1.一种堆叠式的芯片，其特征在于，包括：
载体单元，其中设置有第一容置结构，所述第一容置结构为凹槽或通孔；
第一晶片，设置于所述第一容置结构中；
再布线层，设置于所述第一晶片上方；
第一焊盘，设置于所述再布线层上方，所述第一焊盘通过所述再布线层与所述第一晶片电连接；
第二晶片，堆叠于所述载体单元和所述第一晶片的上方，所述第二晶片包括第二焊盘，所述第二焊盘与所述第一焊盘电连接，其中，所述第二晶片的表面面积大于所述第一晶片的表面面积。
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第二晶片的表面面积小于所述载体单元的表面面积。
3.根据权利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括：特定焊盘，设置于所述再布线层上方，所述特定焊盘通过所述再布线层与所述第一晶片电连接；
所述特定焊盘用于通过引线与所述芯片所在的装置中的电路板连接。
4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述特定焊盘位于所述第二晶片在垂直方向的投影之外。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的芯片，其特征在于，所述堆叠式的芯片为图像传感芯片；
所述第二晶片为像素晶片，所述像素晶片包括像素阵列，用于接收光信号并转换为电信号；
所述第一晶片为逻辑晶片，所述逻辑晶片包括信号处理电路，用于处理所述电信号。
6.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述第二晶片还包括衬底、第一介质层以及第二金属线路层；
所述像素阵列形成于所述衬底中，所述第一介质层设置在所述衬底的表面，所述第二金属线路层形成于所述第一介质层中；
所述第二金属线路层电连接于所述像素阵列，且所述第二金属线路层中设置有所述第二焊盘。
7.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述第二焊盘设置于所述像素阵列在其垂直方向的投影之外，所述第一焊盘位于所述第二焊盘的正上方。
8.根据权利要求6或7所述的芯片，其特征在于，所述第二晶片为背照式结构，所述像素阵列靠近于所述衬底的下表面，且所述第一介质层设置在所述衬底的下表面。
9.根据权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述第二金属线路层与所述第一介质层的下表面之间设置有开孔以在所述第二金属线路层中形成所述第二焊盘。
10.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述第二晶片还包括：第二介质层，所述第二介质层设置于所述第一介质层下表面的非开孔区域。
11.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述第二晶片还包括：第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层的下表面，所述第二金属线路层与所述第二介质层的下表面之间设置有开孔以在所述第二金属线路层中形成所述第二焊盘。
12.根据权利要求6或7所述的芯片，其特征在于，所述第二晶片为正照式结构，所述像素阵列靠近于所述衬底的上表面，且所述第一介质层设置在所述衬底的上表面；
所述第二金属线路层与所述衬底的下表面之间设置有开孔以在所述第二金属线路层中形成所述第二焊盘。
13.根据权利要求6至12中任一项所述的芯片，其特征在于，所述第二焊盘下方设置有凸块底层金属化层，或者设置有通孔互连结构，所述凸块底层金属化层或者所述通孔互连结构下方设置有焊球。
14.根据权利要求6至13中任一项所述的芯片，其特征在于，所述第二晶片还包括：光学组件，设置在所述像素阵列上方，所述光学组件包括滤光层和/或微透镜阵列。
15.根据权利要求14所述的芯片，其特征在于，所述第二晶片还包括透明盖板，所述透明盖板设置在所述光学元件上方，其中，所述透明盖板与所述光学元件之间为空气或者透明介质层。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括：第三介质层和第四介质层，
所述第三介质层设置在所述再布线层与所述载体单元之间，用于形成导电通道连接所述再布线层和所述第一晶片的第一金属线路层；
所述第四介质层设置在所述第一焊盘与所述再布线层之间，用于形成导电通道连接所述再布线层和所述第一焊盘。
17.根据权利要求16所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括第一导热金属层，所述第一导热金属层设置在所述第四介质层的上表面，所述第一导热金属层与所述第一焊盘位于同一水平面上。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的芯片，其特征在于，若所述第一容置结构为凹槽，所述芯片还包括：第二导热金属层，设置在所述第一容置结构的底部，所述第一晶片设置于所述第二导热金属层上表面，所述第二导热金属层通过至少一个导热金属结构连接至所述载体单元的下表面。
