1.一种制造半导体器件的方法，包括：
形成包括多个金属化图案的再分布结构；
将半导体器件附接到所述再分布结构的第一侧；
用第一密封剂密封所述半导体器件；
在所述第一密封剂中形成开口，所述开口暴露所述再分布结构的金属化图案；
在所述开口中形成导电材料，包括用导电膏至少部分地填充所述开口；
在形成所述导电材料之后，将集成器件附接到所述再分布结构的第二侧；
用第二密封剂密封所述集成器件；以及
在密封所述集成器件之后，在所述导电材料上形成预焊料材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一密封剂的热膨胀系数(cte)不同于所述第二密封剂的热膨胀系数。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在密封所述集成器件之后，所述集成器件从所述第二密封剂突出。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一密封剂中形成开口包括执行激光钻孔工艺。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电膏是银膏。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述集成器件包括表面安装器件(smd)。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括，对所述第一密封剂执行平坦化工艺以暴露所述半导体器件。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一密封剂中形成开口包括执行激光钻孔工艺。
9.一种制造半导体器件的方法，包括：
形成包括第一金属化图案和第二金属化图案的再分布结构；
将第一组集成器件连接到所述第一金属化图案；
在所述第一金属化图案上形成导电连接件；
在所述第一金属化图案、所述第一组集成器件和所述导电连接件上方沉积第一模制材料；
使用激光钻孔工艺在所述第一模制材料中形成开口，其中，每个开口暴露导电连接件；
在每个开口内和每个导电连接件上形成导电材料；
将第二组集成器件连接到所述第二金属化图案；以及
在所述第二金属化图案和所述第二组集成器件上方沉积第二模制材料。
10.一种半导体器件，包括：
再分布结构，包括第一侧和第二侧；
第一多个器件，附接到所述再分布结构的所述第一侧；
第一模制材料，在所述再分布结构的所述第一侧上并围绕所述第一多个器件；
多个开口，在所述第一模制材料中；
多个导电互连件，在所述多个开口中，其中，所述多个导电互连件中的每个导电互连件电连接到所述再分布结构的所述第一侧，其中，所述多个导电互连件中的每个导电互连件包括至少部分填充所述多个开口的相应开口的焊膏；
第二多个器件，附接到所述再分布结构的所述第二侧；以及
第二模制材料，在所述再分布结构的所述第二侧上并围绕所述第二多个器件，其中，所述第二模制材料不同于所述第一模制材料。