1.一种摄像元件，具备：
第1像素阵列，包括吸收第1波段的光的第1光电转换部、以及与所述第1光电转换部连接的第1像素电极；以及
第2像素阵列，包括吸收第2波段的光的第2光电转换部、以及与所述第2光电转换部连接的第2像素电极，
所述第1波段的中心波长与所述第2波段的中心波长不同，
所述第1像素阵列与所述第2像素阵列被层叠，
在平面图中，通过所述第1像素电极与所述第2像素电极重叠而规定的重叠区域的面积，小于从所述第1像素电极去除所述重叠区域后的剩余区域的面积。
2.一种摄像元件，具备：
第1像素阵列，包括吸收第1波段的光的第1光电转换部、以及与所述第1光电转换部连接的至少1个第1像素电极；
第2像素阵列，包括吸收第2波段的光的第2光电转换部、以及与所述第2光电转换部连接的第2像素电极；
第1滤光器，使所述第1波段的光透射；以及
第2滤光器，使所述第2波段的光透射，
所述第1波段的中心波长与所述第2波段的中心波长不同，
所述第1像素阵列与所述第2像素阵列被层叠，
在平面图中，所述第1滤光器与所述至少1个第1像素电极重叠，所述第2滤光器与所述第2像素电极重叠。
3.一种摄像元件，具备：
第1像素阵列，包括吸收第1波段的光的第1光电转换部、以及与所述第1光电转换部连接的至少1个第1像素电极；
第2像素阵列，包括吸收第2波段的光的第2光电转换部、以及与所述第2光电转换部连接的第2像素电极；
第1透镜；以及
第2透镜，
所述第1波段的中心波长与所述第2波段的中心波长不同，
所述第1像素阵列与所述第2像素阵列被层叠，
在平面图中，所述第1透镜的光轴位于所述至少1个第1像素电极的中心区域，所述第2透镜的光轴位于所述第2像素电极的中心区域。
4.如权利要求1所述的摄像元件，
在平面图中，所述第1像素电极与所述第2像素电极不重叠，所述重叠区域的面积为零。
5.如权利要求2所述的摄像元件，
所述至少1个第1像素电极包括多个第1像素电极，
所述摄像元件还具备：第3滤光器，使与所述第1波段及所述第2波段不同的第3波段的光透射，
在平面图中，所述第3滤光器与所述多个第1像素电极之中的、与所述第1滤光器不重叠的第1像素电极重叠。
6.如权利要求3所述的摄像元件，
所述至少1个第1像素电极包括多个第1像素电极，
所述摄像元件还具备第3透镜，
在平面图中，所述第3透镜的光轴位于所述多个第1像素电极之中的、所述第1透镜的光轴不位于其中心区域的第1像素电极的中心区域。
7.如权利要求6所述的摄像元件，
所述第1透镜的光轴相对于所述第2像素电极的中心区域偏离，
所述第2透镜的光轴相对于所述多个第1像素电极各自的中心区域偏离。
8.如权利要求1至7中任一项所述的摄像元件，
所述第1像素阵列被配置为比所述第2像素阵列更靠近所述摄像元件的受光面，
所述第2波段的光的波长比所述第1波段的光的波长长。
9.如权利要求1至7中任一项所述的摄像元件，
所述第2像素阵列被配置为比所述第1像素阵列更靠近所述摄像元件的受光面，
所述第2波段的光的波长比所述第1波段的光的波长长。
10.如权利要求1所述的摄像元件，
所述第1像素电极包含氧化铟锡。
11.如权利要求1至10中任一项所述的摄像元件，
所述第1波段包含可见光的波段。
12.如权利要求1至11中任一项所述的摄像元件，
所述第2波段包含近红外光的波段。
13.如权利要求1所述的摄像元件，还具备：
基板，支承所述第1像素阵列及所述第2像素阵列；
第1插塞，将所述第1像素电极与所述基板连接；以及
第2插塞，将所述第2像素电极与所述基板连接，
在平面图中，所述第1插塞与所述第2像素电极不重叠，所述第2插塞与所述第1像素电极不重叠。
14.如权利要求2或者3所述的摄像元件，
所述至少1个第1像素电极包含氧化铟锡。
15.如权利要求2或者3所述的摄像元件，还具备：
基板，支承所述第1像素阵列及所述第2像素阵列；
第1插塞，将所述至少1个第1像素电极与所述基板连接；以及
第2插塞，将所述第2像素电极与所述基板连接，
在平面图中，所述第1插塞与所述第2像素电极不重叠，所述第2插塞与所述至少1个第1像素电极不重叠。