一种硅基玻璃钝化双向触发管芯片制造工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于芯片制作领域，特别涉及一种硅基玻璃钝化双向触发管芯片制造工
-H-
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【背景技术】
[0002]目前，双向触发二极管在几十年的发展过程中经历了大致两个过程:
[0003]—，运用硅器件的平面工艺制作该器件，存在下列弊端:
[0004]I:工艺复杂。2:漏电大，器件热稳定差。3:伏安特性不好。
[0005]二，利用白胶保护的台面工艺制作该器件，存在下列弊端:
[0006]1:漏电大，器件热稳定差。2:生产过程环境污染严重。
[0007]以上两种工艺存在的诸多弊端。特别是器件漏电大，热温定性差是以上两工艺所共性。也是不可能逾越的自身工艺缺陷。
[0008]因此，现在亟需一种硅基玻璃钝化双向触发管芯片制造工艺，能够简化生产工艺，降低漏电并提高器件的热稳定性和伏安特性。
【发明内容】
[0009 ]本发明提出一种硅基玻璃钝化双向触发管芯片制造工艺，解决了现有技术中工艺复杂、漏电严重、器件热稳定性及伏安特性差的问题。
[0010]本发明的技术方案是这样实现的:硅基玻璃钝化双向触发芯片制造工艺，包括如下步骤，
[0011]SlOl:选择硅片类型；
[0012]S201:对选择后的硅片进行磷扩散处理，形成N+区；
[0013]S301:对磷扩散处理后的元件进行氧化处理；
[0014]S401:对氧化处理后的元件进行选择性刻蚀；
[0015]S501:对选择性刻蚀后的元件进行开槽处理；
[0016]S601:在开槽处理后的元件槽内形成保护层；
[0017]S701:在形成保护层的元件上电镀形成电极。
[0018]作为一种优选的实施方式，所述步骤S701后还设置有步骤S801:对电镀后形成电极的元件进行划片分离，划片过程中进刀速度控制在5-6_/秒。
[0019]作为一种优选的实施方式，所述步骤SlOl硅片类型为P型硅片，其电阻率P= 0.10-Ο.ΗΩ/CM，厚度 165±5 微米。
[0020]作为一种优选的实施方式，所述步骤S201中的磷扩散处理包括对硅片的双表面同时进行磷扩散处理，形成N+区，磷扩散处理的温度控制在1250°C以上，磷扩散处理时间为20-23小时。中
[0021]作为一种优选的实施方式，所述步骤S301中氧化处理具体包括:在磷扩散处理后的元件表面生长厚度为0.8微米到1.2微米的氧化层，氧化时温度控制在1180°C以上，时间4-6小时，在氧化过程中先进行干氧氧化，再进行湿氧氧化，最后进行干氧氧化。
[0022]作为一种优选的实施方式，所述步骤S401中选择性刻蚀包括对氧化处理后元件的双面进行匀胶并暴光，形成选择性刻蚀区域。
[0023]作为一种优选的实施方式，所述开槽处理利用化学腐蚀液开槽，形成台面结构，化学腐蚀液使用前静置48小时以上，并利用动态控制化学腐蚀液的温度。
[0024]作为一种优选的实施方式，所述步骤S601包括在槽内涂敷玻璃粉并烧结，形成保护层。
[0025]作为一种优选的实施方式，所述步骤S701中形成电极具体包括一次形成镍电极、合金处理后二次形成镍电极。
[0026]作为一种优选的实施方式，所述合金处理过程中使大氮气做保护气，流量控制为15升/分钟，同时通入150毫升/分钟的氢气，防止表面氧化。
[0027]采用了上述技术方案后，本发明的有益效果是:本硅基玻璃钝化双向触发管芯片制造工艺采用玻璃钝化方式对台面进行保护，同时利用了玻璃的良好耐热性及良好的绝缘性，静置沉淀的玻璃涂敷方法以及采用真空条件来烧结玻璃的方法保证了玻璃保护层的致密性明显优于普通方法所形成的玻璃层，从而减小了漏电，使器件的耐热性和可靠性大幅提高，制造工艺简单，避免了制造过程中对环境的污染，另外利用化学腐蚀液开槽处理的方法保证了超薄化腐片的效果。
【附图说明】
[0028]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1为本发明的工艺流程示意图；
[0030]图2为图1中双面扩磷处理及选择性刻蚀的示意图；
[0031]图3为图1中开槽处理、玻璃钝化以及硅片分离的示意图；
[0032]图4为本发明工艺与常规工艺的情况对照表。
【具体实施方式】
[0033]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0034]如图1-图3所示，本硅基玻璃钝化双向触发芯片制造工艺包括如下步骤:
[0035]SlOl:选择硅片类型；
[0036]S201:对选择后的硅片进行磷扩散处理，形成N+区；
[0037]S301:对磷扩散处理后的元件进行氧化处理；
[0038]S401:对氧化处理后的元件进行选择性刻蚀；
[0039]S501:对选择性刻蚀后的元件进行开槽处理；
[0040]S601:在开槽处理后的元件槽内形成保护层；
[0041]S701:在形成保护层的元件上电镀形成电极。
[0042]具体的，步骤S701后还设置有步骤S801:对电镀后形成电极的元件进行划片分离，划片过程中进刀速度控制在5-6mm/秒。
[0043]步骤SlOl硅片类型为P型硅片，其电阻率P = 0.10-0.14Ω/CM，厚度165±5微米。
[0044]步骤S201中的磷扩散处理包括对硅片的双表面同时进行磷扩散处理，形成N+区，磷扩散处理的温度控制在1250 °C以上，磷扩散处理时间为20-23小时。
[0045]步骤S301中氧化处理具体包括:在磷扩散处理后的元件表面生长厚度为0.8微米到1.2微米的氧化层，氧化时温度控制在1180°C以上，时间4-6小时，在氧化过程中先进行干氧氧化，再进行湿氧氧化，最后进行干氧氧化。
[0046]步