，方阻为30Ω。在位于具有所述第二掺杂层的基片的一侧，即:N型掺杂非晶娃层上，采用物理气相沉积(PVD:Physical Vapor Deposit1n)方式沉积与所述第一掺杂层上的透明导电层相同的透明导电层作为背电极。进而形成双面受光的异质结太阳能电池。
[0058]通过在掺杂层两侧分别形成透明导电层，进而形成多面受光的异质结太阳能电池。
[0059]对于该步骤，可以理解的是，还可以仅在掺杂层的一侧形成透明导电层，在另一侧形成透明导电氧化物及金属所构成的复合层，例如:在P型掺杂非晶硅层上，采用物理气相沉积(PVD:Physical Vapor Deposit1n)方式沉积透明导电层；在?^型掺杂非晶娃层上，采用物理气相沉积(PVD:Physical Vapor Deposit1n)方式沉积透明导电氧化物与金属，进而构成的复合层，作为背电极。该复合层可以选用氧化铟锡(透明导电氧化物)与银(金属)构成的复合物(ITO/Ag)，厚度范围是大于等于10nm，且小于等于120nm，进而形成单面受光的异质结太阳能电池。
[0060]使用上述透明导电氧化物(TCO)与金属组成的复合背电极，能够提高背反射效果，提高光电转换效率。
[0061]在步骤S140-1中，可以根据实际应用需要以及环境情况，设置不同的受光面已提高异质结太阳能电池的利用率。
[0062]以上为本申请提供的一种异质结太阳能电池的制造方法的第一实施方式的描述，其具体说明的是基片一侧形成第一缓冲层的制造方法，可以理解的是，在基片上形成的第一缓冲层，不仅可以位于基片的一侧，也可以位于基片的两侧，如图3所示，图3是本申请提供的一种异质结太阳能电池制造方法的第二实施例流程图，即:在基片两侧分别形成第一缓冲层的步骤。
[0063]对于在基片一侧形成第一缓冲层还是在基片两侧分别形成第一缓冲层可以根据实际需要进行制造，因此，第一缓冲层并不限于仅在基片一侧形成或者在基片的两侧形成。
[0064]图3所提供的第二实施例的步骤如下:
[0065]步骤S100-2:提供基片；
[0066]该步骤可以参考第一实施例中的步骤S100-1。
[0067]步骤SI 10-2:在所述基片两侧分别形成第一本征缓冲层；
[0068]该步骤与第一实施例中的步骤S110-1类似，不同之处在于，该步骤是在基片的两侧分别形成第一本征缓冲层，即:在硅片的两侧分别采用化学气相沉积法沉积非晶硅氧材料(a-S1x:H)，进而形成第一本征缓冲层，具体沉积方式参考步骤S110-1即可。
[0069]步骤S120-2:在具有所述第一本征缓冲层的基片的两侧形成第二本征缓冲层；
[0070]该步骤可以参考第一实施例中的步骤S120-1。
[0071]步骤S130-2:在具有所述第二本征缓冲层的基片的两侧形成掺杂层，即:第一掺杂层和弟—■惨杂层；
[0072]该步骤可以参考第一实施例中的步骤S120-1。
[0073]步骤S140-2:在具有所述掺杂层的基片的两侧分别形成透明导电层，或在具有所述掺杂层的基片的一侧形成透明导电层，另一侧形成透明导电氧化物/金属复合层。
[0074]该步骤可以参考第一实施例中的步骤S140-1。
[0075]第二实施例与第一实施例的区别仅在于第一缓冲层，第一实施例是在基片一侧形成，第二实施例是在基片两侧分别形成，所以，对于第二实施例具体形式方式可参考第一实施例，因此，不在赘述。
[0076]需要说明的是，两种实施方式可以根据异质结太阳能电池应用环境情况进行选择，例如:当应用环境适用于单面受光的情况下，可以在受光面的一侧设置第一本征缓冲层，并且在受光面侧设置透明导电层即可，另一侧无需设置第一缓冲层和透明导电层，可以通过透明导电氧化物和金属构成的复合层替代透明导电层。当应用环境适用于双面受光的情况下，可以在基片两侧分别形成第一本征缓冲层，以及在具有该第一本征缓冲层的基片两侧形成透明导电层。