19.根据权利要求18所述的芯片，其特征在于，所述载体单元的下表面还设置有第三导热金属层，所述第三导热金属层与所述至少一个导热金属结构连接。
20.根据权利要求1至19中任一项所述的芯片，其特征在于，所述载体单元中还设置有第二容置结构，所述第二容置结构为凹槽或通孔；
所述芯片还包括：第三晶片，设置于所述第二容置结构中；
所述第二晶片，堆叠于所述载体单元、所述第一晶片和所述第三晶片的上方，所述第二晶片通过其下表面的第二焊盘与所述第一焊盘电连接，且所述第二晶片的表面面积大于所述第一晶片与所述第三晶片的表面面积之和。
21.根据权利要求20所述的芯片，其特征在于，所述再布线层设置于所述第一晶片和所述第三晶片的上方，所述第三晶片通过所述再布线层与所述第一晶片电连接。
22.根据权利要求21所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括：第三焊盘，设置于所述再布线层上方，所述第三焊盘通过所述再布线层与所述第三晶片电连接；
所述第二晶片还包括第四焊盘，所述第四焊盘与所述第三焊盘电连接。
23.根据权利要求20至22中任一项所述的芯片，其特征在于，所述第三晶片为图像传感芯片中的内存晶片，所述内存晶片包括存储电路，用于存储所述第一晶片和/或所述第二晶片产生的电信号。
24.根据权利要求20所述的芯片，其特征在于，所述第三晶片为伪芯片，用于平衡所述芯片加工过程中的机械应力。
25.根据权利要求1至24中任一项所述的芯片，其特征在于，所述载体单元为衬底、塑封料、封装基板、电路板中的任意一种，其中，所述衬底的材料为硅、玻璃、陶瓷中的任意一种。
26.一种堆叠式芯片的制造方法，其特征在于，包括：
从第一晶圆上分割出多个第一晶片；
将所述多个第一晶片封装在载体中；
在所述多个第一晶片上方制备再布线层；
在所述再布线层上方制备第一焊盘，所述第一焊盘通过所述再布线层与所述多个第一晶片中的第一目标晶片电连接；
在第二晶圆上制备多个第二晶片，并从所述第二晶圆上分割出所述多个第二晶片中的第二目标晶片，所述第二目标晶片包括第二焊盘；
将所述第二目标晶片堆叠于所述第一目标晶片上方，焊接所述第一焊盘与所述第二焊盘，以电连接所述第一目标晶片和所述第二目标晶片；
将电连接后的所述第一目标晶片与所述第二目标晶片的整体进行切割，以得到一个堆叠式芯片，其中，所述第二目标晶片的表面面积大于所述第一目标晶片的表面面积。
27.根据权利要求26所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
在所述再布线层上方制备特定焊盘，所述特定焊盘通过所述再布线层与所述第一目标晶片电连接；
所述特定焊盘用于通过引线与所述堆叠式芯片所在的装置中的电路板连接。
28.根据权利要求26或27所述的制造方法，其特征在于，所述载体为衬底晶圆，所述将所述多个第一晶片封装在载体中，包括：
在所述衬底晶圆上制作多个第一容置结构，所述第一容置结构为凹槽或通孔；
将所述多个第一晶片固定在所述多个第一容置结构中；
在固定有所述多个第一晶片的所述衬底晶圆上方制备所述再布线层。
29.根据权利要求26或27所述的制造方法，其特征在于，所述载体为塑封料，所述将所述多个第一晶片封装在载体中，包括：
将所述多个第一晶片封装在所述塑封料中，其中，所述多个第一晶片的上表面与空气接触；
在封装有所述多个第一晶片的所述塑封料上方制备所述再布线层。
30.根据权利要求26或27所述的制造方法，其特征在于，所述载体为封装基板，所述将所述多个第一晶片封装在载体中，包括：
将所述多个第一晶片封装在所述封装基板内部；
在所述封装基板中制备所述再布线层，其中，所述再布线层包括多层水平设置的金属线路层以及多个垂直设置的互连结构。
31.根据权利要求26至30中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述堆叠式芯片为图像传感芯片，所述第二目标晶片为像素晶片，所述第二目标晶片包括像素阵列，用于接收光信号并转换为电信号；
所述第一目标晶片为逻辑晶片，所述第一目标晶片包括信号处理电路，用于处理所述电信号。
32.根据权利要求31所述的制造方法，其特征在于，所述在第二晶圆上制备多个第二晶片，包括：
在所述第二晶圆中制备所述第二目标晶片的像素阵列，并在所述第二晶圆的表面制备第一介质层和第二金属线路层，其中，所述第二金属线路层形成于所述第一介质层中，且所述第二金属线路层电连接于所述像素阵列；
制备所述第二焊盘，所述第二焊盘形成于所述第二金属线路层中；
在所述第二焊盘下方制备电连接装置。
