示意图。应理解的是，根据一些实施例，可于电子装置10的制造方法进行前、进行中及/或进行后提供额外的操作步骤。根据一些实施例，所述的一些操作步骤可能被取代或删除。根据一些实施例，所述操作步骤的顺序为可互换的。

图5a接续如同前述图3b所示的步骤，在形成第一平坦层120、第一导电层106a’以及第二导电层105’于可挠性基材102a上之后，形成光阻pr于第二导电层105’上，接着，借由第一蚀刻制程e1移除一部分的第二导电层105’以形成芯线105。根据一些实施例，第一蚀刻制程e1可为湿蚀刻制程。

接着，如图5a所示，根据一些实施例，可移除一部分的第一导电层106a’，以形成第一保护层106。详细而言，可借由第二蚀刻制程e2移除未被光阻pr遮蔽的第一导电层106a’以形成第一保护层106a。于此实施例中，第二蚀刻制程e2可为干蚀刻制程。

承前述，于此实施例中，芯线105以及第一保护层106a是借由两道蚀刻制程形成，但根据另一些实施例，亦可于同一道蚀刻制程中同时形成芯线105以及第一保护层106a。

接着，请参照图5b，根据一些实施例，于芯线105以及第一保护层106a形成之后，可将光阻pr移除。根据一些实施例，可借由湿式剥除制程、等离子灰化制程、或前述的组合移除光阻pr。

接着，请参照图5c，根据一些实施例，可形成第三导电层106b’于芯线105以及第一保护层106a上，第三导电层106b’可顺应地(conformally)覆盖于芯线105以及第一保护层106a上。

根据一些实施例，可借由物理气相沉积制程、化学气相沉积制程、电镀制程、无电镀制程、其它合适的制程、或前述的组合形成第三导电层106b’。

接着，请参照图5d，根据一些实施例，可形成光阻pr于芯线105以及第三导电层106b’上，以定义第三导电层106b’后续的图案化形状。根据一些实施例，光阻pr可完整地覆盖芯线105的顶表面以及侧表面，并且与一部分的第三导电层106b’接触。根据一些实施例，可借由图案化制程将光阻pr图案化。接着，可移除一部分的第三导电层106b’，以形成第二保护层106b。详细而言，可借由第三蚀刻制程e3移除未被光阻pr遮蔽的第三导电层106b’。于此实施例中，第三蚀刻制程e3可为干蚀刻制程。

再者，值得注意的是，于此实施例中，第一保护层106a以及第二保护层106b是借由分开的蚀刻制程(即第二蚀刻制程e2以及第三蚀刻制程e3)所形成。因此，于此实施例中，第一保护层106a延伸于第一平坦层120上的侧表面并未与第二保护层106b的侧表面齐平。

接着，请参照图5e，根据一些实施例，于第二保护层106b形成之后，可将光阻pr移除。根据一些实施例，可借由湿式剥除制程、等离子灰化制程、或前述的组合移除光阻pr。根据一些实施例，可接着形成第二平坦层122(如图2a所示)于第一平坦层120上，覆盖芯线105、第一保护层106a以及第二保护层106b。

接着，请参照图6a及图6b，图6a显示根据本发明另一些实施例中，电子装置20的上视结构示意图，而图6b显示根据本发明另一些实施例中，沿着图6a中的切线c-c’所截取的电子装置20的剖面结构示意图。图6b进一步针对本发明一些实施例中的线路结构100b进行说明。

如图6a及图6b所示，根据一些实施例，线路结构100c中的线路主体104可设置于基板102上，且基板102可为刚性基板。换言之，根据一些实施例，线路主体104不一定要设置于具有弯折区的可挠性基板上，亦可设置于不具有弯折区的刚性基板上。如图6b所示，根据一些实施例，一部分的线路主体104可从第二平坦层122向下延伸至第一平坦层120中与数据线124接触，线路主体104可与直接设置于刚性的基板102上的数据线124电性连接，再者，延伸至第一平坦层120中的保护层106仍可完整地包覆芯线105，例如，可完整地包覆芯线105的顶表面、底表面以及侧表面。

综上所述，根据本发明一些实施例，提供的线路结构具有可完整包覆芯线的保护层，借此可改善线路结构的可靠度，降低线路结构因损耗而受到环境水气影响进而腐蚀或是断裂等风险。根据本发明一些实施例，选用特定材料组合所形成的线路主体可更进一步地提升线路结构的耐用度。

虽然本发明的实施例及其优点已揭露如上，但应该了解的是，任何所属技术领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作改动、替代与润饰。本发明实施例之间的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意组合搭配使用。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域技术人员可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。