1.一种提高外量子效率的led芯片，其特征在于，所述提高外量子效率的led芯片包括：
dbr层(1)；
位于所述dbr层(1)上的衬底(2)；
位于所述衬底(2)上的缓冲层(3)；
位于所述缓冲层(3)上的第一半导体层(4)；
位于所述第一半导体层(4)上的有源层(5)；
位于所述有源层(5)上的第二半导体层(6)；
位于所述第二半导体层(6)上的透明导电层(7)；
还包括与所述第一半导体层(4)接触且电性导通的n型电极(8)以及与所述第二半导体层(6)接触且电性导通的p型电极(9)，所述n型电极(8)和p型电极(9)均为铝基反射电极，所述p型电极(9)的铝金属层直接与透明导电层(7)接触，用以提升反射电极与半导体界面的反射率。
2.根据权利要求1所述的一种提高外量子效率的led芯片，所述透明导电层(7)包括一层用于与p型电极(9)中铝金属层接触的azo层(7.1)，用以提升p型电极(9)与透明导电层(7)之间的粘附力。
3.根据权利要求2所述的一种提高外量子效率的led芯片，其特征在于，所述azo层(7.1)的晶粒均匀，晶粒尺寸为30～50nm，用以提升p型电极(9)与透明导电层(7)之间的粘附力。
4.根据权利要求1所述的一种提高外量子效率的led芯片，其特征在于，所述第二半导体层(6)与透明导电层(7)之间设有电流阻挡层(10)，用以提高led芯片的发光效率。
5.根据权利要求1所述的一种提高外量子效率的led芯片，其特征在于，所述第一半导体层(4)与第二半导体层(6)之间沿竖直方向设有台阶斜面(11)；所述台阶斜面(11)包括平面(11.1)和斜面(11.2)；所述斜面(11.2)从第二半导体层(6)延伸至第一半导体层(4)与所述平面(11.1)相交，所述平面(11.1)水平设于第一半导体层(4)上，用以安装n型电极(8)。
6.根据权利要求1所述的一种提高外量子效率的led芯片，其特征在于，还包括覆盖在led芯片顶部的钝化层(12)。