33.根据权利要求32所述的制造方法，其特征在于，所述第二焊盘形成于所述像素阵列在其垂直方向的投影之外。
34.根据权利要求32或33所述的制造方法，其特征在于，所述第二目标晶片为背照式结构，所述在所述第二晶圆中制备所述第二目标晶片的像素阵列，并在所述第二晶圆的表面制备第一介质层和第二金属线路层，包括：
在所述第二晶圆的下部制备所述像素阵列，所述像素阵列靠近于所述第二晶圆的下表面；
在所述第二晶圆的下表面制备所述第一介质层和所述第二金属线路层。
35.根据权利要求34所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
采用晶圆键合工艺键合将所述第二晶圆键合在衬底晶圆上；
对所述第二晶圆的上表面进行减薄处理，其中，所述像素阵列接近于减薄处理后的所述第二晶圆的上表面。
36.根据权利要求35所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
在所述像素阵列的上方设置透明盖板作为支撑结构，对所述衬底晶圆的下表面进行减薄处理至所述第二金属线路层接近于所述衬底晶圆的下表面。
37.根据权利要求35或36所述的制造方法，其特征在于，所述制备所述第二焊盘，包括：
对所述衬底晶圆的下表面进行刻蚀处理形成开孔，所述开孔连接所述第二金属线路层，以在所述第二金属线路层中形成所述第二焊盘。
38.根据权利要求35所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
在所述像素阵列的上方设置透明盖板作为支撑结构，对所述衬底晶圆的下表面进行减薄处理至完全去除所述衬底晶圆。
39.根据权利要求38所述的制造方法，其特征在于，所述制备所述第二焊盘，包括：
对所述第一介质层的下表面进行刻蚀处理形成开孔，所述开孔连接所述第二金属线路层，以在所述第二金属线路层中形成所述第二焊盘。
40.根据权利要求32或33所述的制造方法，其特征在于，所述第二目标晶片为正照式结构，所述在所述第二晶圆中制备所述第二目标晶片的像素阵列，并在所述第二晶圆的表面制备第一介质层和第二金属线路层，包括：
在所述第二晶圆的上部制备所述像素阵列，所述像素阵列靠近于所述第二晶圆的上表面；
在所述第二晶圆的上表面制备所述第一介质层和所述第二金属线路层。
41.根据权利要求40所述的制造方法，其特征在于，所述制备所述第二焊盘，包括：
对所述第二晶圆的下表面进行刻蚀处理形成开孔，所述开孔连接所述第二金属线路层，以在所述第二金属线路层中形成所述第二焊盘。
42.根据权利要求32至41中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第二焊盘下方制备电连接装置，包括：
在所述第二焊盘下方制备凸块底层金属化层或者通孔互连结构，
在所述凸块底层金属化层或者通孔连接结构下方制备焊球。
43.根据权利要求32至42中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第二晶圆中制备所述第二目标晶片的像素阵列之后，所述制造方法还包括：
在所述像素阵列上方制备光学组件，所述光学组件包括：滤光层和/或微透镜阵列。
44.根据权利要求26至43中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
从第三晶圆上分割出多个第三晶片；
将所述多个第三晶片与所述多个第一晶片一起封装在所述载体中，所述再布线层与所述多个第三晶片中的第三目标晶片电连接；
将所述第一目标晶片、所述第二目标晶片和所述第三目标晶片的整体进行切割，以得到一个堆叠式芯片；
其中，所述第二目标晶片的表面面积大于所述第一目标晶片和所述第三目标晶片的表面面积之和。
45.根据权利要求44所述的制造方法，其特征在于，所述第三晶片通过所述再布线层与所述第一晶片电连接。
46.根据权利要求45所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
在所述再布线层上方制备第三焊盘，所述第三焊盘通过所述再布线层与所述第三目标晶片电连接；
焊接所述第三焊盘与所述第二晶片的第四焊盘，以电连接所述第三目标晶片和所述第二目标晶片。
47.根据权利要求44至46中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述第三目标晶片为图像传感芯片中的内存晶片，所述内存晶片包括存储电路，用于存储所述第一目标晶片和/或所述第二目标晶片产生的电信号。
48.根据权利要求44所述的制造方法，其特征在于，所述第三目标晶片为伪芯片，用于平衡所述芯片加工过程中的机械应力。
49.一种图像传感器，其特征在于，包括：如权利要求1至25中任一项所述的堆叠式的芯片。
50.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求1至25中任一项所述的堆叠式的芯片。