技术特征：
1.一种阻变存储器，其特征在于，该阻变存储器的阻变层由拦截特性薄膜和具有阻变特性的阻变材料薄膜交替叠加构成。2.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变材料薄膜采用具有阻变特性的过渡金属氧化物，厚度为5nm-100nm；或采用有机材料，厚度为200nm-500nm。3.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述拦截特性薄膜采用sio
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、bn、石墨烯或石墨材料，厚度为1nm～10nm。4.如权利要求2所述的阻变存储器，其特征在于，所述过渡金属氧化物为tao
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、hfo
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、sio
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或srtio3，所述有机材料为parylene。5.一种阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：1)定义底电极图形，按照该图形在衬底上制备底电极；2)采用物理气相淀积、原子层淀积或化学气相沉积的方法在底电极上淀积阻变材料薄膜；3)采用pvd或ald的方法在阻变材料薄膜上淀积拦截特性薄膜；4)重复2)和3)步骤，形成拦截特性薄膜和阻变材料薄膜交替叠加构成的阻变层结构；5)定义底电极引出孔图形，按照该图形在阻变材料薄膜和拦截特性薄膜刻蚀出底电极引出孔；6)定义顶电极图形，按照该图形制备顶电极。6.如权利要求5所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤1)、5)和6)中定义图形的方法是，利用光刻技术在光刻胶上定义图形。7.如权利要求5所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中衬底采用硅或玻璃。8.如权利要求5所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤1)、5)和6)中底电极和顶电极采用w、au、tin或pt，厚度为10nm-400nm；所述底电极和顶电极的制备方法包括pvd和蒸发淀积方法。9.如权利要求5所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中所述阻变材料薄膜采用具有阻变特性的过渡金属氧化物，厚度为5nm-100nm；或采用有机材料，厚度为200nm-500nm。10.如权利要求5所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述拦截特性薄膜采用sio
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、bn、石墨烯或石墨材料，厚度为1nm～10nm。
技术总结
本发明公布了一种基于多阻变层的阻变存储器及其制备方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明基于传统CMOS工艺来实现具有高retention的阻变存储器件，其核心在于，阻变层由拦截特性薄膜和具有阻变特性的阻变材料薄膜交替叠加构成，形成多层阻变层结构。本发明通过调整界面处势垒以期降低甚至消除阻变存储器的crossbar结构中存在的阻变层离子迁移问题，可有效地抑制器件的低保持力。同时，多层阻变层结构也有利于增加器件的状态数，为实现阻变存储器大规模集成以及商业化铺平了道路。平了道路。平了道路。
技术研发人员：蔡一茂 王宗巍 王錡深 杨宇航 黄如
受保护的技术使用者：北京超弦存储器研究院
技术研发日：2021.11.22
技术公布日：2022/2/24