技术总结
本发明所提供的一种改善MIM电容的击穿电压的方法，包括以下步骤：提供一基底，所述基底上形成有第一电极；在所述第一电极上经过n次沉积，以形成电容介质层，其中n≥2，且n为正整数；以及在所述电容介质层上形成第二电极，以形成MIM电容。本发明通过在第一电极上经过多次沉积形成电容介质层，以消除形成电容介质层内以及电容介质层与第一电极之间的应力过大造成的电介质层的破裂，从而减少了击穿电压的测量值与设计值的偏差。测量值与设计值的偏差。测量值与设计值的偏差。
技术研发人员：刘冲 曹秀亮
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2021.02.24
技术公布日：2021/6/4