有机半导体材料、其制备方法和应用的制作方法

文档序号:7144353阅读:780来源:国知局
专利名称:有机半导体材料、其制备方法和应用的制作方法
技术领域
本发明属于有机材料技术领域,尤其涉及一种有机半导体材料、其制备方法和应用。
背景技术
随着信息时代的发展,具有高效、节能、轻质的有机电致发光平板显示器(OLEDs)及大面积白光照明越来越受到人们的关注。有机电致发光器件要实现全色显示及照明等应用目的,器件必须具有一定的效率和寿命。但是,目前制备得到的有机电致发光器件的发光效率不高,影响了有机电致发光器件的市场应用;同时在OLED制作及实际工作时,会受到热的作用,器件中的有机材料,易受到这些热的作用诱使膜层产生结晶型态 或薄膜的其它形态发生变化(如玻璃化转变),造成OLED亮度、效率衰退等现象,如此反复地受热作用变化,材料易老化,导致有机电致发光器件寿命降低。

发明内容
有鉴于此,本发明提供一种有机半导体材料,解决现有技术中有机电致发光器件发光效率不高、寿命不长的技术问题。本发明是这样实现的,一种有机半导体材料,具有如下结构式1:
权利要求
1.一种有机半导体材料,具有如下结构式1:
2.如权利要求1所述的有机半导体材料,其特征在于,所述烷基、烷氧基中的烷基为碳原子数为C1 C12的烷基。
3.如权利要求1所述的有机半导体材料,其特征在于,所述烷基、烷氧基中的烷基为碳原子数为C2 C6的烷基。
4.一种有机半导体材料制备方法,包括如下步骤:分别提供结构式为
5.如权利要求4所述的有机半导体材料制备方法,其特征在于,所述烷基、烷氧基中的烷基为碳原子数为C1 C12的烷基。
6.如权利要求4所述的有机半导体材料制备方法,其特征在于,所述烷基、烷氧基中的烷基为碳原子数为C2 C6的烷基。
7.如权利要求4所述的有机半导体材料制备方法,其特征在于,所述催化剂为有机钯或有机钯与有机磷配体的混合物,所述碱性溶液为Cs2C03、K2CO3> Na2CO3或Li2C03。
8.如权利要求4所述的有机半导体材料制备方法,其特征在于,所述有机钯选自四三苯基膦钯、醋酸钯、三(二亚苄基丙酮)二钯或双三苯基膦二氯化钯。
9.如权利要求7所述的有机半导体材料制备方法,其特征在于,所述有机钯与所述化合物A的摩尔比为0.001 0.1: 1,碱性溶液的用量与所述化合物A的摩尔比为20 25:10
10.如权利要求1 3任一项权利要求所述的有机半导体材料在有机电致发光器件,有机太阳能电池,有机场效 应晶体管,有机光存储器件,有机非线性材料或有机激光器件中的应用。
全文摘要
本发明适用于有机材料技术领域,提供了一种有机半导体材料,其制备方法和应用。本发明有机半导体材料具有如下结构式。本发明有机半导体材料,包括二苯并噻吩砜基团和三苯胺基团,具有较高的载流子迁移率和刚性,实现了其发光效率与热稳定性的显著提升;本发明有机半导体材料制备方法,操作简单、成本低廉,生产效益高,非常适于工业化生产。
文档编号H01L51/54GK103073534SQ201110327188
公开日2013年5月1日 申请日期2011年10月25日 优先权日2011年10月25日
发明者周明杰, 王平, 梁禄生, 张振华 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司
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