技术特征：
1.一种基于gan外延片结构，其特征在于，包括：衬底层，所述衬底层由sic材料制成；缓冲层，所述缓冲层与所述衬底层连接；n型半导体层，所述n型半导体层与所述缓冲层连接，所述n型半导体层由gan材料制成；量子阱层，所述量子阱层与所述n型半导体层连接，所述量子阱层由ingan和gan材料制成；p型半导体层，所述p型半导体层与所述量子阱层连接，所述p型半导体层由gan材料制成；ito层，所述ito层与所述p型半导体层连接。2.根据权利要求1所述的基于gan外延片结构，其特征在于，还包括au纳米粒子薄膜，所述au纳米粒子薄膜设置于所述p型半导体层和所述ito层之间。3.根据权利要求1所述的基于gan外延片结构，其特征在于，所述n型半导体层包括无掺杂的n-gan层和有掺杂的u-gan层，所述缓冲层、所述u-gan层、所述n-gan层和所述量子阱层依次连接。4.根据权利要求3所述的基于gan外延片结构，其特征在于，还包括p电极和n电极，所述p电极从所述ito层的一端引出，所述n电极从所述n-gan层的下端引出。5.根据权利要求1所述的基于gan外延片结构，其特征在于，所述缓冲层由algan材料制成，所述缓冲层添加有用于诱导所述缓冲层从二维生长转向三维生长的mg元素。6.根据权利要求1所述的基于gan外延片结构，其特征在于，所述p型半导体层的厚度设置在300至500nm之间。7.根据权利要求1所述的基于gan外延片结构，其特征在于，所述量子阱层的厚度设置在200至400nm之间。8.根据权利要求3所述的基于gan外延片结构，其特征在于，所述n-gan层和所述u-gan层的厚度均设置在300至500nm之间。9.根据权利要求1所述的基于gan外延片结构，其特征在于，所述缓冲层的厚度设置在250至450nm之间。10.根据权利要求1所述的基于gan外延片结构，其特征在于，所述衬底层的厚度设置在400至500nm之间。