一种soi晶片的制作工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及微机械智能传感器领域，尤其涉及一种SOI晶片的制作工艺。
【背景技术】
[0002]SOI即Silicon on Insulator，基于绝缘体的硅晶片，因为基底是玻璃之类的绝缘体(传统晶片是硅晶体)，可以减低电子泄漏，有效提升晶片的电流效率，降低功耗并提升可靠性。简化微机械加工的工艺和降低SOI的制作成本显得尤为重要。
【发明内容】
[0003]本发明要解决以上的技术问题，提供一种SOI晶片的制作工艺，来有效的简化微机械加工的工艺和降低SOI的制作成本。
[0004]为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的:
一种SOI晶片的制作工艺，采用在多晶硅层上用条形加热源使多晶硅再结晶:
(1)、在平整的硅衬底上氧化生成一个二氧化硅薄层；
(2)、利用光刻方法在二氧化娃上刻出一定图形，图形内裸露出娃；
(3)、在表面上气相淀积一层厚为0.5~1微米的多晶硅；
(4)、加热源使多晶硅熔化，一直熔化到硅衬底上，对熔硅来说，这时衬底起籽晶作用；
(5 )、横向移动条形加热源，在氧化层上横向生长出单晶硅。
[0005]与现有的技术相比，本发明的有益效果是:本发明采用了条形加热源多次使用和硅片的状态配合，简化了微机械加工的工艺和降低了 SOI的制作成本。
【具体实施方式】
[0006]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0007]本发明提供一种SOI晶片的制作工艺，采用在多晶硅层上用条形加热源使多晶硅再结晶:
(1)、在平整的硅衬底上氧化生成一个二氧化硅薄层；
(2)、利用光刻方法在二氧化娃上刻出一定图形，图形内裸露出娃；
(3)、在表面上气相淀积一层厚为0.5~1微米的多晶硅；
(4)、加热源使多晶硅熔化，一直熔化到硅衬底上，对熔硅来说，这时衬底起籽晶作用；
(5 )、横向移动条形加热源，在氧化层上横向生长出单晶硅。
[0008]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种SOI晶片的制作工艺，采用在多晶硅层上用条形加热源使多晶硅再结晶，其特征在于: (1)、在平整的硅衬底上氧化生成一个二氧化硅薄层； (2)、利用光刻方法在二氧化娃上刻出一定图形，图形内裸露出娃； (3)、在表面上气相淀积一层厚为0.5~1微米的多晶硅； (4)、加热源使多晶硅熔化，一直熔化到硅衬底上，对熔硅来说，这时衬底起籽晶作用； (5 )、横向移动条形加热源，在氧化层上横向生长出单晶硅。
【专利摘要】本发明公开了一种SOI晶片的制作工艺，涉及微机械智能传感器领域。为了简化微机械加工的工艺和降低SOI的制作成本，本发明通过氧化生成二氧化硅薄层，光刻二氧化硅，气相淀积，熔化多晶硅，移动条形加热源，横向生长出单晶硅，完成SOI晶片的基本制作。本发明采用了条形加热源多次使用和硅片的状态配合，简化了微机械加工的工艺和降低了SOI的制作成本。
【IPC分类】H01L21-762
【公开号】CN104576504
【申请号】CN201410813483
【发明人】张洪涛
【申请人】合肥协知行信息系统工程有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年12月24日