一种磁性元件、变压器及感应式电压调整器的制作方法

文档序号:22905876发布日期:2020-11-13 12:41阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种磁性元件,其特征在于,包括:

第一磁芯,包括第一中柱;

第二磁芯,与所述第一磁芯沿轴向方向相对设置,所述第一中柱位于所述第一磁芯和所述第二磁芯之间;

第一绕组,绕设于所述第一中柱;以及

第二绕组,绕设于所述第一绕组的外部,所述第一绕组和所述第二绕组沿径向方向相间隔的设置,并且所述第一绕组和所述第二绕组至少部分重叠,所述径向方向垂直于所述轴向方向。

2.根据权利要求1所述的磁性元件,其特征在于,所述磁性元件还包括绝缘件,所述绝缘件设置于所述第一绕组和所述第二绕组之间。

3.根据权利要求1所述的磁性元件,其特征在于,所述第一绕组和所述第二绕组中至少一个绕组的外表面设置有绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的磁性元件,其特征在于,所述第一绕组和/或所述第二绕组为扁平漆包线。

5.根据权利要求1所述的磁性元件,其特征在于,所述第一绕组包括两个第一引脚部,所述第二绕组包括两个第二引脚部,两个所述第一引脚部和两个所述第二引脚部用于连接外部电路板;所述第一引脚部平行于所述第一磁芯的下端面设置或者垂直于所述第一磁芯的下端面设置;所述第二引脚部平行于所述第一磁芯的下端面设置或者垂直于所述第一磁芯的下端面设置。

6.根据权利要求5所述的磁性元件,其特征在于,所述第一磁芯包括第一基体部以及设置于所述第一基体部一侧的第一边柱和第二边柱,所述第一中柱位于所述第一边柱和所述第二边柱之间;所述第一中柱与所述第一边柱合围成第一凹槽,所述第一中柱与所述第二边柱合围成第二凹槽,所述第一绕组和所述第二绕组均穿设于所述第一凹槽和所述第二凹槽。

7.根据权利要求6所述的磁性元件,其特征在于,所述第一边柱的上端面、所述第二边柱的上端面和所述第一基体部的上端面平齐,所述第一中柱的上端面相对于所述第一基体部的上端面内凹;

所述第一中柱的所述上端面以及所述第一边柱和所述第二边柱合围成第一边槽,所述第一边槽分别连通于所述第一凹槽和所述第二凹槽,所述第一绕组和所述第二绕组均穿设于所述第一边槽。

8.根据权利要求7所述的磁性元件,其特征在于,所述第一边柱的下端面相对于所述第一基体部的下端面内凹形成第一角槽,所述第二边柱的下端面相对于所述第一基体部的下端面内凹形成第二角槽;所述第一角槽连通于所述第一凹槽,所述第二角槽连通于所述第二凹槽,两个所述第二引脚部分别穿设于所述第一角槽和所述第二角槽。

9.根据权利要求7所述的磁性元件,其特征在于,所述第二磁芯与所述第一磁芯的结构相同,所述第二磁芯包括第二基体部以及设置于所述第二基体部一侧的第三边柱、第四边柱以及第二中柱,所述第三边柱与所述第一边柱沿轴向方向相对设置,所述第四边柱与所述第二边柱沿轴向方向相对设置,所述第二中柱与所述第一中柱沿轴向方向相对设置,所述第一绕组和所述第二绕组绕设于所述第一中柱和所述第二中柱上。

10.根据权利要求9所述的磁性元件,其特征在于,所述第二磁芯包括第二边槽,所述第二边槽与所述第一边槽沿轴向方向相对设置且合围成一开口,部分所述第二绕组通过所述开口显露于外。

11.根据权利要求6所述的磁性元件,其特征在于,所述第二磁芯为i型。

12.根据权利要求5所述的磁性元件,其特征在于,两个所述第一引脚部向内延伸,两个所述第二引脚部向外延伸。

13.根据权利要求5所述的磁性元件,其特征在于,所述第一绕组经过折叠形成两个第一延伸部,两个所述第一延伸部分别连接两个所述第一引脚部,所述第二绕组经过折叠形成两个第二延伸部,两个所述第二延伸部分别连接两个所述第二引脚部。

14.根据权利要求1所述的磁性元件,其特征在于,所述第一磁芯与所述第二磁芯为一体结构。

15.一种变压器,其特征在于,包括如权利要求1至14任一项所述的磁性元件。

16.一种感应式电压调整器,其特征在于,包括多相并联连接的变换电路,每一相变换电路包括如权利要求15所述的变压器、第一开关以及第二开关;其中,所述第一开关电连接在电源和第一绕组的第一端之间;所述第二开关电连接在所述第一绕组的第一端和接地端之间;所述第一绕组的第二端连接负载;所述第一开关和所述第二开关配合动作将电源的输入电压转换为负载所需的输出电压;多个所述变压器的多个第二绕组依次串联耦接于两个接地端之间。


技术总结
本实用新型提供了一种磁性元件、包括该磁性元件的变压器及包括该变压器的感应式电压调整器,该磁性元件包括第一磁芯、第二磁芯、第一绕组和第二绕组,第一磁芯包括第一中柱;第二磁芯与第一磁芯沿轴向方向相对设置,第一中柱位于第一磁芯和第二磁芯之间;第一绕组绕设于第一中柱;第二绕组绕设于第一绕组的外部,第一绕组和第二绕组沿径向方向相间隔的设置,并且第一绕组和第二绕组至少部分重叠,径向方向垂直于轴向方向。

技术研发人员:马圣伟;何良德;张樱腾
受保护的技术使用者:台达电子(郴州)有限公司
技术研发日:2020.05.18
技术公布日:2020.11.13
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