[0077]以上公开了本申请提供的一种异质结太阳能电池的制造方法实施例，与所述方法实施例相对应，本申请还公开了一种异质结太阳能电池实施例，请参看图4，图4是本申请提供的一种异质结太阳能电池第一实施例的结构示意图。
[0078]本申请提供的一种异质结太阳能电池包括:基片300，第一本征缓冲层310，第二本征缓冲层320，第一掺杂层330、第二掺杂层340、透明导电层350、透明导电氧化物/金属复合层360。
[0079]所述基片300可以采用单晶硅片或多晶硅片，可以为N型或P型。由于N型硅片的性能更为优越，并且能够克服P型硅片上电池的光致衰退现象，以及N型硅片材料中高效复合中心的密度远低于P型材料，使得电子具有更高的寿命及扩散长度，所以通常情况下硅片选用N型，在本申请实施例中选用的是N型单晶硅片，其厚度范围是大于等于150um，且小于等于300um，优选为180um，电阻率为3 Ω cm。
[0080]在所述基片300的一侧设置所述第一本征缓冲层310，所述第一本征缓冲层310不仅起到钝化硅片表面的缺陷的作用，还使太阳光更加充分的透过掺杂层进入硅片内，从而提高太阳能电池的光转换效率。该第一本征缓冲层310可以采用非晶硅氧材料(a-S1x:H)，其厚度范围为大于等于lnm，小于等于25nm。所述第一本征缓冲层310可以根据需要设置为多层或者单层结构。
[0081]在具有所述第一本征缓冲层310的所述基片300的两侧分别形成第二本征缓冲层320，所述第二本征缓冲层320也同样起到钝化硅片表面的作用。可以选用非晶硅氢材料(a-S1:H)。
[0082]在具有所述第二本征缓冲层320的基片300的两侧分别设置掺杂层，即:第一掺杂层330和第二掺杂层340 ;在基片300上并且具有所述第一本征缓冲层310的一侧为第一掺杂层330，位于所述基片300另一侧的为第二掺杂层340，所述第一和第二掺杂层340可以为掺杂非晶硅层，所述第一掺杂层330为N型掺杂非晶硅层，所述第二掺杂层340为P型掺杂非晶硅层。可以理解的是，所述第一掺杂层330可以为P型掺杂非晶硅层，所述第二掺杂层340可以为N型非晶娃掺杂层。
[0083]在本实施例中，透明导电层350设置在具有第一掺杂层330上，第二掺杂层340上设置为透明导电氧化物/金属复合层360，形成单面受光结构(参考图4所示)。但是，可以理解的是，在所述透明导电层350也可以分别设置所述第一掺杂层330上和第二掺杂层340上，形成双面受光结构。图4仅为一种单面受光的结构示意，本申请提供的异质结太阳能电池的结构并不限于图4所示。
[0084]基于上述，请参考图5所示，图5是本申请提供的一种异质结太阳能电池第二实施例的结构示意图。
[0085]该第二实施例提供的异质结太阳能电池，包括:基片300，第一本征缓冲层310，第二本征缓冲层320，掺杂层(第一掺杂层330和第二掺杂层340)，透明导电层350。
[0086]该第二实施例与第一实施例的不同之处在于:所述第一本征缓冲层310位于所述基片300的两侧。根据使用需求和环境状况，在所述掺杂层的两侧分别设置透明导电层350，形成异质结太阳能电池的双面受光结构；或在具有掺杂层的基片300的一侧，设置透明导电层350，在另一侧设置透明导电氧化物/金属复合层360，进而形成异质结太阳能电池的单面受光结构。
[0087]可以理解的是，所述异质结太阳能电池具有单面受光结构时，可以在基片300受光侧设置第一本征缓冲层310，在具有第一本征缓冲层310的基片300的两侧分别设置第二本征缓冲层320，在具有所述第二本征缓冲层320的基片300的两侧分别设置掺杂层，在具有掺杂层的基片300的一侧，并且该侧为位于具有所述第一本征缓冲层310的一侧设置透明导电层350，进而形成单面受光结构。
[0088]所述异质结太阳能