半导体整流器件的制作方法

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种半导体整流器件。

背景技术：

随着电子产品不断的发展，轻、小、薄成为了电子整机产品的重要标志。然而要使电子设备整机小型化，首先要解决电子元器件的轻量化。贴片式、小型化的电子元器件也是近些年电子厂商不断研发的主要方向，现有的sod封装叠加方式大多采用搭线式结构，其引脚采用“z”字型引脚结构，但是这种结构存在容易焊膏溢出导致的虚焊和接触面积降低，从而影响器件的使用寿命。如何克服上述技术问题成为本领域技术人员努力的方向。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种半导体整流器件，该半导体整流器件避免了焊膏溢出导致的虚焊和接触面积降低，从而提高了器件的使用寿命，有利于进一步降低接触电阻。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种半导体整流器件，包括二极管芯片、第一引线条和第二引线条，所述第一引线条的上端和下端分别为支撑部和第一引脚部，所述第一引线条的支撑部和第一引脚部之间具有一第一折弯部，所述第二引线条的上端和下端分别为焊接部和第二引脚部，所述第二引线条的焊接部和第二引脚部之间具有一第二折弯部，一环氧封装体包覆于二极管芯片、第一引线条的支撑部和第二引线条的焊接部上，所述二极管芯片的下端和上端分别与第一引线条的支撑部和第二引线条的焊接部电连接；

所述第一引线条的支撑部的边缘开有至少2个第一通孔，此第一通孔的边缘具有与二极管芯片相背的第一翻边部，所述第二引线条的焊接部的边缘开有至少2个第二通孔，此第二通孔的边缘具有与二极管芯片相背的第二翻边部。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1.上述方案中，所述二极管芯片的下端与第一引线条的支撑部之间通过焊锡层电连接。

2.上述方案中，所述二极管芯片的上端与第二引线条的焊接部之间通过焊锡层电连接。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型半导体整流器件，其第一引线条的支撑部的边缘开有至少2个第一通孔，此第一通孔的边缘具有与二极管芯片相背的第一翻边部，所述第二引线条的焊接部的边缘开有至少2个第二通孔，此第二通孔的边缘具有与二极管芯片相背的第二翻边部，避免了焊膏溢出导致的虚焊和接触面积降低，大大改善了引线条的支撑部和焊接部与二极管芯片电性接触性能和平整度，从而提高了器件的使用寿命；还有，其引线条的通孔边缘具有翻边部，有利于进一步降低接触电阻，从而进一步提高了器件的稳定性。

附图说明

附图1为本实用新型半导体整流器件立体结构示意图；

附图2为本实用新型半导体整流器件剖面结构示意图。

以上附图中：1、二极管芯片；2、第一引线条；21、支撑部；22、第一引脚部；23、第一折弯部；3、第二引线条；31、焊接部；32、第二引脚部；33、第二折弯部；4、环氧封装体；5、第一通孔；6、第一翻边部；7、第二通孔；8、第二翻边部；9、焊锡层。

具体实施方式

实施例1：一种半导体整流器件，包括二极管芯片1、第一引线条2和第二引线条3，所述第一引线条2的上端和下端分别为支撑部21和第一引脚部22，所述第一引线条2的支撑部21和第一引脚部22之间具有一第一折弯部23，所述第二引线条3的上端和下端分别为焊接部31和第二引脚部32，所述第二引线条3的焊接部31和第二引脚部32之间具有一第二折弯部33，一环氧封装体4包覆于二极管芯片1、第一引线条2的支撑部21和第二引线条3的焊接部31上，所述二极管芯片1的下端和上端分别与第一引线条2的支撑部21和第二引线条3的焊接部31电连接；

所述第一引线条2的支撑部21的边缘开有至少2个第一通孔5，此第一通孔5的边缘具有与二极管芯片1相背的第一翻边部6，所述第二引线条3的焊接部31的边缘开有至少2个第二通孔7，此第二通孔的边缘具有与二极管芯片1相背的第二翻边部8。

