技术总结
本发明公开了一种基于GaN外延片结构，包括：衬底层，衬底层由SiC材料制成；缓冲层，缓冲层与衬底层连接，缓冲层由AlGaN材料制成；N型半导体层，N型半导体层与缓冲层连接，N型半导体层由GaN材料制成；量子阱层，量子阱层与N型半导体层连接，量子阱层由InGaN和GaN材料制成；P型半导体层，P型半导体层与量子阱层连接，P型半导体层由GaN材料制成；ITO层，ITO层与P型半导体层连接，基于GaN外延片结构能够提高GaN外延芯片结构的发光效率。外延芯片结构的发光效率。外延芯片结构的发光效率。
技术研发人员：何畏 贺祥 林士修 黄昶源 吴质朴
受保护的技术使用者：江门市奥伦德光电有限公司
技术研发日：2020.12.10
技术公布日：2021/3/2