用纳米材料作为钝化膜的半导体整流芯片的制作方法

专利名称：用纳米材料作为钝化膜的半导体整流芯片的制作方法
专利说明
一、技术领域本实用新型涉及一种半导体整流芯片，尤其与用纳米材料作为钝化膜的半导体整流芯片有关。
二背景技术：
现在的半导体整流器件芯片保护层通常是在台面上采用半绝缘多晶硅，氮化硅，二氧化硅或其多层复合膜做第一层保护膜，再在第一层保护膜上敷设玻璃层，存在着①敷设第一层保护膜，需要非常昂贵的设备，会使制造成本大大增加；②化学气相沉积的条件(厚度、成份)难以控制；③化学气相沉积需要用到危险易爆的气体硅烷，操作不安全；④如果直接刮玻璃层会产生烧结后玻璃与硅表面之间有气泡而影响电性能等不足。
三
发明内容
本实用新型的目的是提供一种制造成本低廉，工艺简单，电性能好，生产效率高的用纳米材料作为钝化膜的半导体整流芯片。
为达到上述目的，本实用新型是通过以下技术解决方案实现的用纳米材料作为钝化膜的半导体整流芯片，包括芯片体，上层，下层，切割面，台面，纳米材料钝化保护层及保护层，纳米材料钝化保护层设于台面上，保护层设于纳米材料钝化保护层上。
所述的用纳米材料作为钝化膜的半导体整流芯片，其纳米材料钝化保护层为分散的纳米级硅酸盐绝缘材料，保护层为硅酸盐绝缘材料。
本实用新型与现有技术相比具有以下优点(一)是纳米保护内膜可用旋涂法涂覆，效率非常高；(二)是纳米保护内膜的烧结条件范围很宽，不需要特别精确控制；(三)是由于是纳米材料形成的保护膜，故其非常致密；(四)是由于纳米保护膜的膨胀系数接近硅，故没有界面应力；(五)是如果适当调整成份则与第二层玻璃膜之间可以做到无缝结合，即使第二层玻璃膜内存有气泡也不会影响电性；(六)是简化了工艺提高了生产效率；(七)是芯片的常温、高温漏电流得到了很大的改善，击穿电压获得了较大提高，并减少了分布范围。
四

图1是本实用新型用纳米材料作为钝化膜的半导体整流芯片的结构示意图。
五具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例作进一步详细的描述。
如图1所示，用纳米材料作为钝化膜的半导体整流芯片，包括芯片体1，镍上层2，镍下层3，切割面4，台面5，纳米材料钝化保护层6及保护层7，纳米材料钝化保护层6设于台面5上，保护层7设于纳米材料钝化保护层6上，纳米材料钝化保护层6为分散的纳米级硅酸盐绝缘材料，保护层7为硅酸盐绝缘材料，如玻璃。
权利要求1.一种用纳米材料作为钝化膜的半导体整流芯片，包括芯片体(1)，上层(2)，下层(3)，切割面(4)及台面(5)，其特征在于它还包括纳米材料钝化保护层(6)及保护层(7)，纳米材料钝化保护层(6)设于台面(5)上，保护层(7)设于纳米材料钝化保护层(6)上。
2.根据权利要求1所述的用纳米材料作为钝化膜的半导体整流芯片，其特征在于纳米材料钝化保护层(6)为分散的纳米级硅酸盐绝缘材料，保护层(7)为硅酸盐绝缘材料。
专利摘要本实用新型公开了一种用纳米材料作为钝化膜的半导体整流芯片。它包括芯片体，上层，下层，切割面，台面，纳米材料钝化保护层及保护层，纳米材料钝化保护层设于台面上，保护层设于纳米材料钝化保护层上。本实用新型具有制造成本低廉，工艺简单，电性能好，生产效率高等优点。
文档编号H01L21/02GK2641834SQ03256259
公开日2004年9月15日 申请日期2003年8月1日 优先权日2003年8月1日
发明者谢晓东, 沈春和, 保爱林 申请人:绍兴科盛电子有限公司