圆形窗口上沉积Ni-Au双层电极，沉积厚度为Ni:50nm，Au:20nm，沉积顺 序为，先沉积Ni，再沉积Au;
[0102] (10)用丙酮和去离子水清洗步骤（9)中得到的样品，并用干燥的N2吹干，得到 p-SnO/n-Si异质结。
[0103] 实施例2
[0104] (1)将P〈0. 01Dcm的n型单抛硅片切为1. 5*1. 5cm2的样品硅片，并清洗烘干；
[0105] (2)在样品硅片的〈100>晶面上旋涂一层光刻胶，形成第一掩膜；
[0106] (3)利用紫外光刻第一掩膜，形成直径为160ym的圆形窗口；
[0107] (4)在室温下利用电子束蒸发设备蒸发二氧化锡蒸发料，在圆形窗口上沉积非晶 SnO半导体层，得到Si-SnO复合体；其中，SnO半导体层的沉积厚度为80nm;
[0108] (5)利用丙酮和去离子水清洗步骤（4)得到的Si-SnO复合体；
[0109] (6)将清洗后的Si-SnO复合体置于快速退火炉中，氩气气氛下，于400°C下退火 10min；
[0110] (7)在退火后的Si-SnO复合体表面旋涂一层光刻胶，形成第二掩膜；
[0111] (8)利用紫外光刻第二掩膜，在n型Si表面形成环形窗口，同时在SnO半导体层上 形成直径为140ym的圆形窗口，环形窗口将SnO半导体层围设在其内圆环中；
[0112] (9)室温下利用电子束蒸发设备蒸发金属蒸发料，在步骤（8)得到的环形窗口和 直径为140ym的圆形窗口上沉积Ni-Au双层电极，沉积厚度为Ni:50nm，Au:20nm，沉积顺 序为，先沉积Ni，再沉积Au;
[0113] (10)用丙酮和去离子水清洗步骤（9)中得到的样品，并用干燥的N2吹干，得到 p-SnO/n-Si异质结。
[0114] 实施例3
[0115] (1)将P= (2?3) *10_3Dcm的n型单抛硅片切为1.5*1. 5cm2的样品硅片，并清 洗烘干；
[0116] (2)在样品硅片的〈111>晶面上旋涂一层光刻胶，形成第一掩膜；
[0117] (3)利用紫外光刻第一掩膜，形成直径为160ym的圆形窗口；
[0118] (4)在室温下利用电子束蒸发设备蒸发二氧化锡蒸发料，在圆形窗口上沉积非晶 SnO半导体层，得到Si-SnO复合体；其中，SnO半导体层的沉积厚度为80nm;
[0119] (5)利用丙酮和去离子水清洗步骤（4)得到的Si-SnO复合体；
[0120] (6)将清洗后的Si-SnO复合体置于快速退火炉中，氩气气氛下，于350°C下退火 lOmin；
[0121] (7)在退火后的Si-SnO复合体表面旋涂一层光刻胶，形成第二掩膜；
[0122] (8)利用紫外光刻第二掩膜，在n型Si表面形成环形窗口，同时在SnO半导体层上 形成直径为140ym的圆形窗口，环形窗口将SnO半导体层围设在其内圆环中；
[0123] (9)室温下利用电子束蒸发设备蒸发金属蒸发料，在步骤（8)得到的环形窗口和 直径为140ym的圆形窗口上沉积Ni-Au双层电极，沉积厚度为Ni:50nm，Au:20nm，沉积顺 序为，先沉积Ni，再沉积Au;
[0124] (10)用丙酮和去离子水清洗步骤（9)中得到的样品，并用干燥的N2吹干，得到 p-SnO/n-Si异质结。
[0125] 实施例4
[0126] (1)将P〈0. 01Dcm的n型单抛硅片切为1. 5*1. 5cm2的样品硅片，并清洗烘干；
[0127] (2)在样品硅片的〈100>晶面上旋涂一层光刻胶，形成第一掩膜；
[0128] (3)利用紫外光刻第一掩膜，形成直径为160ym的圆形窗口；
[0129] (4)在室温下利用电子束蒸发设备蒸发二氧化锡蒸发料，在圆形窗口上沉积非晶 SnO半导体层，得到Si-SnO复合体；其中，SnO半导体层的沉积厚度为80nm;
[0130] (5)利用丙酮和去离子水清洗步骤（4)得到的Si-SnO复合体；
[0131] (6)将清洗后的Si-SnO复合体置于快速退火炉中，氮气气氛下，于350°C下退火 lOmin；
[0132] (7)在退火后的Si-SnO复合体表面旋涂一层光刻胶，形成第二掩膜；