实施例2：一种半导体整流器件，包括二极管芯片1、第一引线条2和第二引线条3，所述第一引线条2的上端和下端分别为支撑部21和第一引脚部22，所述第一引线条2的支撑部21和第一引脚部22之间具有一第一折弯部23，所述第二引线条3的上端和下端分别为焊接部31和第二引脚部32，所述第二引线条3的焊接部31和第二引脚部32之间具有一第二折弯部33，一环氧封装体4包覆于二极管芯片1、第一引线条2的支撑部21和第二引线条3的焊接部31上，所述二极管芯片1的下端和上端分别与第一引线条2的支撑部21和第二引线条3的焊接部31电连接；

所述第一引线条2的支撑部21的边缘开有至少2个第一通孔5，此第一通孔5的边缘具有与二极管芯片1相背的第一翻边部6，所述第二引线条3的焊接部31的边缘开有至少2个第二通孔7，此第二通孔的边缘具有与二极管芯片1相背的第二翻边部8。

上述二极管芯片1的下端与第一引线条2的支撑部21之间通过焊锡层9电连接。

上述二极管芯片1的上端与第二引线条3的焊接部31之间通过焊锡层9电连接。

采用上述半导体整流器件时，其第一引线条的支撑部的边缘开有至少2个第一通孔，此第一通孔的边缘具有与二极管芯片相背的第一翻边部，所述第二引线条的焊接部的边缘开有至少2个第二通孔，此第二通孔的边缘具有与二极管芯片相背的第二翻边部，避免了焊膏溢出导致的虚焊和接触面积降低，大大改善了引线条的支撑部和焊接部与二极管芯片电性接触性能和平整度，从而提高了器件的使用寿命；还有，其引线条的通孔边缘具有翻边部，有利于进一步降低接触电阻，从而进一步提高了器件的稳定性。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

技术特征：

1.一种半导体整流器件，其特征在于：包括二极管芯片（1）、第一引线条（2）和第二引线条（3），所述第一引线条（2）的上端和下端分别为支撑部（21）和第一引脚部（22），所述第一引线条（2）的支撑部（21）和第一引脚部（22）之间具有一第一折弯部（23），所述第二引线条（3）的上端和下端分别为焊接部（31）和第二引脚部（32），所述第二引线条（3）的焊接部（31）和第二引脚部（32）之间具有一第二折弯部（33），一环氧封装体（4）包覆于二极管芯片（1）、第一引线条（2）的支撑部（21）和第二引线条（3）的焊接部（31）上，所述二极管芯片（1）的下端和上端分别与第一引线条（2）的支撑部（21）和第二引线条（3）的焊接部（31）电连接；

所述第一引线条（2）的支撑部（21）的边缘开有至少2个第一通孔（5），此第一通孔（5）的边缘具有与二极管芯片（1）相背的第一翻边部（6），所述第二引线条（3）的焊接部（31）的边缘开有至少2个第二通孔（7），此第二通孔的边缘具有与二极管芯片（1）相背的第二翻边部（8）。

2.根据权利要求1所述的半导体整流器件，其特征在于：所述二极管芯片（1）的下端与第一引线条（2）的支撑部（21）之间通过焊锡层（9）电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体整流器件，其特征在于：所述二极管芯片（1）的上端与第二引线条（3）的焊接部（31）之间通过焊锡层（9）电连接。

技术总结
本实用新型公开一种半导体整流器件，包括位于二极管芯片、第一引线条和第二引线条，所述第一引线条的上端和下端分别为支撑部和第一引脚部，所述第一引线条的支撑部和第一引脚部之间具有一第一折弯部，所述第二引线条的上端和下端分别为焊接部和第二引脚部；所述第一引线条的支撑部的边缘开有至少2个第一通孔，此第一通孔的边缘具有与二极管芯片相背的第一翻边部，所述第二引线条的焊接部的边缘开有至少2个第二通孔。本实用新型半导体整流器件避免了焊膏溢出导致的虚焊和接触面积降低，从而提高了器件的使用寿命，有利于进一步降低接触电阻。

技术研发人员：唐兴军;王亚
受保护的技术使用者：苏州兴锝电子有限公司
技术研发日：2020.05.15
技术公布日：2020.11.17