得小。
[0066]再者，如果如下所述沿着切断预定线51形成改质区域71，则在切断加工对象物I的工序中，不需要将加工对象物I反转。即，如图15所示，以单晶蓝宝石基板31的背面31b作为单晶蓝宝石基板31中的激光L的入射面，将激光L的聚光点P对准于单晶蓝宝石基板31内，使聚光点P沿着各条切断预定线51相对地移动。由此，沿着各条切断预定线51在单晶蓝宝石基板31内形成改质区域71，并且与上述的情况相反地，使从改质区域71产生的龟裂81到达单晶蓝宝石基板31的表面3Ia (第3工序)。此时，龟裂81虽然未到达单晶蓝宝石基板31的背面31b，但是也从改质区域71朝背面31b侧伸展。
[0067]在该工序中，如果以单晶蓝宝石基板31的r面与背面31b所形成的角度成为锐角的侧作为一侧，且以单晶蓝宝石基板31的r面与背面31b所形成的角度成为钝角的侧作为另一侧，则与上述的情况相反地，在全部切断预定线51中，使激光L的聚光点P从另一侧朝一侧相对地移动。另外，从将聚光点P对准的位置至表面31a为止的距离是例如单晶蓝宝石基板31的厚度的一半以下的距离，例如为50?70 μπι。其中，从将聚光点P对准的位置至表面31a为止的距离不会比容许最小距离e小。
[0068]由此，不仅从改质区域72产生的龟裂82，而且从改质区域71产生的龟裂81也到达单晶蓝宝石基板31的表面31a。因此，如图16所示，沿着各条切断预定线51、52，从单晶蓝宝石基板31的背面31b侧，经由伸展胶带42将刀缘44抵接在加工对象物1，能够沿着各条切断预定线51、52切断加工对象物I。如此，在切断加工对象物I的工序，不需要将加工对象物I反转。
[0069]另外，在沿着切断预定线51形成改质区域71的工序中，与上述的情况相反地，使激光L的聚光点P从另一侧朝一侧相对地移动，由此能够将从改质区域71到达单晶蓝宝石基板31的表面31a的龟裂81的蛇行量抑制得小。如此，如果在单晶蓝宝石基板31的表面31a和背面31b之中，着眼于从改质区域71产生的龟裂81应该到达的面，从单晶蓝宝石基板31的！■面与该面所形成的角度成为锐角的侧，朝单晶蓝宝石基板31的r面与该面所形成的角度成为钝角的侧，使激光L的聚光点P相对地移动，则能够将到达该面的龟裂81的蛇行量抑制得小。
[0070]以上，就本发明的一个实施方式的加工对象物切断方法进行了说明，但是本发明的加工对象物切断方法不限定于上述实施方式的加工对象物切断方法。
[0071]例如，沿着切断预定线51形成改质区域71的工序，不限定于如上述者。与沿着切断预定线51如何形成改质区域71没有关系，关于切断预定线52，起到上述的“可以防止起因于激光L的照射而导致发光元件部32的特性劣化，并且即使从改质区域72产生的龟裂82的伸展方向朝r面的倾斜方向拉引，也能够在单晶蓝宝石基板31的表面31a将龟裂82收在格线区域38内，可以防止该龟裂81到达发光元件部32”的效果等。
[0072]另外，如果是在切断加工对象物I的工序之前，则可以先实施在沿着切断预定线51形成改质区域71的工序以及沿着切断预定线52形成改质区域72的工序之中任一个工序。另外，如果是在形成改质区域71、72的工序之后，则可以先实施在沿着切断预定线51切断加工对象物I的工序以及沿着切断预定线52切断加工对象物I的工序之中的任一个工序。
[0073]另外，为了使激光L的聚光点P沿着各条切断预定线51、52相对地移动，可以使激光加工装置100的支撑台107移动，也可以使激光加工装置100的激光光源101侧(激光光源101、分色镜103和聚光用透镜105等)移动，或者也可以使支撑台107和激光光源101侧两者移动。
[0074]另外，可以制造半导体激光作为发光元件。在该情况下，加工对象物I具备单晶蓝宝石基板31、层叠在单晶蓝宝石基板31的表面31a上的η型半导体层(第I导电型半导体层)34、层叠在η型半导体层34上的活性层、以及层叠在活性层上的P型半导体层(第2导电型半导体层)35。η型半导体层34、活性层和P型半导体层35例如由GaN等II1-V族化合物半导体所构成，并构成量子井结构。