[0133] (8)利用紫外光刻第二掩膜，在n型Si表面形成环形窗口，同时在SnO半导体层上 形成直径为140ym的圆形窗口，环形窗口将SnO半导体层围设在其内圆环中；
[0134] (9)室温下利用电子束蒸发设备蒸发金属蒸发料，在步骤（8)得到的环形窗口和 直径为140ym的圆形窗口上沉积Ni-Au双层电极，沉积厚度为Ni:20nm，Au:20nm，沉积顺 序为，先沉积Ni，再沉积Au;
[0135] (10)用丙酮和去离子水清洗步骤（9)中得到的样品，并用干燥的N2吹干，得到 p-SnO/n-Si异质结。
[0136] 实施例5
[0137] (1)将P〈0. 01Dcm的n型单抛硅片切为1. 5*1. 5cm2的样品硅片，并清洗烘干；
[0138] (2)在样品硅片的〈100>晶面上旋涂一层光刻胶，形成第一掩膜；
[0139] (3)利用紫外光刻第一掩膜，形成直径为160ym的圆形窗口；
[0140] (4)在室温下利用电子束蒸发设备蒸发二氧化锡蒸发料，在圆形窗口上沉积非晶 SnO半导体层，得到Si-SnO复合体；其中，SnO半导体层的沉积厚度为80nm;
[0141] (5)利用丙酮和去离子水清洗步骤（4)得到的Si-SnO复合体；
[0142](6)将清洗后的Si-SnO复合体置于快速退火炉中，氮气气氛下，于400°C下退火 lOmin；
[0143](7)在退火后的Si-SnO复合体表面旋涂一层光刻胶，形成第二掩膜；
[0144] (8)利用紫外光刻第二掩膜，在n型Si表面形成环形窗口，同时在SnO半导体层上 形成直径为140ym的圆形窗口，环形窗口将SnO半导体层围设在其内圆环中；
[0145] (9)室温下利用电子束蒸发设备蒸发金属蒸发料，在步骤（8)得到的环形窗口和 直径为140ym的圆形窗口上沉积Ni-Au双层电极，沉积厚度为Ni:50nm，Au:50nm，沉积顺 序为，先沉积Ni，再沉积Au;
[0146] (10)用丙酮和去离子水清洗步骤（9)中得到的样品，并用干燥的N2吹干，得到 p-SnO/n-Si异质结。
[0147] 实施例6
[0148] (1)将P〈0. 01Dcm的n型单抛硅片切为1. 5*1. 5cm2的样品硅片，并清洗烘干；
[0149] (2)在样品硅片的〈100>晶面上旋涂一层光刻胶，形成第一掩膜；
[0150] (3)利用紫外光刻第一掩膜，形成直径为160ym的圆形窗口；
[0151] (4)在室温下利用电子束蒸发设备蒸发二氧化锡蒸发料，在圆形窗口上沉积非晶 SnO半导体层，得到Si-SnO复合体；其中，SnO半导体层的沉积厚度为50nm;
[0152] (5)利用丙酮和去离子水清洗步骤（4)得到的Si-SnO复合体；
[0153] (6)将清洗后的Si-SnO复合体置于快速退火炉中，氩气气氛下，于350°C下退火 10min；
[0154] (7)在退火后的Si-SnO复合体表面旋涂一层光刻胶，形成第二掩膜；
[0155] (8)利用紫外光刻第二掩膜，在n型Si表面形成环形窗口，同时在SnO半导体层上 形成直径为140ym的圆形窗口，环形窗口将SnO半导体层围设在其内圆环中；
[0156] (9)室温下利用电子束蒸发设备蒸发金属蒸发料，在步骤（8)得到的环形窗口和 直径为140ym的圆形窗口上沉积Ni-Au双层电极，沉积厚度为Ni:50nm，Au:20nm，沉积顺 序为，先沉积Ni，再沉积Au;
[0157] (10)用丙酮和去离子水清洗步骤（9)中得到的样品，并用干燥的N2吹干，得到 p-SnO/n-Si异质结。
[0158] 实施例7
[0159] (1)将P〈0? 01Dcm的n型单抛硅片切为1. 5*1. 5cm2的样品硅片，并清洗烘干；
[0160] (2)在样品硅片的〈100>晶面上旋涂一层光刻胶，形成第一掩膜；
[0161] (3)利用紫外光刻第一掩膜，形成直径为160ym的圆形窗口；
[0162] (4)在室温下利用电子束蒸发设备蒸发二氧化锡蒸发料，在圆形窗口上沉积非晶 SnO半导体层，得到Si-SnO复合体；其中，SnO半导体层的沉积厚度为60nm;
[0163] (5)利用丙酮和去离子水清洗步骤（4)得到的Si-SnO复合体；
[0164](6)将清洗后的Si-SnO复合体置于快速退火炉中，氩气气氛下，于350°