包括具有弯曲表面的腔室的芯片衬底的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及未处理的芯片板和芯片衬底；并且，具体地，涉及未处理的芯片板和包括用于安装芯片的腔室的芯片衬底。
【背景技术】
[0002]在相关领域中，用于将芯片安装到未处理的芯片板上的空间通过机械处理或者化学蚀刻而形成在未处理的芯片板的上表面上。也就是说，韩国专利N0.10-0986211公开了一种方法，其中通过蚀刻未处理的矩形金属板的上部分而形成安装空间。在诸如UV LED或类似物的光学元件芯片安装在这种未处理的芯片板上的情况中，具有上宽下窄形状的空间形成在未处理的芯片板上以增强光反射性能。在形成该空间之后，芯片安装在空间内。空间由透镜密封以增强光效率。
[0003]公开号为N0.10-2010-0122655的韩国专利申请公开了一种方法，其中，通过形成半球形圆顶形透镜而增加了中心部分的光照度，并且包含在树脂材料中的磷光体均匀地分散，从而维持均匀的密度以及抑制色彩不均匀。然而，公开号为N0.10-2010-0122655的韩国专利申请中公开的半球形透镜具有一个问题，即，难以加工透镜。
【发明内容】
[0004]鉴于上述技术问题，本发明的目的是提供一种能够通过使用平面透镜增加中心部分的光照度的芯片衬底。
[0005]更具体地，本发明的目的在于提供一种芯片衬底，即使当使用平面透镜时，该芯片衬底也能够通过形成由多个弯曲表面限定的腔室而增加中心部分的光照度。
[0006]根据本发明的一个方面，提供了一种芯片衬底，包括:导电部分，其以一个方向层压以构成芯片衬底；绝缘部分，其插入在导电部分之间以电气隔离导电部分；及腔室，该腔室在包括绝缘部分的区域中以预定的深度形成在芯片衬底的上表面上，其中，该腔室由具有预定曲率半径的多个连续延伸的弯曲表面限定。
[0007]在芯片衬底中，腔室可由具有正曲率半径的至少一个弯曲表面和具有负曲率半径的至少一个弯曲表面限定。
[0008]在芯片衬底中，弯曲表面可以具有相对于将安装在芯片衬底上的芯片对称的形状。
[0009]芯片衬底还可以包括:辅助槽，其邻接所述腔室，并且以比所述腔室更小的面积和更小的深度形成。
[0010]在芯片衬底中，腔室可以包括形成到平坦表面中的中心部分。
[0011]根据本发明，可以通过使用易于加工的平坦透镜来实现在中心部分具有高光照度的光学元件芯片封装。此外，与使用半球形透镜的情况相比，有可能降低芯片封装的厚度。这使得有可能降低应用芯片封装的设备的厚度。
【附图说明】
[0012]图1是示出了根据本发明一种实施方式的包括由多个弯曲表面限定的腔室的芯片衬底的立体图。
[0013]图2是示出了根据本发明一种实施方式的包括半球形腔室的芯片衬底的俯视图。
[0014]图3A至3D、4A和4B是根据本发明一种实施方式的包括不同半球形腔室的芯片衬底的截面图。
【具体实施方式】
[0015]下述公开文本仅仅示出了本发明的原理。尽管在说明书中没有明确地描述或示出，但有可能发明出实现本发明原理并且落入本发明的概念和范围内的不同设备。此外，本文所公开的所有的常规术语和实施方式实质上都用于辅助理解本发明的概念。应该理解，本文具体描述的实施方式和情况并非是限制性的。
[0016]通过结合附图给出的下述详细说明，上述目的、特征和优点将变得更加显而易见。因此，具有本发明所涉及的技术领域内的常规知识的人员将能够轻易地实施本发明的技术概念。
[0017]在描述本发明时，如果确定涉及本发明的现有技术的详细说明可能不必要地使本发明的精神变得模糊，则可能省略这些说明。下文中，将参考附图详细描述芯片衬底。为方便起见，将采用LED作为芯片的实例来进行说明。
[0018]在本实施方式中，为了制造未处理的芯片板，具有预定厚度并且由导电材料制成的导电部分110以及由绝缘材料制成的绝缘部分120彼此结合并且交替地层压，而绝缘部分120插入在导电部分110之间。
[0019]通过加热和挤压处于层压状态的导电部分110和绝缘部分120，有可能制造导电材料块，在该导电材料块内，绝缘部分120平行地彼此间隔开。通过垂直的切割导电材料块来完成未处理的芯片板的制造。在本实施方式中，一个方向是垂直方向。通过沿着层压方向垂直切割导电材料块而制造未处理的芯片板10。
[0020]通过在由上述方法制成的未处理的芯片板上形成由多个弯曲表面限定的腔室来制造根据本实施方式的芯片衬底。腔室可以形成在导电材料块上，或者可以形成在未处理的芯片板上。
[0021]现在，将结合图1描述根据本发明一种实施方式的包括由多个弯曲表面限定的腔室的芯片衬底。
[0022]图1是示出了根据本发明一种实施方式的包括由多个弯曲表面限定的腔室的芯片衬底的立体图。
[0023]参考图1，根据本实施方式的芯片衬底100包括导电部分110、绝缘部分120和腔室 130。
[0024]也就是说，当从上方观察芯片衬底100时，多个弯曲表面限定的腔室130形成在具有矩形形状的芯片衬底100上。在这种情况下，腔室130形成为包括绝缘部分120。
[0025]在本实施方式中，导电部分110以一个方向层压，由此构成芯片衬底100。导电部分110作为将电压施加给在后续处理中安装的芯片的电极。本文所使用的术语“一个方向”指层压方向，导电部分和绝缘部分在上述层压处理中以该层压方向交替地层压。在图2中，一个方向是水平方向。
[0026]绝缘部分120插入在导电部分110之间以电气隔离导电部分110。也就是说，由插入在导电部分110之间的绝缘部分120隔离的导电部分110可以作为正电极端子和负电极端子。
[0027]在本实施方式中，描述了一个绝缘部分120位于两个导电部分110之间的例子。可选地，可以通过交替地层压三个或更多个导电部分以及两个或更多个绝缘部分来配置芯片衬底100。根据芯片衬底100的用途，可以形成大量的绝缘部分。
[0028]在根据本实施方式的芯片衬底100中，腔室130形成在包括绝缘部分120的区域中。
[0029]参考图2，可以以具有多个弯曲表面的大体上半球形的形状形成腔室130。
[0030]在本实施方式中，腔室130可以由连续表面限定，所述连续表面由具有