[0075]另外，元件层33可以进一步具备用于与电极焊盘36、37的电连接的接触层等。另夕卜，第I导电型也可以为P型，第2导电型也可以为η型。另外，单晶蓝宝石基板31的偏角也有0°的情况。在该情况下，单晶蓝宝石基板31的表面31a和背面31b与c面平行。
[0076]产业上的可利用性
[0077]根据本发明，可以提供一种能够防止从沿着与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂到达发光元件部的加工对象物切断方法。
【主权项】
1.一种加工对象物切断方法，其特征在于， 是用于将加工对象物切断成各个发光元件部来制造多个发光元件的加工对象物切断方法，所述加工对象物具备具有与C面形成达偏角的角度的表面和背面的单晶蓝宝石基板、以及在所述表面上包含矩阵状排列的多个发光元件部的元件层， 具备: 第I工序，其以所述背面作为所述单晶蓝宝石基板中的激光的入射面，将所述激光的聚光点对准于所述单晶蓝宝石基板内，使所述聚光点沿着以与所述单晶蓝宝石基板的m面和所述背面平行的方式设定的多条第I切断预定线的各条相对地移动，由此沿着各条所述第I切断预定线在所述单晶蓝宝石基板内形成第I改质区域，并且使从所述第I改质区域产生的第I龟裂到达所述表面；以及 第2工序，其在所述第I工序之后，沿着各条所述第I切断预定线使外力作用于所述加工对象物，由此使所述第I龟裂伸展，并沿着各条所述第I切断预定线切断所述加工对象物， 在所述第I工序中，在以从将所述聚光点对准的位置至所述表面为止的容许最小距离为e、所述单晶蓝宝石基板的厚度为t，从所述背面至将所述聚光点对准的位置为止的距离为Z，在相邻接的所述发光元件部间在与所述m面平行的方向上延伸的格线区域的宽度为d、所述表面中的所述第I龟裂的蛇行量为m、与所述背面垂直的方向与所述第I龟裂伸展的方向所形成的角度为α的情况下，以满足t-[(d/2)_m]/tana <Z〈t_e的方式，以所述背面作为所述入射面，将所述聚光点对准于所述单晶蓝宝石基板内，使所述聚光点沿着各条所述第I切断预定线相对地移动。
2.如权利要求1所述的加工对象物切断方法，其特征在于， 在所述第2工序中，沿着各条所述第I切断预定线从所述背面侧将刀缘抵接在所述加工对象物，由此沿着各所述第I切断预定线使外力作用于所述加工对象物。
3.如权利要求1或2所述的加工对象物切断方法，其特征在于， 进一步具备: 第3工序，其在所述第2工序之前，以所述背面作为所述入射面，将所述聚光点对准于所述单晶蓝宝石基板内，并使所述聚光点沿着以与所述单晶蓝宝石基板的a面和所述背面平行的方式设定的多条第2切断预定线的各条相对地移动，由此沿着各条所述第2切断预定线在所述单晶蓝宝石基板内形成第2改质区域；以及 第4工序，其在所述第I工序和所述第3工序之后，沿着各条所述第2切断预定线使外力作用于所述加工对象物，由此使从所述第2改质区域产生的第2龟裂伸展，并沿着各条所述第2切断预定线切断所述加工对象物。
【专利摘要】该加工对象物切断方法具备如下工序：以单晶蓝宝石基板(31)的背面(31b)作为基板(31)中的激光(L)的入射面，将激光(L)的聚光点(P)对准于基板(31)内，使聚光点(P)沿着与基板(31)的m面和背面(31b)平行的各条切断预定线(52)相对地移动，由此沿着各线(52)在基板(31)内形成改质区域(72)，并且使龟裂(82)到达表面(31a)。在该工序中，在以从将聚光点(P)对准的位置至表面(31a)为止的容许最小距离为e、表面(31a)的龟裂(82)的蛇行量为m的情况下，满足t-[(d/2)-m]/tanα<Z<t-e。
【IPC分类】B23K26-04, B23K26-00, B23K26-38, H01L21-301, B23K26-40
【公开号】CN104520973
【申请号】CN201380039926
【发明人】田力洋子, 山田丈史
【申请人】浜松光子学株式会社
【公开日】2015年4月15日
【申请日】2013年8月1日
【公告号】US20150217399, WO2014030520A1