专利名称：台面型玻璃钝化二极管芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体芯片，尤其是涉及一种台面型玻璃钝化二 极管芯片。
背景技术：
目前，业内通常采用的台面型玻璃钝化二极管芯片的玻璃钝化方法是 采用刮涂法。其主要方法是将玻璃液刮入芯片沟槽内，烘干后进行烧结， 再次将玻璃液刮入芯片沟槽内，烘干后进行烧结而成。按上述方法形成的
玻璃为PN结处较薄，沟槽底部较厚，影响高压材料的耐压性能，也降低了 芯片的切割速度。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种耐压高、可靠性稳定的台面型玻璃4屯化 二极管芯片。
为达到上述目的，本实用新型提供了以下技术方案 台面型玻璃钝化二极管芯片，包括采用不同的掺杂工艺，将P型半导体 和N型半导体制作在同一块半导体基片上而在其交界面形成的PN结。以及 位于台面侧壁包覆在PN结外部的钝化玻璃层。其中，玻璃钝化层位于PN 结位置附近的剖面厚度大于玻璃钝化层位于沟槽底部附近的剖面厚度。
进一步，玻璃钝化层的剖面厚度从PN结位置附近到沟槽底部位置附近 从大到小呈曲线形的平滑变化。本实用新型由于采用了上述^t支术方案，与现有净支术相比具有以下优点
一、 PN结周围玻璃钝化层较厚，有效提高芯片的耐压以及可靠性；
二、 芯片沟槽底部玻璃钝化层较薄，有利于提升芯片切割速率。
图l是本实用新型台面型玻璃钝化二极管芯片剖面示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例作进一步详细描述 如图所示，本实用新型台面型玻璃钝化二极管芯片1，包括采用不同 的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上而在其 交界面形成的PN结3。以及位于台面侧壁包覆在PN结外部的钝化玻璃层。 其中，玻璃钝化层在位于PN结位置附近2的剖面厚度大于位于沟槽底部附 近4的剖面厚度。本实施例中，玻璃钝化层的剖面厚度从PN结位置附近2 到沟槽底部的位置附近4是从大到小呈线形平滑变化的。
如图所示，PN结3附近的玻璃厚，沟槽底部4的玻璃薄。采用这种结 构的台面型玻璃钝化二极管芯片，在工业生产中能有效提高芯片的耐压值 以及可靠性，并能提升芯片切割的速率。
权利要求1.一种台面型玻璃钝化二极管芯片，包括采用不同的掺杂工艺，将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片上而在其交界面形成的PN结；以及位于台面侧壁包覆在PN结外部的钝化玻璃层；其特征在于所述玻璃钝化层位于所述PN结位置附近的剖面厚度大于所述玻璃钝化层位于所述沟槽底部附近的剖面厚度。
2. 如权利要求1所述台面型玻璃钝化二极管芯片，其特征在于所述玻 璃钝化层的剖面厚度从所述PN结位置附近到所述沟槽底部位置附近从大 到小呈曲线形的平滑变化。
专利摘要本实用新型公开了一种台面型玻璃钝化二极管芯片。它包括芯片，台面侧壁钝化玻璃层，其玻璃钝化层具有在PN结附近较厚、在沟槽底部较薄的特点。本实用新型具有耐压高，可靠性好，有利于芯片切割等优点。
文档编号H01L29/861GK201413826SQ20092012010
公开日2010年2月24日 申请日期2009年5月21日 优先权日2009年5月21日
发明者潘蔡军 申请人:绍兴旭昌科技企业有限公司